APT10050B2VR
1000V
21A 0.500
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应,
增加填充密度,并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门,通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
更快的开关
低漏
100 %雪崩测试
新的T- MAX 封装
(夹式TO- 247封装)
G
D
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT10050B2VR
单位
伏
安培
1000
21
84
±30
±40
520
4.16
-55到150
300
21
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
1000
21
0.500
25
250
±100
2
4
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5614修订版B
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安)
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10050B2VR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
6600
595
290
335
29
165
16
13
59
8
7900
830
430
500
45
250
32
26
90
16
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
21
84
1.3
960
22
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 11.34mH , R = 25Ω ,峰值I = 21A
j
G
L
5
这些尺寸等于TO- 247AD无安装孔
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.3
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
0.005
0.01
单脉冲
PDM
0.01
注意:
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5614修订版B
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT10050B2VR
50
I
D
,漏极电流(安培)
VGS = 5.5V , 10V 15V &
I
D
,漏极电流(安培)
50
40
40
VGS = 5.5V , 10V 15V &
30
5V
30
5V
20
4.5V
10
4V
0
100
200
300
400
500
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图2 ,典型输出特性
0
20
4.5V
10
4V
0
4
8
12
16
20
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,典型输出特性
0
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
50
I
D
,漏极电流(安培)
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
1.3
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
40
1.2
30
1.1
20
TJ = -55°C
10
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
VGS=10V
VGS=20V
1.0
0
2
4
6
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,一般传输特性
25
I
D
,漏极电流(安培)
0.9
0
10
20
30
40
50
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
20
15
10
5
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
2.5
V
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
0.85
-50
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
1.5
0.9
0.8
0.7
050-5614修订版B
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
0.6
-50
APT10050B2VR
100
I
D
,漏极电流(安培)
50
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
10S
100S
30,000
10,000
C,电容(pF )
10
5
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
1mS
5,000
西塞
科斯
1,000
500
CRSS
.1
1
5 10
50 100
500 1000
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
,反向漏电流(安培)
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
100
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
20
16
VDS=100V
12
VDS=200V
8
VDS=500V
10
5
4
100
200
300
400
500
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
T- MAX 封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
5
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
4.50 ( 0.177 )最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-5614修订版B
5.45 ( 0.215 ) BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个: 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058