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APW7061
同步降压PWM控制器
特点
快速瞬态响应
- 0 85 %的占空比
出色的输出电压调节
- 0.8V内部参考
- ± 1 %,在线路电压和温度
概述
该APW7061是一个电压模式,同步PWM
续辊驱动双数控hannel的MOSFET 。它
集成了T他 ONT ROLS ,监控和PROTEC化
FUNCT离子成一个单一的软件包,它提供了1
ontrolled功率输出的才智轰下压,
过电流保护。
APW7061提供了极好的调节了输出负载
变化。内部0.8V温度补偿
参考电压被设计为满足各种低
输出电压的应用。
上电复位( POR)电路的VCC最低限额
opearting s upply电压,屁股茜的C ontroller
运作良好。过电流PROTEC化是实现
monit的或门T他年龄电压降交流ROS S中的低S IDE
的MOSFET ,省去了一个电流检测
电阻和短路条件被检测到,通过
FB引脚。过电流保护触发
软-start函数,直到故障事件被去除,
但欠压保护将关闭IC直接。
拉低于0.4V时将关闭吨COMP引脚他
控制器,以及两个栅极驱动信号将是低的。
内部软启动
- 典型2MS
过电流保护
- 检测低侧MOSFET的
DS ( ON)
欠压锁定
小尺寸转换器
- 250kHz的自由运行的振荡器
8引脚SOIC封装
无铅可用(符合RoHS )
应用
显卡
存储器电源
DSL或电缆调制解调器
机顶盒
低电压分布式电源
引脚配置
VCC
FB
COMP
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
LGATE
BOOT
UGATE
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权所有
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1
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APW7061
订购和标识信息
APW7061
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
APW7061 K:
APW7061
XXXXX
封装代码
K: SOP - 8
工作结点温度。范围
C: 070
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
无德: ANPEC LEA D- FRE EP RO管道合作ntain莫LD ING补偿渔隐DS / DI E将米吃里ALS和100 %雾TI NP拉忒
TE RMIN ATIO 科幻光洁度; Wh是ICH是满Y并发症iant用RO HS和COMPA tibl 无线个既锡的乐无广告出售ieri NG
运时代蒂奥纳秒。 AN PEC乐无广告的生产线中旅等我或超过日埃尔EAD - 免费REQ uireme的IPC / JEDEC J STD -02 0C NTS
FO MSL分类ficati上的LEA D- FRE EP EAK重FLO瓦特临时时代真实存在。
框图
VCC
GND
POWER- ON
RESET
BOOT
软启动
控制
V
CC
I
OCSET
250uA
UGATE
50%V
F
U.V.P
比较
:
2
PWM
比较
O.C.P
比较
V
CC
LGATE
错误
AMP
V
REF
三角形
WAVE
FB
COMP
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2
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APW7061
应用电路
12V
L1
1uH
R1
2R2
+
C1
470uF
16V
25mR
D1
1N4148
LGATE
BOOT
UGATE
8
7
6
5
8
7
6
5
4
C7
R4
620R
C8
0.01uF
0.1uF
L2
8
7
6
5
R6
0R
4
1
2
3
Q2
APM4220
2.2uH
R5
100R
D2
SR24
2A/40V
R7
2.32KF
1%
1
2
3
2.5V
Q1
APM4220
C2
4.7uF
+
C3
470uF
16V
25mR
+
C4
470uF
16V
25mR
/ SHDN
C5
1uF
1
2
3
4
R2
20K
C6
56pF
U1
APW7061
VCC
FB
COMP
GND
R3
0R
+
C9
1000uF
6.3V
30mR
+
C10
1000uF
6.3V
30mR
C11
4.7uF
C12
0.1uF
R8
1.07KF
1%
绝对最大额定值
符号
V
CC,
LGATE
参数
VCC和GND之间, LGATE到GND
等级
30
30
30
0~150
-65 ~ 150
300
±2
单位
V
V
V
o
o
o
V
引导,
UGATE引导至GND , UGATE到GND
相对于GND
工作结温
T
英镑
T
SDR
V
ESD
储存温度
焊接温度( 10秒)
最低ESD额定值
C
C
C
KV
推荐工作条件
符号
V
CC
V
BOOT
电源电压
启动电压
参数
分钟。
7
喃。
12
马克斯。
19
26
单位
V
V
热特性
符号
θ
JA
参数
结到环境阻力在自由空气中( SOP- 8 )
3
价值
160
单位
o
C / W
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APW7061
电气特性
除非otherswise规定,这些规范适用于在V
CC
= 12V, V
BOOT
= 12V和T
A
= 0 ~ 70
o
C.
