APTM100U13S
单开关
系列&并联二极管
MOSFET功率模块
SK
CR1
D
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 130mΩ (典型值) @ TJ = 25°C
I
D
= 65A @ T C = 25°C
应用
电机控制
开关电源
不间断电源
S
Q1
G
特点
功率MOS V
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–5
APTM100U13S - 修订版2005年7月2日
最大额定值
1000
65
48
260
±30
145
1250
17
50
2500
单位
V
A
V
m
W
A
APTM100U13S
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
GSS
测试条件
民
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
V
GS
= 0V,V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V,V
DS
= 800V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
最大
100
400
145
4
±200
单位
A
m
V
nA
V
GS
= 10V ,我
D
= 32.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 10毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
130
2
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
R
thJC
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
结到外壳
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 500V
I
D
= 65A
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 667V
I
D
= 65A
R
G
= 1.5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 667V
I
D
= 65A ,R
G
= 1.5
电感式开关@ 125°C
民
典型值
26.4
2.38
1.16
1340
116
660
20
20
125
40
2.6
1.6
4.2
1.82
最大
31.6
3.32
1.72
2000
180
1000
单位
nF
nC
ns
J
J
0.1
° C / W
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 667V
I
D
= 65A ,R
G
= 1.5
串联二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F( A V )
V
F
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
测试条件
V
R
=200V
占空比为50%
民
200
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 80°C
典型值
最大
350
600
单位
V
A
A
I
F
= 120A
I
F
= 240A
I
F
= 120A
I
F
= 120A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
120
1.1
1.4
0.9
31
60
120
500
1.15
V
Q
rr
R
thJC
反向恢复电荷
结到外壳
nC
0.46
° C / W
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t
rr
反向恢复时间
ns
APTM100U13S
并联二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F( A V )
V
F
t
rr
Q
rr
R
thJC
符号
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
结到外壳
特征
民
2500
-40
-40
-40
3
典型值
测试条件
V
R
=1000V
占空比为50%
民
1000
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 40°C
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
I
F
= 100A
I
F
= 200A
I
F
= 100A
I
F
= 100A
V
R
= 667V
的di / dt = 200A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
100
1.9
2.2
1.7
300
360
800
4050
2.5
V
ns
nC
0.6
最大
150
125
100
1.2
5
400
° C / W
单位
V
°C
牛米
g
热和包装特点
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
M4
M6
J3封装外形
(单位:mm )
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APTM100U13S
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
0.12
热阻抗( ℃/ W)
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间(秒)
1
10
低电压输出特性
200
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=15V
5V
Transfert特点
200
V
DS
& GT ;我
D
(上) xR的
DS
(上)最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
150
100
150
100
50
0
4.5V
50
4V
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
0
0
5
10
15
V
DS
,漏源极电压( V)
R
DS
( ON)与漏电流
V
GS
=10V
20
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
直流漏电流与外壳温度
70
I
D
,直流漏电流( A)
200
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度( ° C)
150
R
DS
(上)漏源导通电阻
1.30
归一
V
GS
= 10V @ 32.5A
1.20
1.10
V
GS
=20V
1.00
0.90
0
50
100
150
I
D
,漏电流( A)
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APTM100U13S
R
DS
(上) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
击穿电压与温度
BV
DSS
,漏源击穿
电压(归)
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
阈值电压与温度
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
栅极电荷VS门源电压
18
V
GS
,门源电压( V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
500
1000
1500
栅极电荷( NC)
2000
V
DS
=200V
V
DS
=800V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
在电阻与温度
V
GS
=10V
I
D
=32.5A
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
电容VS漏极至源极电压
西塞
100000
C,电容(pF )
10000
科斯
1000
CRSS
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
源极到漏极二极管的正向电压
V
DS
=500V
I
DR
,反向漏电流( A)
I
D
=65A
T
J
=25°C
1000
100
T
J
=150°C
10
T
J
=25°C
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
V
S.D。
,源极到漏极电压( V)
工作频率与漏电流
250
200
频率(kHz )
150
100
50
0
10
20
30
40
50
I
D
,漏电流( A)
60
V
DS
=667V
D=50%
R
G
=1.5
T
J
=125°C
T
C
=75°C
ZVS
ZCS
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息,这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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