APTGV15H120T3G
全 - 桥
NPT &沟道+场站
IGBT
电源模块
沟内&场站
IGBT Q1 ， Q3 ：
V
CES
= 1200V ;我
C
= 15A @ T = 80℃
快速NPT IGBT Q2 ， Q4 ：
V
CES
= 1200V ;我
C
= 15A @ T = 80℃
13 14
应用
CR3
Q3
11
10
Q1
18
19
CR1
太阳能转换器
特点
22
23
Q2
7
8
CR4
Q4
26
27
CR2
Q2 ， Q4 （ FAST非穿通（ NPT ） IGBT ）
- 开关频率高达50 kHz的
- RBSOA & SCSOA评分
- 低尾电流
Q1 ， Q3 （海沟&场截止IGBT
)
- 低电压降
- 开关频率高达20 kHz的
- RBSOA & SCSOA评分
- 低尾电流
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
4
3
29
15
30
31
R1
32
16
顶部开关：沟道+场站IGBT
底部开关：
快速NPT IGBT
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
好处
优化的传导&开关损耗
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源和信号端子可焊
为便于PCB安装
低调
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
13/14 ; 15/16 ; 26/27 ; 31/32
2007年6月，
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-9
APTGV15H120T3G - 牧师0
APTGV15H120T3G
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
R
thJC
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
结到外壳热阻
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
=15A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 15A
R
G
= 33
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 15A
R
G
= 33
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 15A
T
j
= 125°C
R
G
= 33
民
典型值
1000
150
70
99
10
70
60
50
315
30
60
50
356
40
2
mJ
1
0.9
° C / W
最大
单位
pF
nC
ns
ns
2.2底二极管特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
R
thJC
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
I
F
= 15A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
I
F
= 15A
V
R
= 800V
的di / dt = 200A / μs的
民
1200
典型值
最大
100
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
V
R
=1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
15
2.8
3.4
2.4
240
290
260
960
3.3
V
反向恢复时间
反向恢复电荷
结到外壳热阻
ns
nC
2
° C / W
2007年6月，
4-9
APTGV15H120T3G - 牧师0
3.温度传感器
NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
www.Microsemi.com
APTGV15H120T3G
四，包装特点
符号
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
150*
125
100
4.7
110
单位
V
°C
牛米
g
TJ = 175 ℃的海沟&场截止IGBT
5. SP3封装外形（单位mm）
1
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
6.顶部开关曲线
6.1顶沟道+场站IGBT
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
30
T
J
= 125°C
V
GE
=17V
V
GE
=13V
30
25
I
C
(A)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
I
C
(A)
15
10
5
0
V
GE
=9V
2.5
3
3.5
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
www.Microsemi.com
5-9
APTGV15H120T3G - 牧师0
2007年6月，
17
12
28
25
20
V
GE
=15V
APTGV15H120T3G
全 - 桥
NPT &沟道+场站
IGBT
电源模块
沟内&场站
IGBT Q1 ， Q3 ：
V
CES
= 1200V ;我
C
= 15A @ T = 80℃
快速NPT IGBT Q2 ， Q4 ：
V
CES
= 1200V ;我
C
= 15A @ T = 80℃
13 14
应用
CR3
Q3
11
10
Q1
18
19
CR1
太阳能转换器
特点
22
23
Q2
7
8
CR4
Q4
26
27
CR2
Q2 ， Q4 （ FAST非穿通（ NPT ） IGBT ）
- 开关频率高达50 kHz的
- RBSOA & SCSOA评分
- 低尾电流
Q1 ， Q3 （海沟&场截止IGBT
)
- 低电压降
- 开关频率高达20 kHz的
- RBSOA & SCSOA评分
- 低尾电流
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
4
3
29
15
30
31
R1
32
16
顶部开关：沟道+场站IGBT
底部开关：
快速NPT IGBT
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
好处
优化的传导&开关损耗
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源和信号端子可焊
为便于PCB安装
低调
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
13/14 ; 15/16 ; 26/27 ; 31/32
2007年6月，
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-9
APTGV15H120T3G - 牧师0
APTGV15H120T3G
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
R
thJC
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
结到外壳热阻
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
=15A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 15A
R
G
= 33
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 15A
R
G
= 33
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 15A
T
j
= 125°C
R
G
= 33
民
典型值
1000
150
70
99
10
70
60
50
315
30
60
50
356
40
2
mJ
1
0.9
° C / W
最大
单位
pF
nC
ns
ns
2.2底二极管特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
R
thJC
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
I
F
= 15A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
I
F
= 15A
V
R
= 800V
的di / dt = 200A / μs的
民
1200
典型值
最大
100
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
V
R
=1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
15
2.8
3.4
2.4
240
290
260
960
3.3
V
反向恢复时间
反向恢复电荷
结到外壳热阻
ns
nC
2
° C / W
2007年6月，
4-9
APTGV15H120T3G - 牧师0
3.温度传感器
NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
www.Microsemi.com
APTGV15H120T3G
四，包装特点
符号
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
150*
125
100
4.7
110
单位
V
°C
牛米
g
TJ = 175 ℃的海沟&场截止IGBT
5. SP3封装外形（单位mm）
1
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
6.顶部开关曲线
6.1顶沟道+场站IGBT
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
30
T
J
= 125°C
V
GE
=17V
V
GE
=13V
30
25
I
C
(A)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
I
C
(A)
15
10
5
0
V
GE
=9V
2.5
3
3.5
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
www.Microsemi.com
5-9
APTGV15H120T3G - 牧师0
2007年6月，
17
12
28
25
20
V
GE
=15V
QQ：2881677436 复制
