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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第228页 > ADG711BR
a
特点
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
低导通电阻（典型值2.5 ）
低导通电阻平坦度
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
16引脚TSSOP和SOIC封装
快速开关时间
t
ON
16纳秒
t
关闭
10纳秒
典型功耗（ < 0.01
TTL / CMOS兼容
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
概述
CMOS
低电压4四通道SPST开关
ADG711/ADG712/ADG713
功能方框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D2
S3
IN3
IN3
D3
S4
IN4
D4
IN4
D4
D3
S4
IN4
D4
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
S1
IN1
D1
S2
D2
S3
S1
ADG711
ADG712
ADG713
W)
开关所对于逻辑"1"输入
产品亮点
该ADG711 ， ADG712和ADG713均为单芯片CMOS
包含四个独立可选的开关设备。这些
开关采用先进的亚微米工艺设计的
具有低功耗，高开关速度，
低导通电阻，低漏电流和高带宽。
他们的目的是从一个单一的+1.8 V至+5.5 V
供应，使它们非常适合于电池供电的仪器使用
ments ，并使用从新一代DAC和ADC的
ADI公司。快速开关时间和高带宽
使部分适合视频信号切换。
该ADG711 ， ADG712和ADG713包含四个独立的
单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG711和
ADG712的区别仅在于，数字控制逻辑被反转。
该ADG711开关接通与在逻辑低
合适的控制输入，而需要一个逻辑高以启
在ADG712的开关。该ADG713有两个
开关的数字控制逻辑类似于ADG711 ，
而逻辑相反的其它两个开关。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候打开。
该ADG713展品先开后合式开关动作。
该ADG711 / ADG712 / ADG713均采用16引脚TSSOP封装
和16引脚SOIC封装。
1. +1.8 V至+5.5 V单电源供电。该ADG711 ，
ADG712和ADG713提供高性能且
完全指定，并保证与+3 V和+5 V电源
轨。
2.非常低R
ON
(4.5
最大的+5 V， 8
最大+3 V） 。在
+1.8 V ，R电源电压
ON
通常35
在该
温度范围。
3.低导通电阻平坦度。
4， -3 dB带宽>200兆赫。
5.低功耗。
CMOS结构确保了低功耗。
6.快速吨
ON
/t
关。
7.先开后合式开关。
这可以防止信道短路时的开关CON组
想通作为多路复用器（仅ADG713 ） 。
8. 16引脚TSSOP和16引脚SOIC两种封装。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
ADG711/ADG712/ADG713–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG713 ）
电荷注入
关断隔离
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
2.5
4
4.5
0.05
0.3
1.0
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
1
(V
DD
= +5 V
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格
-40°C至+ 85°C ，除非另有说明。 ）
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V;
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;
测试电路3
0.5
±
0.2
±
0.2
±
0.2
2.4
0.8
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
11
16
6
10
6
1
3
–58
–78
–90
200
10
10
22
0.001
1.0
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路5
V
S
= 2 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路9
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
ADG711/ADG712/ADG713
DD
= +3 V
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。 ）
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
5.5
8
0.3
2.5
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
5
0.1
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG713 ）
电荷注入
关断隔离
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V;
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或3伏;
测试电路3
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.2
±
0.2
±
0.2
2.0
0.4
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
13
20
7
12
7
1
3
–58
–78
–90
200
10
10
22
0.001
1.0
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 2 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 2 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 2 V ;测试电路5
V
S
= 1.5 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路9
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG711/ADG712/ADG713
