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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第221页 > ADG409
a
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻（最大值100 ）
低功耗（I
供应
< 75 A）
快速开关
先开后合式开关动作
插入式替换DG408 / DG409
应用
音频和视频路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样和保持系统
通信系统
LC MOS 4- / 8通道
高性能模拟多路复用器
ADG408/ADG409
功能方框图
ADG408
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1第8
解码器
S4B
1 4
解码器
2
ADG409
A0 A1 A2 EN
A0
A1
EN
概述
产品亮点
该ADG408和ADG409均为单芯片CMOS模拟
多路复用器包括8个单通道和4 differen-
分别TiAl基的渠道。该ADG408开关的八分之一
输入到由3比特的二进制确定一个共同的输出
地址线A0， A1和A2。该ADG409开关的四分之一
差分输入为阻止 - 公共差分输出
由2位二进制地址线A0和A1开采。一个EN
输入两个设备上，用于启用或禁用该设备。
禁用时，所有通道被关闭。
该ADG408 / ADG409都在增强LC设计
2
MOS
过程中提供低功耗，高
开关速度和低导通电阻。每个通道行为
当对同样在两个方向上，并具有一输入信号
范围延伸到供应。在断开状态下，信号
水平最高的供应被阻断。所有通道都表现出突破性
之前，使开关动作，防止瞬时短路
切换频道时。固有的设计是低电荷
注射最小的瞬变切换数字时
输入。
该ADG408 / ADG409得到改善替代的
DG408 / DG409模拟多路复用器。
1.扩展信号范围
该ADG408 / ADG409是制造上的增强
LC
2
MOS工艺给人一种增加的信号范围
延伸到供电轨。
2.低功耗
3低R
ON
4.单电源供电
对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该
ADG408 / ADG409可以从一个单一的轨道动力操作
供应量。部件与单个+ 12V完全指明的
电源将保持功能与单电源供电
低至5 V.
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
ADG408/ADG409–SPECIFICATIONS
双电源
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
（上）
ADG408
ADG409
电源要求
I
DD
I
SS
I
DD
100
200
20
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
1
5
500
100
200
10
85
150
(V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V， GND = 0V，除非另有说明）
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
V
SS
到V
DD
40
100
15
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
125
40
100
15
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
单位
测试条件/评论
V
SS
到V
DD
V
典型值
125
最大
最大
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
D
=
±
10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= +10 V, –10 V
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路2
V
D
=
±
10 V; V
S
=
测试电路3
V
S
= V
D
=
±
10 V;
测试电路4
10 V;
10 V;
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
8
120
250
10
125
225
65
150
8
120
250
10
85
150
20
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
1
5
500
10
125
225
65
150
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±
10 V, V
SS
= 10 V;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 10nF的;
测试电路8
R
L
= 1千欧， F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;测试电路9
R
L
= 1千欧， F = 100千赫;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG408/ADG409
单电源
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
（上）
ADG408
ADG409
电源要求
I
DD
I
DD
100
200
(V
DD
= +12 V, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0到V
DD
90
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
8
130
10
140
60
5
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
500
100
200
8
130
10
140
60
5
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
500
90
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
0到V
DD
单位
V
典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
纳秒（典型值）
纳秒（典型值）
纳秒（典型值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
= +3 V ，+ 10 V，I
S
= -1毫安
V
D
=8 V/0 V, V
S
= 0 V/8 V;
测试电路2
V
D
=8 V/0 V, V
S
= 0 V/8 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 8 V/0 V;
测试电路4
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 8 V/0 V, V
S8
= 0 V/8 V;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 10nF的;
测试电路8
R
L
= 1千欧， F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;测试电路9
R
L
= 1千欧， F = 100千赫;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG408/ADG409
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
订购信息
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
模拟，数字输入
2
. . . . . V
SS
-2 V到V
DD
2 V或20 mA时，
以先到为准科幻RST
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（T版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
TSSOP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 155 ° C / W
θ
JC
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 ° C / W
SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压A， EN ，S或D将由内部二极管钳位。电流应
限于给出的最大额定值。
模型
1
ADG408BN
ADG408BR
ADG408BRU
ADG408TQ
ADG409BN
ADG409BR
ADG409TQ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
封装选项
2
N-16
R-16A
RU-16
Q-16
N-16
R-16A
Q-16
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 ， B类加工零件，添加/ 883B到T级部分
号。
2
N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; R = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） ;
RU =想想紧缩小型封装（ TSSOP ） 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG408 / ADG409配备专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，
适当的ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
ADG408/ADG409
引脚配置（ DIP / SOIC / TSSOP ）
术语
V
DD
A0
1
EN
2
V
SS 3
S1
4
16
A1
15
A2
14
GND
最积极的供电潜力。
在双最负电源电位
耗材。在单电源应用中，可能
被连接到地。
接地（ 0 V ）参考。
D和S之间的欧姆电阻
在R的区别
ON
任何两种
通道。
源漏电流时，开关断开。
漏极漏电流时，开关处于关闭状态。
信道时的漏电流的开关是否打开。
在端D ，S模拟电压
通道的输入电容为“OFF”
条件。
信道的输出电容为“关”
条件。
“ON”的开关电容。
数字输入电容。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关转到“ON ”状态。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关“关”状态。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入端和所述开关为“ON”状态
从一个地址状态切换到另一个。
测得的80％的点之间的“关”时间
两个开关从一个开关时
解决状态到另一个状态。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1”。
输入电流的数字输入。
度量无用信号被耦合
通过从一个通道到另一个作为结果
的寄生电容。
通过衡量耦合的无用信号
“OFF”表示信道。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
正电源电流。
负电源电流。
A0
1
EN
2
V
SS 3
S1A
4
16
A1
15
GND
14
V
DD
V
SS
ADG408
13
V
DD
顶视图
S2
5
（不按比例）
12
S5
S3
6
S4
7
D
8
11
S6
10
S7
9
ADG409
13
S1B
顶视图
S2A
5
（不按比例）
12
S2B
S3A
6
S4A
7
DA
8
11
S3B
10
S4B
9
GND
R
ON
R
ON
I
S
（关闭）
S8
DB
ADG408真值表
I
D
（关闭）
ON
开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
C
IN
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ADG409真值表
Al
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
对
无
1
2
3
4
t
过渡
t
开放
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
相声
关断隔离
收费
注射
I
DD
I
SS
REV 。一
–5–
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推荐型号
AM29LV320MB110REI
AGN200A03Z
AER31-31-21CB/S
AM29F400AB-90FC
AD404M188VBA-5
AM29LV010B-55EI
AZ1117T-3.3E1
AXK650247YG
AAT3522IGY-2.32-200-T1
AT80C51RA2-RLTCL
AI60G48-N98
ADG201AKP
AS1106WE
AM29525DCB
A67P06181E-6.5
AM27C256-255
AM28F020A-70FCB
AT1369AR
APL1400
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADG409
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市西昂特科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881291855 复制

电话：0755-82524647
联系人：邝小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北路宝华大厦A座A813
ADG409
ADI
23+
5000
N/A
绝对全新原装！欢迎来电咨询！
深圳市欧立现代科技有限公司
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
ADG409
AD
24+
4000
SOP16
授权分销 现货热卖
深圳市毅创腾电子科技有限公司
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