APTGT600A60G
相脚
沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
Q1
G1
V
CES
= 600V
I
C
= 600A * @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
低调
符合RoHS
E1
OUT
Q2
G2
E2
0/VBUS
G1
E1
VBUS
0/VBUS
OUT
E2
G2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 150°C
反向偏置安全工作区
1200A @ 550V
* IGBT元件，但输出电流的规范必须限制在500A至不超过温度更大的增量
高于100℃下的连接器。
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-5
APTGT600A60G - 版本1
2006年6月，
最大额定值
600
700 *
600 *
800
±20
2300
单位
V
A
V
W
APTGT600A60G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
民
典型值
最大
0.065
0.11
175
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
3-5
APTGT600A60G - 版本1
2006年6月，
APTGT600A60G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
120
100
80
60
40
20
0
0
200
400
600
I
C
(A)
800
1000
HARD
开关
ZCS
ZVS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=1
T
J
=150°C
二极管的正向特性
1200
1000
800
I
F
(A)
600
400
200
0
0
0.4
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
2
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
T
c
=85°C
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.12
热阻抗（ ℃/ W）
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
二极管
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APTGT600A60G - 版本1
2006年6月，
APTGT600A60G
相脚
沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
Q1
G1
V
CES
= 600V
I
C
= 600A * @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
低调
符合RoHS
E1
OUT
Q2
G2
E2
0/VBUS
G1
E1
VBUS
0/VBUS
OUT
E2
G2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
600
700 *
600 *
800
±20
2300
1200A @ 550V
单位
V
A
V
W
2007年12月，
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APTGT600A60G - 第2版
* IGBT元件，但输出电流的规范必须限制在500A至不超过温度更大的增量
高于100℃下的连接器。
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT600A60G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
民
典型值
最大
0.065
0.11
175
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上
www.Microsemi.com
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APTGT600A60G - 第2版
2007年12月，
APTGT600A60G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
1200
T
J
= 150°C
1200
1000
I
C
(A)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
1000
V
GE
=19V
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
800
600
400
200
800
I
C
(A)
600
400
200
T
J
=25°C
0
0
0.5
1
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
0
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
1200
1000
800
Transfert特点
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
40
35
30
E（兆焦耳）
25
20
15
10
5
0
11
0
200
400
600
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
1400
1200
宙
宙
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 1
T
J
= 150°C
EOFF
Er
I
C
(A)
600
400
T
J
=125°C
T
J
=150°C
200
0
5
6
7
8
V
GE
(V)
9
T
J
=25°C
10
800
1000 1200
开关损耗VS栅极电阻
40
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 600A
T
J
= 150°C
EOFF
30
E（兆焦耳）
1000
I
C
(A)
800
600
400
200
0
6
0
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=1
20
10
宙
Er
0
0
1
2
3
4
5
栅极电阻（欧姆）
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
(V)
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.07
热阻抗（ ℃/ W）
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.9
0.7
0.5
0.3
IGBT
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
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4-5
APTGT600A60G - 第2版
2007年12月，
APTGT600A60G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
120
100
80
60
40
20
0
0
200
400
600
I
C
(A)
800
1000
HARD
开关
ZCS
ZVS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=1
T
J
=150°C
二极管的正向特性
1200
1000
800
I
F
(A)
600
400
200
0
0
0.4
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
2
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
T
c
=85°C
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.12
热阻抗（ ℃/ W）
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
二极管
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5-5
APTGT600A60G - 第2版
2007年12月，
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