APW1175
双同步DC / DC控制器与均流控制
特点
两种操作模式
- 独立操作
- 两相工作与均流
概述
该APW1175是一个两相，同步，和电压
模式PWM控制器，提供双通道或单通道
在两种不同的操作模式输出。独立
模式中，两个PWM变换器提供两个独立地
稳压电压通过转换一个共同的或两种不同
在功率输入。在两相模式，两个PWM CON-
变流器供应商之一稳压电压，可编程
流控制通过将一个普通两
不同的电源输入。两相模式可以提供
较大的功率比设置在每个单个信道。
APW1175具有内部300KHz的振荡器， VCC
上电复位（ POR ） ，外部可调软启动
和可编程输出电流限制为50％的fold-
回来了。这两个PWM控制器180
o
出的相位，以
最大限度地减少输入纹波（共电源输入）和
输出纹波（两相模式）。
驱动N沟道MOSFET
为300kHz恒定频率工作
内置反馈补偿
- 电压模式PWM控制
- 快速瞬态响应
±
1 ％ VREF准确度温度
可调输出电压由一个外部电阻器
分频器
相移切换器，以降低纹波
有50％的折返电流限制
软启动和使能功能
上电复位（ POR ）监视器
电源良好监视器输出
引脚说明
VR EF
+ IN 2
-IN 2
VC
L2-
L2 +
BST2
DH2
12
PGN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
应用
显卡
DDR内存
SSTL - 2终止
电源要求两路输出
GN
PW GD
-IN 1
SS / EN一
L1-
L1 +
BST1
DH1
L1
BSTC
订购和标识信息
)29 %#
无铅代码
处理代码
TEM页。 法兰
封装代码
封装代码
K： SO P- 20
TEM页。 法兰
C： 070 ℃下
处理代码
TU ：管
TR ：磁带& 鳗鱼
无铅代码
L：铅免费D evice
空白：O型rginal设备
XXXXX - 日期代码
APW 1175 K：
APW 1175
XXXXX
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
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APW1175
框图
VREF
-IN1
CL1-
CL1+
BSTC
硕士错误
扩音器
R
Q
S
V
CL1
BST1
DH1
PWRGD
V
REF
1.25V
R
Q
S
DL1
0.125V
0.125V
OSC
300KHZ
GND
VCC
POWER- ON
复位（ POR ）
0.125V
软启动
控制
4V
25uA
BST2
S
Q
R
DH2
DL2
保护地
SS / ENA
从站错误
扩音器
V
CL2
+IN2
-IN2
CL2-
CL2+
绝对最大额定值
VCC和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V 15V
PGND到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 1V
BST到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V 22V
结温。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C ~ 150
o
C
焊接温度。 。 。 300
o
C， 10秒
最低ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 ± 3kV的
工作条件
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.2V 15V
BST 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V 17V
环境温度范围。 。 。 0
o
C至85
o
C
结温范围。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
热特性
符号
R
JA
参数
在自由空气的热阻
SOIC
SOIC （与铜的3英寸）
等级
75
65
单位
° C / W
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APW1175
电气特性
除非另有说明，这些规格适用于VCC = 4.75 5.25V ， GND地线= = 0V ，而T
)
=0~85°C.
典型值是指给T
)
=25°C.
