ARX4435N收发器
对于Macair H009规格
特点
初步
电路科技
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ARX4435N收发器符合Macair H009数据总线
特定网络阳离子
发射器可以被用来驱动时钟信号线
具有± 15伏至± 12伏特电源
低功耗直接替换CT1641和CT1816
器件
更高的总线驱动电源电压源输出
插件和可用扁平封装
采用线性化ASIC 单片建设
加工和筛选，以MIL -STD- 883规格
MIL -PRF- 38534标准可用设备
概述
该
艾法斯
实验室
纳入模型ARX4435N和
ARX4435NFP是新一代
单片
收发器
哪
提供符合Macair
H009数据总线的要求。
该ARX4435N和ARX4435NFP
执行前端模拟功能
输入和输出数据的
经过一个变压器，以一个H009数据
总线。
这些收发器的设计
反映特别注意活性
过滤性能。本结果在低
具有超强的位和字错误率
波形纯度和最小的零
交越失真。该ARX4435N
串联型有源滤波器的设计有
额外的高频滚降来
提供所需要的低谐波
失真
波形
没有
增加延迟特性
显着。
高效传输电力和
散热设计保证了极低的内部
功耗和温度
上升，在高和低的占空比。
X
LE
F
N
O
35
R
4 9
E
4 37
A
X 88
R -
A A
S
U
X
P
LE
F
F
N
O
5 9
R
3 7
E
44 3
A
X -88
R A
A S
U
TX数据在
TX数据在
司机
成型
TX INHIBIT
EXT门槛
数据
数据
设置内部
门槛
EXT门槛
数据
+5 V
-12V或-15V
RX数据在
RX数据在
+ 15V或+ 12V
频闪
输入
AMP
数据
-V
TH
V-
+V
TH
~4K
+
–
~4K
–
活跃
滤波器
+
ARX4435NFP / ARX4435N收发器
TX数据输出
产量
舞台
V+
TX数据输出
发射机
发射器部分接受
互补的TTL数据输入端，
以及耦合到所述数据总线时
用1： 1的变压器，孤立的
收发器侧面有两个35欧姆
故障隔离电阻，并通过装
一个170欧姆终端，数据总线
产生的信号是20伏的标称
P-P在A-A' 。 （参见图5 ） 。当
二者的数据和数据输入端被保持
低或高，发射机输出
阻抗低，并且信号是
从行“删除” 。此外，
比较。
RX数据输出
比较。
RX数据输出
框图（不含变压器）
eroflex电路牛逼
童占梅
- 数据总线模块，用于未来 SCD4435N REV A 00年7月27日
压倒一切的“抑制”输入返回输出
阻抗为高状态。施加到一个逻辑“1”的
“禁止”的优先级高于数据的条件
输入和禁用发射器（参见变送器
逻辑波形，图1）。
发射机利用有源滤波器来抑制
谐波频率高于1 MHz ，以满足H009 Macair
规格。发射机可以安全运行
无限期地与输出短路
在100 ％的占空比。
接收器
接收器部分接受两相鉴别
在输入数据和产生两个TTL信号在
输出。输出为数据和数据，并
表示的正和负偏移
超出预先确定的阈值输入端（见
接收器逻辑波形，图2）。
内部阈值名义上被设置成检测
数据总线信号超过1.05伏特PP和拒绝
1：带1使用时的信号低于0.6伏的PP
匝数比变压器（参见图5变压器
数据和典型的连接） 。
在选通输入一个低电平抑制DATA和
数据输出。如果不用， 2K的上拉至+5伏
推荐使用。
图1 - 变送器逻辑波形
区域1
2
3
DATA IN
DATA IN
抑制
线对线
产量
注：1.数据和数据输入必须complementry波形或50％的占空比平均，在它们之间没有任何延迟，并在期间相同的状态
关断时间（高和低） 。
2.区域1 ;无输出信号，高阻抗状态（接收模式） ， 2区;无输出信号，低阻抗状态， （终端模式） ， 3区，发射器的信号
在低Z.
