A8439
照片FL灰电容充电器
带IGBT驱动器和刷新
特点和优点
电力与1锂离子或2碱性/镍氢/镍镉电池
可调输出电压
自动刷新
>75 ％的效率
八级，数字可编程电流限制
充电完成指示
集成的IGBT驱动器与触发器
不需要一次侧肖特基二极管
薄型封装（ 0.75 mm标称高度）
描述
该A8439是一款高度集成的IC，可收取照相闪光灯
电容数字和胶片相机。集成MOSFET
开关驱动变压器的反激式拓扑。这也
特点是便于快速集成的IGBT驱动器
放电功能并节省电路板空间。
CHARGE（充电）引脚使A8439并启动充电
的输出电容器。当指定的输出电压为
到达时， A8439会停止充电，直到充电引脚
再次触发时，或当输出电压下降到低于90％的
指定的值。拉CHARGE引脚为低电平停止了
充电。 DONE引脚是当漏极开路指示器
指定的输出电压就达到了。
峰值电流限制可调节至8不同水平
270毫安和1.4之间，由时钟CHARGE（充电）引脚。
这使用户可以在低电池甚至在操作闪光灯
电压。
该A8439可以用两个碱性/镍氢/镍镉蓄电池或一种使用
单节Li +电池连接到变压器初级。
将VIN引脚连接到3.0至5.5 V电源供电，它可以是
为系统导轨或锂离子电池，如果使用的话。
的A8439可在一个非常低的轮廓（ 0.75mm）组合-10-
端子3 ×3毫米MLP / TDFN封装，使其成为理想的
空间受限的应用。它是铅（Pb ）免费，以100 ％
雾锡电镀引脚框。
应用程序包括以下内容：
数码相机闪光灯
胶片相机闪光灯
手机闪存
紧急频闪灯
包装： 10引脚TDFN / MLP （后缀EJ ）
近似规模
典型应用
V
BIAS
3.0 5.5 V
两节碱性/镍氢/镍镉蓄电池或1节Li +电池
或1.5 5.5 V
D1
V
BATT
T1
+
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
V
OUT
一个锂离子电池
V
BATT
或3.0至5.5 V
T1
D1
V
OUT
R1
R2
R4
R1
R2
100 k
COUT
R4
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
COUT
100 k
VIN
收费
SW
FB
VIN
收费
SW
FB
R5
10 k
A8439
DONE
TRIGGER
IGBTDRV
GND
R3
R5
C3
10 k
A8439
DONE
TRIGGER
IGBTDRV
GND
R3
C3
R6
以IGBT栅极
10 k
R6
以IGBT栅极
10 k
图1.典型的电路有独立的电源变压器
A8439 -DS修订版5
图2.典型电路单电源供电
A8439
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器和刷新
选购指南
10引脚TDFN / MLP
*联系快板额外的包装选项
产品型号
A8439EEJTR-T
包
包装*
1500件/ 7项。卷轴
绝对最大额定值
特征
SW引脚
IGBTDRV销
FB引脚
所有其他引脚
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
SW
V
IGBTDRV
V
FB
V
X
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
笔记
等级
-0.3 40
-0.3到V
IN
+ 0.3
-0.3到V
IN
-0.3 7
-40到85
150
-55到150
单位
V
V
V
V
C
C
C
封装热特性
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
4layer PCB ，基于JEDEC标准
评级单位
45
摄氏度/ W
*更多信息，请快板网站上。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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2
A8439
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器和刷新
功能框图
SW
VIN
DCM
比较
控制逻辑
CMP3
1.2 V
18 μs
H
→
L
触发定时器
CMP2
S
SET
Q
R
CLR
Q
Q
40 V
DMOS
I
LIM
比较
收费
I
LIM
解码器
可调整的
参考
启用
FB
CMP1
1.2 V
DONE
VIN
TRIGGER
IGBTDRV
GND
器件的引脚输出图
终端列表表
数
1,10
名字
NC
VIN
GND
收费
SW
功能
无连接
电源输入
接地装置
充电使能和ISWLIM码输入;设置为低功耗关断
在A8439
开关，内部连接到DMOS功率FET的漏极
开漏输出，当内部MOSFET拉低，表明
充电目标水平已经达到
输出电压反馈
NC
IGBTDRV
VIN
GND
收费
1
2
3
4
5
10 NC
9
8
7
6
FB
DONE
TRIGGER
SW
2
3
4
5
6