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至6 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
TSSOP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 430毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 ° C / W
SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 520毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2千伏
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG711 / ADG712 / ADG713配备专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
订购指南
模型
ADG711BR
ADG712BR
ADG713BR
ADG711BRU
ADG712BRU
ADG713BRU
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
0.15"小外形封装（ SOIC ）
0.15"小外形封装（ SOIC ）
0.15"小外形封装（ SOIC ）
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
封装选项
R-16A
R-16A
R-16A
RU-16
RU-16
RU-16
表一，真值表（ ADG711 / ADG712 ）
ADG711在
0
1
ADG712在
1
0
开关状态
ON
关闭
引脚配置
（ TSSOP / SOIC ）
IN1
1
D1
2
S1
3
16
IN2
15
D2
表II中。真值表（ ADG713 ）
NC
4
GND
5
逻辑
0
1
开关1,4
关闭
ON
开关2,3
ON
关闭
12
NC
顶视图
S4
6
（不按比例）
11
S3
10
D3
9
ADG711
ADG712
ADG713
14
S2
13
V
DD
D4
7
IN4
8
IN3
NC =无连接
–4–
第0版
ADG711/ADG712/ADG713
术语
V
DD
GND
S
D
IN
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
最积极的供电潜力。
接地（ 0 V ）参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻匹配之间的任意两个通道
内尔斯即R
ON
最大-R
ON
分钟。
平整度是指之间的差
的导通的最大值和最小值
测量在规定电阻
模拟信号范围。
源漏电流与开关“OFF”。
漏极漏电流与开关“OFF”。
信道的泄漏电流与开关“ON”。
在端D ，S模拟电压
“ OFF”开关的源极电容。
“ OFF”开关漏极电容。
“ON”的开关电容。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出开关上。
t
关闭
t
D
相声
关断隔离
收费
注射
带宽
ON响应
损耗
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
t
ON
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出的开关关闭。
“ON”时间“关”的时间或测量
两个开关的90 ％的点之间，
从一个地址状态切换到何时
另一种。 （ ADG713只） 。
衡量无用信号的耦合
通过从一个频道到另一个为
寄生电容的结果。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的开关。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
时的频率输出为衰减
3分贝ated 。
“ON”的开关的频率响应。
跨越“ON”的开关的电压降，
看到的关于响应与频率图
有多少分贝的信号距离
0分贝在非常低的频率。
典型性能特性
6
5.5
5
4.5
4
3.5
V
DD
= +4.5V
V
DD
= +2.7V
T
A
= +25 C
6
5.5
5
4.5
4
3.5
R
ON
–
V
DD
= +3V
+85 C
+25 C
R
ON
–
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
V
DD
= +3V
3
2.5
–40 C
2
1.5
1
0.5
0
V
DD
= +5V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - 伏特
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - 伏特
3
图1.电阻V的功能
D
(V
S
)
图2.导通电阻V的功能
D
(V
S
）的
不同温度V
DD
= 3 V
第0版
–5–
CMOS低压， 4 Ω四，
SPST开关
ADG711/ADG712/ADG713
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
低导通电阻（ Ω 2.5典型值）
低导通电阻平坦度
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
16引脚TSSOP和SOIC封装
快速开关时间：吨
ON
= 16纳秒，T
关闭
± 10纳秒
典型功耗（ < 0.01 μW ）
TTL / CMOS兼容
通过汽车应用认证
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
IN4
D4
IN4
D4
D3
S4
IN4
00042-001
功能框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
D4
S1
IN1
D1
S2
D2
S3
S1
ADG711
IN3
ADG712
ADG713
应用
USB 1.1信号开关电路
手机
掌上电脑
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
开关所对于逻辑“ 1 ”输入
图1 。
概述
该
ADG711 ， ADG712 ，
和
ADG713
是单片CMOS
包含四个独立可选的开关设备。这些
开关采用先进的亚微米工艺设计的
具有低功耗，高开关速度，低
上电阻，低泄漏电流和高带宽。
他们的目的是从一个单一的1.8 V至5.5 V电源供电，
使它们非常适合于电池供电的仪器和使用
随着新一代ADI公司的DAC和ADC ，
公司快速的开关时间和高带宽使部分
合适的用于切换USB 1.1的数据信号和视频信号。
该
ADG711 ， ADG712 ，
和
ADG713
包含四个独立的
单刀/单掷（ SPST）开关。该
ADG711
和
ADG712
不同之处仅在于，数字控制逻辑被反转。该
ADG711
开关导通与逻辑低上的相应
控制输入端，而逻辑高才能接通开关
的
ADG712.