图2 - 接收器逻辑波形
线对线
输入
RX数据输出
注意重叠
RX数据输出
记
:
显示波形的通常是低的设备。对于一般的高接收器输出
电平的设备，所述接收器的输出进行交换，如图中的虚线
艾法斯电路技术
2
SCD4435N REV A 00年7月27日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
绝对最大额定值
工作温度
贮存箱温度
电源电压
逻辑输入电压
接收器差分输入
接收器输入电压（共模）
驱动器峰值输出电流
总计封装功耗在整个工作
外壳温度范围
最大结到外壳温升
（100 ％占空比）
结 - 壳热阻
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+150°C
±15 V附注：到± 18V MAX
±40 V
±10V
150毫安
3.0瓦
15°C
5°C/W
+ 5V附注：至+ 7V MAX
-0.3 V至+5.5 V
电气特性，发射器部分
输入特性，在发送数据或发送数据
参数
“0”的输入电流
“1”的输入电流
“0 ”输入电压
“ 1 ”输入电压
条件
V
IN
= 0.4 V
V
IN
= 2.7 V
符号
I
ILD
I
IHD
V
IHD
V
IHD
民
典型值
-0.2
1.0
最大
-0.4
40
0.7
单位
mA
A
V
V
2.0
抑制特性
"0"输入电流
"1"输入电流
"0"输入电压
"1"输入电压
从TX延迟抑制（ 0 → 1 ） ，以抑制输出
延迟从TX抑制， （ 10 ）到主动输出
差分输出噪声，抑制模式
差分输出阻抗（抑制）
注2
注1
注1
V
IN
=0.4V
V
IN
=2.7V
I
ILI
I
IHI
V
ILI
V
IHI
t
DXOFF
t
DXON
V
NOI
Z
OI
10K
2
350
200
0.8
700
500
10
-0.2
1.0
-0.4
40
0.7
mA
A
V
V
nS
nS
mV的P-P
输出特性
差分输出电平，上图PT A-A 。五
上升和下降时间
（ 10 ％90 ％ P-P输出） ， PT图上的A-A 。五
在上图PT A-A的输出偏移。 5 ， 2.5 μS后
最后位的中点相交
从Tx数据的50 ％点或延误
TX数据输入到differen-过零点
TiAl基信号。 （注1）
艾法斯电路技术
R
L
=170
V
O
t
r
17
200
21
24
300
V P-P
nS
R
L
=170
V
OS
±265
毫伏峰
t
DTX
220
350
nS
3
SCD4435N REV A 00年7月27日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
电气特性，接收器部分
参数
差分输入阻抗（注1 ）
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压范围
共模抑制比
注1
点A-A上
图5
条件
F = 1MHz的
符号
Z
In
V
IDR
V
ICR
CMRR
民
20K
典型值
最大
单位
V P-P
V P-P
dB
40
10
40
频闪特性（逻辑“O”抑制输出）
"0"输入电流
"1"输入电流
"0"输入电压
"1"输入电压
选通延迟（开启或关闭）
注： 1 。
V
S
=0.4 V
V
S
=2.7 V
I
IL
I
IH
V
IL
V
IH
t
SD
2.0
150
-0.2
1.0
-0.4
+40
0.7
mA
A
V
V
nS
阈值特性（正弦波输入）
内部阈值电压
（简称总线）引脚6和11到GND
100KHz-1MHz
V
TH
0.60
0.80
1.15
V
P-P
外部门限
引脚6 & 11开， 5脚和12脚用10K电阻
GND ， 1MHZ正弦波适用于点A-A
V
日（
EXT
)
1.9
2.2
2.5
V
P-P
输出特性，接收数据和接收数据
"1"国家
"0"国家
延迟， （平均）由差分输入零
口岸RX数据和接收数据输出
50 ％的点
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 4毫安
V
OH
V
OL
t
DRX
2.5
3.6
0.35
275
0.5
450
V
V
nS
电力数据
电源电流（电源设置为+ 15V ， -15V ， + 5V ）
+V
-V
I
CC
I
EE
占空比
典型值
发射器待机
25 ％占空比
占空比为50％
100％占空比
5mA
20mA
40mA
85mA
最大
10mA
30mA
60mA
120mA
典型值
25mA
40mA
60mA
105mA
最大
35mA
60mA
80mA
140mA
25mA
35mA
典型值
5V
I
L
最大
推荐使用的电源电压范围
+V
-V
逻辑
11.4伏特至15.75伏
-11.4伏特至-15.75伏
4.5伏特至5.5伏特
艾法斯电路技术
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SCD4435N REV A 00年7月27日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
图3 - 发射器（TX ）输出波形
图4 - 发射器（TX ）输出偏移
最后一位
t
f
*
90%
放大查看
输出失调
*
17V P-P MIN
24V P-P MAX
0伏特
0伏特
输出失调
*
10%
2.5微秒
t
r
*
*图5中测得的上升和下降时间在点A-A'
*偏移图5中的测量点A ， A'
图5 - 典型的变压器连接
图6 - 功耗对比占空比
4.0
35 N1:N2
A
170
A’
TX数据输出
RX数据在
RX数据在
变压器匝数比：
N1:N2 = 1:1
使用艾法斯25T1553-1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
35
功耗
瓦
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
（典型值）
TX数据输出
占空比，百分比
注意事项：
1.特性由设计保证，未经生产测试。
2.测量频率为1MHz ，在点A-A' ，或关闭电源。
3.技术指标适用于在-55 ℃的温度范围内至+ 125°C （外壳温度）
除非另有说明。
4.所有典型值在+ 25℃下测定。
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