【高性能1M×4CMOS DRAMAS4C14400AS4C144051M位× 4 CMOS DRAM】,IC型号AS4C14405-50TC,AS4C14405-50TC PDF资料,AS4C14405-50TC经销商,ic,电子元器件-51电子网

高性能

1M×4

CMOS DRAM

AS4C14400

AS4C14405

1M位× 4 CMOS DRAM（快速页面模式或EDO ）

初步信息

特点

组织： 1,048,576字× 4位

高速

- 40/50/60/70 ns的RAS访问时间

- 20/25/30/35 ns的列地址访问时间

- 10/13/15/18 ns的CAS访问时间

1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔

- RAS -只或CAS先于RAS刷新

读 - 修改 - 写

TTL兼容，三态I / O

JEDEC标准封装

- 300万，20元/ 26针SOJ

- 300万，20元/ 26针TSOP

低功耗

- 活动： 385毫瓦最大（ -60 ）

- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O

快速页模式（ AS4C14400 ）或EDO （ AS4C14405 ）

单5V电源

ESD保护

≥

2001V

闩锁电流

≥

200毫安

管脚配置

SOJ

I/O0

I/O1

WE

RAS

A9

1

2

3

4

5

26

25

24

23

22

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

I/O0

I/O1

WE

RAS

A9

1

2

3

4

5

引脚名称

TSOP

26

25

24

23

22

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

PIN码（ S）

A0到A9

RAS

I / O0至I / O 3

OE

CAS

WE

V

CC

GND

描述

地址输入

行地址选通

输入/输出

OUTPUT ENABLE

列地址选通

读/写控制

功率（ 5.0

±

0.5V)

地

A0

A1

A2

A3

V

CC

9

10

11

12

13

18

17

16

15

14

A8

A7

A6

A5

A4

A0

A1

A2

A3

V

CC

9

10

11

12

13

18

17

16

15

14

A8

A7

A6

A5

A4

选购指南

符号

最大的RAS访问时间

最大列地址访问时间

最大CAS访问时间

最大输出使能（ OE ）访问时间

最小的读或写周期时间

最小快速页模式周期时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

阴影区域包含预览。

4C14400-40

40

20

10

70

30

90

1.0

4C14400-50

50

25

13

90

35

80

1.0

4C14400-60

60

30

15

110

40

70

1.0

4C14400-70

70

35

18

130

45

60

1.0

单位

ns

mA

t

RAC

t

CAA

t

CAC

t

OEA

t

RC

t

PC

I

CC1

I

CC5

半导体联盟

AS4C14400

功能说明

该AS4C14400是组织为1,048,576字× 4位的高性能CMOS动态随机存取存储器。该AS4C14400是

制造与先进的CMOS工艺和设计，从而导致高速创新的设计技术，极低功耗

并在组件和系统级宽的经营利润。

在AS4C14400功能上的任何执行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写

1024

×

4比特的列地址来定义。异步列地址使用了一个极短的行地址的捕获时间，以纾缓

系统级的时序约束与复用寻址相关的。输出是三态，由一列地址选通（CAS ），其作用

作为一个输出使能独立RAS的。非常快的CAS输出存取时间简化了系统设计。

在一个16毫秒的周期，通过执行以下任一操作完成刷新上的A0到A9的1024地址的组合：

RAS-只刷新周期

隐藏刷新周期

CAS先于RAS的刷新周期

正常读取或写入周期

该AS4C14400可在JEDEC标准二十六分之二十零脚塑料SOJ和二十六分之二十引脚塑料TSOP封装。系统级功能包括

5.0单电源供电

±

0.5V宽容和直接接口与TTL逻辑系列。

逻辑框图

刷新

调节器

VCC

GND

列解码器

SENSE AMP

数据

I / O

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

RAS

RAS时钟

发电机

CAS

CAS时钟

发电机

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

OE

地址缓冲器

行解码器

1024 × 1024 × 4

ARRAY

(4,194,304)