该
ADG713
有两个开关的数字
控制逻辑是类似的
ADG711,
而逻辑反相
在其它两个开关。
每个开关导电性能相同，在两个方向上的时候。该
ADG713
展品先开后合式开关动作。
8.
该
ADG711/ADG712/ADG713
采用16引线TSSOP封装
和16引脚SOIC封装。
产品亮点
1.
1.8 V至5.5 V单电源供电。
该
ADG711 ， ADG712 ，
和
ADG713
提供高性能
并完全指定，并保证有3 V和5 V
电源轨。
非常低R
ON
（ 4.5 Ω最大为5 V ， 8 Ω最大为3 V ） 。
以1.8 V，R 1电源电压
ON
是在通常为35 Ω
温度范围。
低导通电阻平坦度。
-3 dB带宽>200兆赫。
低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
快速吨
ON
/t
关闭
.
先开后合式开关。
这可以防止当开关通道短路
配置为一个多路转换器（仅ADG713 ） 。
16引脚TSSOP和16引脚SOIC两种封装。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
版本B
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ADG711/ADG712/ADG713
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ........................................ 9
术语................................................. ................................... 11
应用信息................................................ .............. 12
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 14
汽车产品................................................ ................. 14
修订历史
6月11日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
更改功能部分.............................................. .............. 1
更改绝对最大额定值表............................. 5
更改订购指南.............................................. ............ 14
新增汽车产品第.......................................... 14
3月4日 - 修订版。 0到版本A
添加应用程序................................................ .......................... 1
更改订购指南.............................................. .............. 4
更新的外形尺寸............................................... ........ 10
版本B |第16页2
ADG711/ADG712/ADG713
特定网络阳离子
V
DD
= + 5V ±10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG713 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
C
D
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
2.5
4
4.5
0.05
0.3
1.0
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
=最大
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图11
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
见图12
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
见图12
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V
见图13
0.5
±0.2
±0.2
±0.2
2.4
0.8
0.005
±0.1
11
16
6
10
6
1
3
58
78
90
200
10
10
22
0.001
1.0
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图15
V
S
= 2 V ;
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;参见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图19
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
1
通过设计保证，不受生产测试。
版本B |第16页3
ADG711/ADG712/ADG713
V
DD
= 3 V± 10 ％ ， GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG713 ）
电荷注入
关断隔离
1
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
5.5
8
0.3
2.5
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
=最大
测试条件/评论
5
0.1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图11
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V
见图12
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/ 3 V
见图12
V
S
= V
D
= 1 V或3V的
见图13
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.2
±0.2
±0.2
2.0
0.4
0.005
±0.1
13
20
7
12
7
1
3
58
78
90
200
10
10
22
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ;参见图15
V
S
= 1.5 V ;
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;参见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图19
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
C
D
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
1
通过设计保证，不受生产测试。
版本B |第16页4
ADG711/ADG712/ADG713
绝对最大额定值
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟，数字输入
1
等级
0.3 V至6 V
0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
第一次
30毫安
百毫安（脉冲为1毫秒，
10 ％占空比的最大值）
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
430毫瓦
150°C/W
27°C/W
520毫瓦
125°C/W
42°C/W
215°C
220°C
260(+0/5)°C
20秒40秒
2千伏
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
只有一个绝对最大额定值可以在任何应用
一度。
连续电流，S或D
峰值电流，S或D
工作温度范围
存储温度范围
结温
TSSOP封装，功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
SOIC封装，功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
焊接温度，焊接
气相（60秒）
红外（ 15秒）
焊接（无铅）
回流焊，峰值温度
在峰值温度的时间
ESD
1
ESD警告
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。电流
应限制在给定的最大额定值。
版本B |第16页5
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