Typlcal值是在T
A
= 25
o
C.
符号
电源电流
I
CC
I
BOOT
参数
测试条件
APW7061
典型值
2
2
7.0
6.6
7.2
6.8
250
3.0
1.3
1.7
0.80
-1
75
0
85
0.1
+1
7.4
7.0
280
最大
单位
VCC标称电源
BOOT标称电源
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
UGATE和LGATE开放
UGATE开放
mA
mA
V
V
千赫
V
V
V
P-P
V
%
dB
%
uA
mA
8
8
mA
nS
%
uA
上电复位
振荡器
F
OSC
自由运行频率
斜坡阈值上限
斜坡阈值下限
V
OSC
V
REF
斜坡幅度
参考电压
参考电压容差
误差放大器器
DC增益
UGATE职责范围
FB输入电流
栅极驱动器
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
T
D
上栅源
上栅漏
更低的栅极源
更低的栅极漏
死区时间
下FB电压电平
OCSET源电流
软启动和关机
T
SS
内部软启动间隔
关断阈值
关机迟滞
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4
V
CC
=12V
220
参考
V
BOOT
=12V, V
UGATE
=6V
I
UGATE
=0.3A
V
CC
=12V, V
LGATE
=6V
I
LGATE
=0.3A
650
550
800
4
700
4
30
保护
FB下降
50
250
2
COMP下降
0.4
50
mS
V
mV
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APW7061
功能引脚说明
VCC (引脚1 )
该引脚提供的电源电压的装置中,当
VCC的上升高于门限为4.2V ,该器件是
导通,并且convers伊利,当V CC的下面下降
下限阈值时,器件被关断。 1uF的
去耦电容到GND建议。
FB (引脚2 )
FB管脚是误差放大器的反相输入端,并
它接收来自外部的反馈电压
在输出电阻分压器(Ⅴ
OUT
) 。输出
电压由下式确定:
COMP (引脚3 )
该引脚是误差放大器的输出端。添加
external类型抗拒,和电容的净工作提供
环 ompensation为P WM onverter (S EE
应用索引离子的资料,请离子) 。
将此引脚拉至低于0.4V将关闭T他控制器
迫使UGATE和LGATE信号为0V。一
软ST技术的C ycle将是init时释放iated
该引脚。
PHASE (引脚5 )
电阻(R
OCSET
)连接这个引脚之间
低侧MOSFET的漏极将确定
过电流限制。 A N INT ernally产生250uA
电流源将流经该电阻,创造
的电压降。该电压将与被比较
两端的电压的低侧MOSFET 。门槛
的过电流限制,因此由下式给出:
R
V
OUT
=
0.8V
×
1
+
OUT
R
GND
其中R
OUT
从V的电阻连接
OUT
为FB ,
和R
GND
是接在FB和GND之间的电阻。
当FB电压低于50 %V
REF
时,会引起
欠压保护,关断器件。
除去叔,他康迪离子,然后重新启动VCC电压,
将再次启用该设备。
GND (引脚4 )
信号地的IC 。
UGATE (引脚6 )
该引脚提供栅极驱动的高边MOSFET 。
BOOT (引脚7 )
该引脚提供电源电压偏高
MOS FE T驱动程序。用于驱动逻辑电平N沟道
MOSEFT ,一靴陷波电路可以是使用以创建
合适的驱动程序的供应。
s
LGATE (引脚8 )
该引脚提供用于低侧栅极驱动信号
MOSFET。
I
极限
=
250
A
×
R
OCSET
R
DS ( ON)
过电流康迪特离子将CY CLE软s挞
FUNCT离子UNT金正日的过流状态消除。
的比较器的延迟时间,因为,这样的时间
低侧的MOSFET必须比了800ns长
具有过电流保护工作。
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