WE

WE时钟

发电机

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

工作温度

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

TA

最低

4.5

0.0

2.4

–1.0

0

公称

5.0

0.0

–

最大

5.5

0.0

V

CC

+ 1

0.8

70

单位

V

°C

推荐工作条件适用于所有规格，除非另有说明。

2

AS4C14400

绝对最大额定值

参数

输入电压

输出电压

电源电压

存储温度（塑料）

焊接温度

×

时间

功耗

直流输出电流

符号

V

in

V

OUT

V

CC

T

英镑

T

SOLDER

P

D

I

OUT

最低

-1.0

-55

–

最大

+7.0

+150

260

×

10

1

50

单位

V

°C

o

C

×

美国证券交易委员会

W

mA

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

DC电气特性

-40

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作电源

电源电流

TTL待机功耗

电源电流

符号测试条件

I

OZ

I

CC1

I

CC2

民

最大

+2

0V

≤

V

in

≤

+5.5V

-2

被测= 0V引脚不

输出禁用，

0V

≤

V

OUT

≤

+5.5V

RAS ， CAS ，地址

骑自行车：吨

RC

=分钟

RAS CAS = = V

IH

-10

–

-50

民

-2

最大

+2

-60

民

-2

最大

+2

-70

民

-2

最大

+2

单位注

A

+10 -10

90

2.0

90

–

+10 -10

80

2.0

80

–

+10 -10

70

2.0

70

–

+10 A

60

2.0

60

mA

1

1,2

平均供电

I

目前， RAS刷新模式

CC3

快页模式平均

电源电流

CMOS备用电源

电源电流

CAS先于RAS刷新

电源电流

输出电压

I

CC4

I

CC5

I

CC6

V

OH

V

OL

RAS骑自行车， CAS = VIH ，

–

t

RC

=分钟

RAS = V

IL

中国科学院骑自行车，

针对循环：

t

PC

=分钟

–

80

–

70

–

60

–

50

mA

1,2

RAS CAS = = V

CC

- 0.2V –

RAS ， CAS循环：

t

RC

=分钟

I

OUT

= -5.0毫安

I

OUT

= 4.2毫安

–

2.4

–

1.0

90

–

0.4

–

2.4

–

1.0

80

–

0.4

–

2.4

–

1.0

70

–

0.4

–

2.4

–

1.0

60

–

0.4

mA

V

1

阴影区域包含预览。

3

AS4C14400

通用于所有波形AC参数

-40

符号

t

RC

t

RP

t

RAS

t

CAS

t

RCD

t

拉德

t

RSH （R）的

t

CSH

t

CRP

t

ASR

t

RAH

t

T

t

REF

t

CLZ

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

CAS到RAS保持时间（读）

RAS到CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

行地址建立时间

行地址保持时间

转换时间（上升和下降）

刷新周期

CAS在低Z输出

民

70

20

40

10

18

13

10

40

0

8

2

–

0

最大

–

10K

–

30

20

–

50

16

–

民

90

30

50

13

20

15

13

50

0

10

2

–

0

-50

最大

–

10K

–

37

25

–

50

16

–

民

110

40

60

15

20

15

60

0

10

2

–

0

-60

最大

–

10K

–

45

30

–

50

16

–

民

130

50

70

18

20

15

18

70

0

10

2

–

0

-70

最大

–

10K

–

52

35

–

50

16

–

单位

ns

ms

ns

4,5

3

8

6

7

笔记

阴影区域包含预览。

读周期

-40

符号

t

RAC

t

CAC

t

AA

t

AR （R）的

t

RCS

t

RCH

t

RRH

t

拉尔

t

CPN

t

消耗臭氧层物质

t

关闭

参数

从RAS访问时间

从CAS访问时间

从地址访问时间

列从RAS增持

READ命令设置时间

读命令保持时间CAS

读命令保持时间RAS

列地址到RAS交货时间

CAS预充电时间

输出禁止设置时间

输出缓冲器关断时间

民

–

30

0

20

5

0

最大

40

10

20

–

10

民

–

40

0

25

10

0

-50

最大

50

13

25

–

13

民

–

45

0

30

10

0

-60

最大

60

15

30

–

15

民

–

55

0

35

10

0

-70

最大

70

18

35

–

18

单位

ns

8,10

9

笔记

6

6,13

7,13

阴影区域包含预览。

4

AS4C14400

写周期

-40

符号

t

ASC

t

CAH

t

AWR

t

WCS

t

WCH

t

WCR

t

WP

t

RWL

t

CWL

t

DS

t

DH

t

DHR

参数

列地址设置时间

列地址保持时间

列地址保持时间RAS

写命令设置时间

写命令保持时间

写命令保持时间RAS

WRITE命令的脉冲宽度