7
8
9
IGBTDRV IGBT驱动器栅极驱动输出
TRIGGER频闪信号输入
DONE
FB
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3
A8439
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器和刷新
电气特性
在T典型值
A
= 25° C和V
IN
= 3.3V （除非另有说明）
特征
电源电压*
电源电流
符号
V
IN
I
IN
I
SWLIM1
I
SWLIM2
I
SWLIM3
I
SWLIM4
I
SWLIM5
I
SWLIM6
I
SWLIM7
I
SWLIM8
R
DS（ON ） SW
I
SWLKG
t
关（ MAX）的
t
开（ MAX）的
I
收费
V
CHARGE （H ）
V
CHARGE （ L）
t
ILIM1(H)
t
ILIM （H ）
t
ILIM （L）的
t
ILIM （ SU ）
I
DONELKG
V
DONE （ L）
V
FB
I
FB
V
FBR
V
UVLO
V
UVLOHYS
32
μA
进入 针
DONE
V
FB
= 1.205 V
V
IN
升起
充电
充电完成/刷新监控
关机（V
收费
= 0 V, V
TRIGGER
= 0 V)
测试条件
分钟。
3
–
–
–
1.2
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2
–
20
0.2
0.2
–
–
–
1.187
–
–
2.55
–
–
–
–
2
–
–
–
–
–
典型值。
–
1.5
300
0.01
1.4
1.2
1.0
0.86
0.7
0.55
0.4
0.27
0.27
–
18
18
–
–
–
–
–
–
54
–
–
MAX 。单位
5.5
–
600
1
1.6
–
–
–
–
–
–
–
–
1
–
–
1
–
0.8
–
–
–
–
1
100
V
mA
μA
μA
A
A
A
A
A
A
A
A
Ω
μA
μs
μs
μA
V
V
μs
μs
μs
μs
μA
mV
V
nA
V
V
mV
Ω
Ω
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
原边电流限制
（在CHARGE引脚ILIM时钟输入）
SW导通电阻
SW漏电流*
SW最大断时间
SW最大导通时间
充电输入电流
充电输入电压*
ILIM时钟高电平时间
CHARGE引脚
ILIM时钟低电平时间
CHARGE引脚
总ILIM建立时间
输出漏电流*
DONE
输出低电压*
DONE
FB电压阈值*
FB输入电流
自动刷新门限电平
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
IGBT驱动器
IGBTDRV导通电阻为VIN
IGBTDRV导通电阻到GND
触发输入电流
V
IN
= 3.3 V，I
D
= 800毫安，T
A
= 25°C
V
SW
= 35 V
V
收费
= V
IN
初始脉冲
随后的脉冲
1.205 1.223
–120
–
1.07
–
2.65 2.75
150
–
5
6
–
–
–
30
30
70
70
–
–
1
–
0.8
–
–
–
–
R
DS（ON ）I -V
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V, V
TRIGGER
= V
IN
R
DS（ON ）I -G
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V, V
TRIGGER
= 0 V
I
TRIGGER
V
TRIGGER
= V
IN
V
触发器（H）的
触发输入电压*
V
触发器（L）的
传播延迟，瑞星
t
Dr
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
传播延迟，落
t
Df
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出上升时间
t
r
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出下降时间
t
f
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
*通过设计和特性在工作温度范围为-40° C至85°C保证。
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115东北托夫，箱15036
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4
A8439
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器和刷新
操作时序图
VIN
收费
SW
V
UVLO
目标V
OUT
V
OUT
DONE
TRIGGER
IGBTDRV
A
B
C
D
E
F
活动说明：
A.
B.
C.
D.
E.
F.