S YM B○升
P ARAM ETER
测试C 0 N D ITIO N s个
AP W 1175
米
典型值
9
2.8
1.6
米斧
加利IT
的SuI P P LY ú R R简牛逼
I
C C
I
BST
I
B S T 1,2
V
C C
S upply光凭目前
B S T （C S） upply光凭目前
B S T 1,2 S upply光凭目前
V
C C
= 5 15V ，女
S·C
= 300K
B S T C = 5V ，D L1,2 = O笔，
F
S·C
= 300K
B S T 1,2 = 10V ，深高1,2 = O笔，
F
S·C
= 300K
V
C C
伊辛
270
DH1
DH2
80
mA
mA
mA
P 2 O宽E -O n个R （E S） （E T）
V
C C
P 2 O 牛逼hreshold电压
S·C IL l位于
F
OSC
scillator F Characteristic低频
M的Axim嗯 UTY ycle
3.6
300
90
100
1.1
35
0.5
4.2
330
V
千赫
%
V
dB
上午P A M波幅
V
OSC
R R AM P L IF IE浏览器
A
OL
RROR A M plifier电压摹泉
输入B IAS光凭目前
输入电压= 1.25V
（ -IN 1 ， + IN 2 ， -IN 2 ）
F é 简权证V LTAG ê
V
REF
指南电压
V
F
负载R egulation
V
F
线R egulation
M在1 easure P
I
F
= 1m的情况
V
C C
= 5~15V
1
0.5
1
0.5
1
0.5
1
0.5
50
60
V
O u那样牛逼
=0 V
电路）
（请参阅
to
AP皱襞TIO N
1.25
1.238
1
A
1.250
3.5
1.262
V
mV
0.5
%
A
A
A
A
P女男C 0 NT· R 0 L L é R 5摹达E ，D R IV E R 5
B S T ^ h -D H = 5V
H S测定环境允许
B S T ^ h -D H = 2.5V
深高-P G N D = 3.5V
深高水墨
深高-P G N D = 1.75V
B S T L-D L = 5V
平负S环境允许
B S T L-D L = 2.5V
L-P G N D = 3.5V
平负水墨
L-P G N D = 1.75V
EAD蒂姆· ê
ú R R简T L IM IT P ，R 0 T E （C T） IO
V
CL
光凭目前林其电压
F老B的ACK光凭目前
F老B的ACK电压东东
S 0 F T -S TAR牛逼
I
SS
S经常-S挞光凭目前
S经常-S挞转型
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200
70
50%
V
OUT
25
3.3
80
nS
mV
I
LIM
V
A
V
I=I
LIM
（参考应用电路）
V
S S
=1V
S ynchronous P女男
3
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APW1175
电气特性续。
符号
电源良好
上-IN1阈值
??低阈值IN1
上?? IN2阈值
低?? IN2阈值
PWRGD电压低
I
PWRGD
=-5mA
110%
90%
V
+IN2
+0.1V
REF
90%
0.8
V
REF
V
REF
V
V
REF
V
参数
测试条件
APW1175
民
典型值
最大
单位
功能引脚说明
VREF （引脚1 ）
内部1.25V参考电压。该引脚在内部
连接到所述主信道的正输入端
误差放大器。
+ IN2 （引脚2 ）
从通道误差放大器的正输入端。 CON-
NECT该引脚为1.25V基准（引脚1 ）为两
独立信道的配置。
-in2 ， -IN1 （引脚3 ， 18 ）
奴隶和主人误差放大器的负输入端。
VCC （引脚4 ）
该引脚连接到5V 15V的电源提供
偏压的控制电路。需要一个1uF的多层
陶瓷去耦电容到GND （引脚20 ） 。该
电压此引脚也监测上电
复位（ POR ）的目的。
CL2- ， CL2 + ， CL1 + ， CL1- （引脚5,6,15,16 ）
电流检测输入引脚。连接正极和
负输入端，输出电流检测电阻为
每个通道。电流限制比较每个
信道来限制输出电流，而差
正和negaive输入端之间的电压是
比为75mV参考越大。
一个RC滤波器所需的噪声抑制。
BST2 ， BST1 （引脚7,14 ）
电源输入的高边MOSFET驱动器。一个自举
带电路可以被用于泵启动电压。
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DH2 ， DH1 （引脚8,13 ）
高边MOSFET驱动器，提供强大的驱动电流
驱动每个高侧MOSFET 。串联一个小电阻
到MOSFET的栅极，也许需要对每一个引脚。
DL2 ， DL1 （引脚9,12 ）
低边MOSFET驱动器，提供强大的驱动电流
驱动每个低侧MOSFET 。串联一个小电阻
到MOSFET的栅极，也许需要对每一个引脚。
PGND （引脚10 ）
电源的接地连接。所述销提供的路径
回报栅极驱动电流。
BSTC （引脚11 ）
该引脚提供电源电压的低侧MOSFET
驱动程序。
SS / ENA （引脚17 ）
此引脚与ground.This连接一个电容
电容器，以及一个内部25uA电流源
设置在软启动的时间间隔，以防止从所述输出
过冲以及限制输入电流。把这
引脚拉至低于1.4V关机输出
PWRGD （引脚19 ）
电源良好信号输出引脚。该引脚为（集电极）开路
器输出，该输出被拉低，如果输出电压是输出
侧电源良好窗口。
GND （引脚20 ）
信号接地的控制电路。所有电压等级
测量相对于该引脚。
QQ：2880707522 复制