写命令到RAS交货期

写命令到CAS交货期

数据的建立时间

数据保持时间

数据保持时间为RAS

民

0

8

30

0

5

30

8

10

0

8

30

最大

–

民

0

10

40

0

10

40

10

13

0

10

40

-50

最大

–

民

0

10

45

0

10

45

10

15

0

10

45

-60

最大

–

民

0

15

55

0

15

55

15

18

0

15

55

-70

最大

–

单位

ns

12

11

笔记

阴影区域包含预览。

读 - 修改 - 写周期

-40

符号

t

RWC

t

RWD

t

CWD

t

AWD

t

RSH （W）的

t

CAS （ W）

参数

读 - 写周期时间

RAS以拖延时间

CAS以拖延时间

列地址来拖延时间

CAS到RAS保持时间（写）

CAS脉冲宽度（写）

民

105

60

30

40

10

最大

–

民

131

73

36

48

13

-50

最大

–

民

155

85

40

55

15

-60

最大

–

民

181

98

46

63

18

-70

最大

–

单位

ns

11

笔记

阴影区域包含预览。

5

高性能

1M×4

CMOS DRAM

AS4C14400

AS4C14405

1M位× 4 CMOS DRAM（快速页面模式或EDO ）

初步信息

特点

组织： 1,048,576字× 4位

高速

- 40/50/60/70 ns的RAS访问时间

- 20/25/30/35 ns的列地址访问时间

- 10/13/15/18 ns的CAS访问时间

1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔

- RAS -只或CAS先于RAS刷新

读 - 修改 - 写

TTL兼容，三态I / O

JEDEC标准封装

- 300万，20元/ 26针SOJ

- 300万，20元/ 26针TSOP

低功耗

- 活动： 385毫瓦最大（ -60 ）

- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O

快速页模式（ AS4C14400 ）或EDO （ AS4C14405 ）

单5V电源

ESD保护

≥

2001V

闩锁电流

≥

200毫安

管脚配置

SOJ

I/O0

I/O1

WE

RAS

A9

1

2

3

4

5

26

25

24

23

22

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

I/O0

I/O1

WE

RAS

A9

1

2

3

4

5

引脚名称

TSOP

26

25

24

23

22

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

PIN码（ S）

A0到A9

RAS

I / O0至I / O 3

OE

CAS

WE

V

CC

GND

描述

地址输入

行地址选通

输入/输出

OUTPUT ENABLE

列地址选通

读/写控制

功率（ 5.0

±

0.5V)

地

A0

A1

A2

A3

V

CC

9

10

11

12

13

18

17

16

15

14

A8

A7

A6

A5

A4

A0

A1

A2

A3

V

CC

9

10

11

12

13

18

17

16

15

14

A8

A7

A6

A5

A4

选购指南

符号

最大的RAS访问时间

最大列地址访问时间

最大CAS访问时间

最大输出使能（ OE ）访问时间

最小的读或写周期时间

最小快速页模式周期时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

阴影区域包含预览。

4C14400-40

40

20

10

70

30

90

1.0

4C14400-50

50

25

13

90

35

80

1.0

4C14400-60

60

30

15

110

40

70

1.0

4C14400-70

70

35

18

130

45

60

1.0

单位

ns

mA

t

RAC

t

CAA

t

CAC

t

OEA

t

RC

t

PC

I

CC1

I

CC5

半导体联盟

AS4C14400

功能说明

该AS4C14400是组织为1,048,576字× 4位的高性能CMOS动态随机存取存储器。该AS4C14400是

制造与先进的CMOS工艺和设计，从而导致高速创新的设计技术，极低功耗

并在组件和系统级宽的经营利润。

在AS4C14400功能上的任何执行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写

1024

×

4比特的列地址来定义。异步列地址使用了一个极短的行地址的捕获时间，以纾缓

系统级的时序约束与复用寻址相关的。输出是三态，由一列地址选通（CAS ），其作用

作为一个输出使能独立RAS的。非常快的CAS输出存取时间简化了系统设计。

在一个16毫秒的周期，通过执行以下任一操作完成刷新上的A0到A9的1024地址的组合：

RAS-只刷新周期

隐藏刷新周期

CAS先于RAS的刷新周期

正常读取或写入周期

该AS4C14400可在JEDEC标准二十六分之二十零脚塑料SOJ和二十六分之二十引脚塑料TSOP封装。系统级功能包括

5.0单电源供电

±

0.5V宽容和直接接口与TTL逻辑系列。

逻辑框图

刷新

调节器

VCC

GND

列解码器

SENSE AMP

数据

I / O

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

RAS

RAS时钟

发电机

CAS

CAS时钟

发电机

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

OE

地址缓冲器

行解码器

1024 × 1024 × 4

ARRAY

(4,194,304)