开始拉CHARGE高收费，前提是V
IN
是V以上
UVLO
的水平。
充电站时， V
OUT
达到目标电压。 变为低电平时，信号的
DONE
充电过程的完成。
开始一个新的充电过程，在所述充电端子由低到高的跳变。
拉CHARGE为低电平，将在低功耗待机模式的控制器。
未开始充电，因为V
IN
低于V
UVLO
级充电时变为高电平。
经过V
IN
那张高于V
UVLO
，在CHARGE引脚另一个低到高的过渡
开始充电需要。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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5
A8439
包装EJ ：
MLP / TDFN ， 3 × 3毫米
0.75 mm标称高度
照片FL灰电容充电器
带IGBT驱动器和刷新
特点
电力与1锂离子或2碱性/镍氢/镍镉电池
可调输出电压
自动刷新
>75 ％的效率
八级，数字可编程电流限制
充电完成指示
集成的IGBT驱动器与触发器
不需要一次侧肖特基二极管
薄型封装（ 0.75 mm标称高度）
大致比例为1 ： 1
该A8439是一款高度集成的IC，可收费
照相闪光灯电容数字和胶片相机。一
集成的MOSFET开关的驱动变压器
反激式拓扑。它还具有一个集成的IGBT
驱动程序，可提供闪光放电功能和
节省电路板空间。
CHARGE（充电）引脚使A8439并启动
充电输出电容。当指定的
输出电压达到时， A8439停止charg-
荷兰国际集团，直至CHARGE引脚被再次触发。拉
CHARGE（充电）引脚为低电平，停止充电。对D
一
销是指定时的漏极开路指示器
输出电压就达到了。
峰值电流限制可调节至8昼夜温差
之间270毫安至1.4 A，由时钟同的水平
CHARGE（充电）引脚。这允许用户以操作
闪光灯，即使在低电池电压。
该A8439可以用两个碱性/镍氢可用于/
镍镉蓄电池或一个单节Li +电池连接到
变压器的初级。将VIN引脚连接到3.0至
5.5 V电源，它可以为系统导轨或
锂离子电池，如果使用的话。
该A8439是提供一个非常低调
（ 0.75毫米） 10端子3 ×3毫米MLP / TDFN封装，
因此非常适合空间受限的应用。这是
铅（Pb ）免费，采用100％雾锡电镀引脚框。
应用
数码相机闪光灯
胶片相机闪光灯
手机闪存
紧急频闪灯
两节碱性/镍氢/镍镉蓄电池或1节Li +电池
或1.5 5.5 V
D1
V
BATT
T1
+
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
V
BIAS
3.0 5.5 V
V
OUT
R1
R2
COUT
R4
100 kΩ
VIN
SW
FB
收费
DONE
TRIGGER
GND
A8439
IGBTDRV
R3
C3
以IGBT栅极
图1.典型的电路有独立的电源变压器
一个锂离子电池
V
BATT
或3.0至5.5 V
T1
D1
V
OUT
R1
R2
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
COUT
R4
100 kΩ
VIN
SW
FB
收费
DONE
TRIGGER
GND
A8439
IGBTDRV
R3
C3
以IGBT栅极
图2.典型电路单电源供电
A8439 -DS ，第1版
A8439
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
功能框图
SW
DCM
比较
控制逻辑
CMP3
1.2 V
18 μs
VIN
H
→
L
触发定时器
CMP2
S
SET
Q
R
CLR
Q
Q
40 V
DMOS
I
LIM
比较
收费
I
LIM
解码器
可调整的
参考
启用
FB
CMP1
1.2 V
DONE
VIN
TRIGGER
IGBTDRV
GND
终端列表表
数
1,10
2
3
4
5
6
7
8
9
名字
NC
VIN
GND
收费
SW
功能
无连接
器件的引脚输出图
IGBTDRV IGBT驱动器栅极驱动输出
电源输入
接地装置
充电使能和ISWLIM码
输入;设置为低功耗关断的A8439
开关，内部连接到
DMOS功率FET的漏极
NC
IGBTDRV
VIN
GND
收费
1
2
3
4
5
10 NC
9
8
7
6
FB
DONE
TRIGGER
SW
TRIGGER频闪信号输入
DONE
FB
开漏输出，当内部拉低
MOSFET ，表示充电目标
水平已经达到
输出电压反馈
绝对最大额定值
输入或输出电压
SW引脚，V
SW
............................................................
-0.3 40 V
IGBTDRV针，V
IGBTDRV
..............................
-0.3到V
IN
+ 0.3 V
FB引脚，V
FB
...............................................................
-0.3到V
IN
所有其他引脚，V
x
......................................................
-0.3到7V的
工作环境温度，T
A
................................
-40 ° C至85°C
最高结温，T
J（下最大）
........................................
150°C
贮藏温度，T
S
..............................................