WE

WE时钟

发电机

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

工作温度

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

TA

最低

4.5

0.0

2.4

–1.0

0

公称

5.0

0.0

–

最大

5.5

0.0

V

CC

+ 1

0.8

70

单位

V

°C

推荐工作条件适用于所有规格，除非另有说明。

2

AS4C14400

绝对最大额定值

参数

输入电压

输出电压

电源电压

存储温度（塑料）

焊接温度

×

时间

功耗

直流输出电流

符号

V

in

V

OUT

V

CC

T

英镑

T

SOLDER

P

D

I

OUT

最低

-1.0

-55

–

最大

+7.0

+150

260

×

10

1

50

单位

V

°C

o

C

×

美国证券交易委员会

W

mA

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

DC电气特性

-40

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作电源

电源电流

TTL待机功耗

电源电流

符号测试条件

I

OZ

I

CC1

I

CC2

民

最大

+2

0V

≤

V

in

≤

+5.5V

-2

被测= 0V引脚不

输出禁用，

0V

≤

V

OUT

≤

+5.5V

RAS ， CAS ，地址

骑自行车：吨

RC

=分钟

RAS CAS = = V

IH

-10

–

-50

民

-2

最大

+2

-60

民

-2

最大

+2

-70

民

-2

最大

+2

单位注

A

+10 -10

90

2.0

90

–

+10 -10

80

2.0

80

–

+10 -10

70

2.0

70

–

+10 A

60

2.0

60

mA

1

1,2

平均供电

I

目前， RAS刷新模式

CC3

快页模式平均

电源电流

CMOS备用电源

电源电流

CAS先于RAS刷新

电源电流

输出电压

I

CC4

I

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I

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V

OH

V

OL

RAS骑自行车， CAS = VIH ，

–

t

RC

=分钟

RAS = V

IL

中国科学院骑自行车，

针对循环：

t

PC

=分钟

–

80

–

70

–

60

–

50

mA

1,2

RAS CAS = = V

CC

- 0.2V –

RAS ， CAS循环：

t

RC

=分钟

I

OUT

= -5.0毫安

I

OUT

= 4.2毫安

–

2.4

–

1.0

90

–

0.4

–

2.4

–

1.0

80

–

0.4

–

2.4

–

1.0

70

–

0.4

–

2.4

–

1.0

60

–

0.4

mA

V

1

阴影区域包含预览。

3

AS4C14400

通用于所有波形AC参数

-40

符号

t

RC

t

RP

t

RAS

t

CAS

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RCD

t

拉德

t

RSH （R）的

t

CSH

t

CRP

t

ASR

t

RAH

t

T

t

REF

t

CLZ

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

CAS到RAS保持时间（读）

RAS到CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

行地址建立时间

行地址保持时间

转换时间（上升和下降）

刷新周期

CAS在低Z输出

民

70

20

40

10

18

13

10

40

0

8

2

–

0

最大

–

10K

–

30

20

–

50

16

–

民

90

30

50

13

20

15

13

50

0

10

2

–

0

-50

最大

–

10K

–

37

25

–

50

16

–

民

110

40

60

15

20

15

60

0

10

2

–

0

-60

最大

–

10K

–

45

30

–

50

16

–

民

130

50

70

18

20

15

18

70

0

10

2

–

0

-70

最大

–

10K

–

52

35

–

50

16

–

单位

ns

ms

ns

4,5

3

8

6

7

笔记

阴影区域包含预览。

读周期

-40

符号

t

RAC

t

CAC

t

AA

t

AR （R）的

t

RCS

t

RCH

t

RRH

t

拉尔

t

CPN

t

消耗臭氧层物质

t

关闭

参数

从RAS访问时间

从CAS访问时间

从地址访问时间

列从RAS增持

READ命令设置时间

读命令保持时间CAS

读命令保持时间RAS

列地址到RAS交货时间

CAS预充电时间

输出禁止设置时间

输出缓冲器关断时间

民

–

30

0

20

5

0

最大

40

10

20

–

10

民

–

40

0

25

10

0

-50

最大

50

13

25

–

13

民

–

45

0

30

10

0

-60

最大

60

15

30

–

15

民

–

55

0

35

10

0

-70

最大

70

18

35

–

18

单位

ns

8,10

9

笔记

6

6,13

7,13

阴影区域包含预览。

4

AS4C14400

写周期

-40

符号

t

ASC

t

CAH

t

AWR

t

WCS

t

WCH

t

WCR

t

WP

t

RWL

t

CWL

t

DS

t

DH

t

DHR

参数

列地址设置时间

列地址保持时间

列地址保持时间RAS

写命令设置时间

写命令保持时间

写命令保持时间RAS

WRITE命令的脉冲宽度

写命令到RAS交货期

写命令到CAS交货期

数据的建立时间

数据保持时间

数据保持时间为RAS

民

0

8

30

0

5

30

8

10

0

8

30

最大

–

民

0

10

40

0

10

40

10

13

0

10

40

-50

最大

–

民

0

10

45

0

10

45

10

15

0

10

45

-60

最大

–

民

0

15

55

0

15

55

15

18

0

15

55

-70

最大

–

单位

ns

12

11

笔记

阴影区域包含预览。

读 - 修改 - 写周期

-40

符号

t

RWC

t

RWD

t

CWD

t

AWD

t

RSH （W）的

t

CAS （ W）

参数

读 - 写周期时间

RAS以拖延时间

CAS以拖延时间

列地址来拖延时间

CAS到RAS保持时间（写）

CAS脉冲宽度（写）

民

105

60

30

40

10

最大

–

民

131

73

36

48

13

-50

最大

–

民

155

85

40

55

15

-60

最大

–

民

181

98

46

63

18

-70

最大

–

单位

ns

11

笔记

阴影区域包含预览。

5