-55_C到150_C
封装热特性
R
θJA
= 45 ° C / W ，在4层电路板。更多信息
可在快板网站。
A8439 -DS ，第1版
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2
A8439
特征
电源电压*
电源电流
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
电气特性
在T典型值
A
= 25° C和V
IN
= 3.3V （除非另有说明）
符号
V
IN
I
IN
I
SWLIM1
I
SWLIM2
I
SWLIM3
I
SWLIM4
I
SWLIM5
I
SWLIM6
I
SWLIM7
I
SWLIM8
R
DS（ON ） SW
I
SWLKG
t
关（ MAX）的
I
收费
V
CHARGE （H ）
V
CHARGE （ L）
t
ILIM （H ）
t
ILIM （L）的
t
ILIM （ SU ）
I
DONELKG
V
DONE （ L）
V
FB
I
FB
V
UVLO
V
UVLOHYS
32
μA
进入 针
DONE
V
FB
= 1.205 V
V
IN
升起
充电
充电完成/刷新监控
关机（V
收费
= 0 V, V
TRIGGER
= 0 V)
测试条件
分钟。
3
–
–
–
1.2
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2
–
0.2
0.2
–
–
–
1.187
–
2.55
–
–
–
–
2
–
–
–
–
–
典型值。
–
1.5
300
0.01
1.4
1.2
1.0
0.86
0.7
0.55
0.4
0.27
0.27
–
18
–
–
–
–
–
60
–
–
MAX 。单位
5.5
–
600
1
1.6
–
–
–
–
–
–
–
–
1
–
1
–
0.8
–
–
–
1
100
V
mA
μA
μA
A
A
A
A
A
A
A
A
Ω
μA
μs
μA
V
V
μs
μs
μs
μA
mV
V
nA
V
mV
Ω
Ω
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
原边电流限制
（在CHARGE引脚ILIM时钟输入）
SW导通电阻
SW漏电流*
SW最大断时间
充电输入电流
充电输入电压*
ILIM时钟高电平时间
CHARGE引脚
ILIM时钟低电平时间
CHARGE引脚
总ILIM建立时间
输出漏电流*
DONE
输出低电压*
DONE
FB电压阈值*
FB输入电流
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
IGBT驱动器
IGBTDRV导通电阻为VIN
IGBTDRV导通电阻到GND
触发输入电流
V
IN
= 3.3 V，I
D
= 800毫安，T
A
= 25°C
V
SW
= 35 V
V
收费
= V
IN
1.205 1.223
–120
–
2.65 2.75
150
–
5
6
–
–
–
30
30
70
70
–
–
1
–
0.8
–
–
–
–
R
DS（ON ）I -V
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V, V
TRIGGER
= V
IN
R
DS（ON ）I -G
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V, V
TRIGGER
= 0 V
V
TRIGGER
= V
IN
I
TRIGGER
V
触发器（H）的
触发输入电压*
V
触发器（L）的
传播延迟，瑞星
t
Dr
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
传播延迟，落
t
Df
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出上升时间
t
r
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出下降时间
t
f
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
*通过设计和特性在工作温度范围为-40° C至85°C保证。
A8439 -DS ，第1版
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3
A8439
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
使用应用电路进行实验的图8所示
与我
SWLIM
设定为1.4A （CHARGE销单上升沿） ，除非另有说明
性能特点
充电波形
V
OUT
符号
C1
C4
t
条件
参数
V
OUT
I
BATT （AVG）
时间
参数
V
BATT
V
BIAS
C
OUT
单位/部门
50 V
200毫安
1s
价值
2.5 V
3.3 V
100
μF
I
BATT
C4
C1
t
V
OUT
符号
C1
C4
t
条件
参数
V
OUT
I
BATT （AVG）
时间
参数
V
BATT
V
BIAS
C
OUT
单位/部门
50 V
200毫安
1s
价值
3.6 V
3.3 V
100
μF
I
BATT
C4
C1
t
V
OUT
符号
C1
C4
t
条件
参数
V
OUT
I
BATT （AVG）
时间
参数
V
BATT
V
BIAS
C
OUT
单位/部门
50 V
200毫安
1s
价值
4.2 V
3.3 V
100
μF
I
BATT
C4
C1
t
A8439 -DS ，第1版
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4
A8439
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
性能特点，继续
使用应用电路进行实验的图8所示
与我
SWLIM
设定为1.4A （CHARGE销单上升沿） ，除非另有说明
充电时间
V
BIAS
= 3.3 V ，C
OUT
= 100
μF
连接VBATT到一个单独的电源
8
8
7
7
90
80
效率
V
BATT
= V
BIAS
, T
A
= 25°C
充电时间（s ）
充电时间（s ）
6
6
5
5
4
4
3
3
2
2
2.0
2
效率（％）
70
60
50
40
100
V
BATT
= 5.0 V
V
BATT
= 4.2 V
V
BATT
= 3.0 V
VV
==320 VV
OUT
OUT
320
VV
==300 VV
OUT
OUT
300
2.5
2.5
3
3.0
3.5
3.5
4
4.0
4.5
4.5
5
V
BATT
(V)
V
BATT
(V)
5.0
5.5
5.5
6
6.0
150
200
V
OUT
(V)
250
300
350
典型的开关波形
V
BATT
C3
V
OUT
符号
C1
C2
C3
C4
t
条件
参数
V
OUT
V
SW
V
BATT
I
主
时间
参数
V
OUT
V
BATT
单位/部门
50 V
10 V
5V
500毫安
2
μs
价值
300 V
V
IN
C2
V
SW
I
主
C4
C1
t
IGBT驱动时序定义
TRIGGER
50%
50%
t
Dr
t
r
90%
t
Df
t
f
90%
10%
IGBTDRV
10%
A8439 -DS ，第1版
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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