Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
ADS8509
SLAS324A - 2004年10月 - 修订2005年6月
16位250 KSPS串行CMOS采样模拟数字转换器
特点
250 - kHz的采样速率
4 -V , 5 V , 10 V ,± 3.33 V, ± 5 V和± 10 V输入
范围
± 2.0 LSB INL最大值
± 1 LSB DNL最大值, 16位无失码
SPI兼容的串行输出,带
菊花链( TAG )功能
单5V电源
引脚兼容ADS7809 (低速)
和12位ADS8508 / 7808
使用内部或外部基准
70 - mW的典型功耗为250 KSPS
20引脚SO和28引脚SSOP封装
简单的DSP接口
描述
该ADS8509是一个完整的16 - bit采样
模拟到数字采用先进设备,最先进的(A / D)转换器
CMOS结构。它包含一个完整的16位
电容型,逐次逼近寄存器
( SAR ) A / D转换器,采样和保持,为参考
单一模式,时钟和串行数据接口。数据可以是
使用输出的内部时钟,或者可以是
同步到外部数据时钟。该ADS8509
还提供了一个输出的同步脉冲为
缓和与标准的DSP处理器使用。
该ADS8509是在250 kHz的采样速率指定
在整个温度范围内。精密电阻器
提供各种输入范围包括± 10 V和0 V
到5伏,而新颖的设计允许操作
从单一的+ 5V电源与功耗
在100毫瓦。
该ADS8509可在20引脚SO和28引脚
SSOP封装,用于操作两个完全指定
在工业-40 ° C至85° C温度范围。
应用
工业过程控制
数据采集系统
数字信号处理
医疗设备
仪器仪表
逐次逼近寄存器
时钟
EXT / INT
9.8 k
R1
IN
4.9 k
R2
IN
2.5 k
R3
IN
帽
卜FF器
4 k
REF
10 k
华助会
忙
串行
数据
OUT
&放大器;
控制
DATACLK
数据
的R / C
SB / BTC
CS
PWRD
比较
国内
+2.5 V REF
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ,德州仪器
ADS8509
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SLAS324A - 2004年10月 - 修订2005年6月
封装/订购信息
(1)
产品
最低
相对的
准确性
( LSB )
NO
MISSING
CODE
最低
SINAD
( dB)的
规范
温度
范围
包
领导
包
代号
订购
数
ADS8509IBDW
ADS8509IBDWR
ADS8509IBDB
ADS8509IBDBR
ADS8509IDW
ADS8509IDWR
ADS8509IDB
ADS8509IDBR
运输
媒体, QTY
管, 25
磁带和卷轴, 2000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
管, 25
磁带和卷轴, 2000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
SO-20
ADS8509IB
±2
16
85
-40 ° C至85°C
SSOP-28
DW
DB
SO-20
ADS8509I
±3
15
83
-40 ° C至85°C
SSOP-28
DW
DB
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
单位
R1
IN
模拟输入
R2
IN
R3
IN
REF
DGND , AGND2
接地电压差
V
ANA
V
DIG
到V
ANA
V
DIG
数字输入
最高结温
存储温度范围
内部功耗
引线温度(焊接,从案例1.6毫米10秒)
(1)
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
±25 V
±25 V
±25 V
+V
ANA
+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V
±0.3 V
6V
0.3 V
6V
-0.3 V至+ V
DIG
+ 0.3 V
165°C
-65_C到150_C
700毫瓦
260°C
2
ADS8509
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电气特性
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5V ,使用内部基准和0.1% , 0.25 W的固定电阻(参见
图29
和
图30)
(除非另有规定编)
参数
决议
模拟量输入
电压范围
(1)
阻抗
(1)
电容
吞吐速度
转换周期
吞吐率
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
无失码
过渡噪声
(3)
满量程
错误
(4) (5)
± 10 V范围
所有其它范围
诠释。参考文献。用0.1%的外部
固定电阻器
诠释。参考文献。
分机。参考文献。用0.1%的外部
固定电阻器
EXT 。 REF 。
-10
±0.4
-5
-3
±2
1 μF电容CAP
-8
1
8
-8
5
3
-5
-3
±2
1
8
-0.5
-0.5
±2
10
-5
±0.4
5
3
mV
PPM /°C的
ms
-0.5
-0.5
±7
0.5
0.5
-0.5
-0.5
±2
5
-3
-2
15
1
0.5
0.5
-0.5
-0.5
±7
0.5
0.5
3
2
-2
-1
16
1
0.5
0.5
2
1
最低位
(2)
最低位
位
最低位
% FSR
PPM /°C的
% FSR
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
采集和转换
250
4
250
4
s
千赫
50
50
pF
测试条件
ADS8509I
民
典型值
最大
16
民
ADS8509IB
典型值
最大
16
单位
位
满量程误差漂移
满量程
错误
(4) (5)
± 10 V范围
所有其它范围
满量程误差漂移
双极性零误差
(4)
双极性零误差漂移
单极性零
错误
(4)
10 V范围
4 V和5 V
范围
单极零误差漂移
恢复后的额定精度
掉电
电源灵敏度
(V
DIG
= V
ANA
= V
D
)
AC精度
SFDR
THD
SINAD
无杂散动态范围
总谐波失真
信号与(噪声+失真)
信噪比
全功率带宽
(7)
采样动态
孔径延迟
瞬态响应
过压恢复
(8)
FS步骤
f
I
= 20千赫
f
I
= 20千赫
f
I
= 20千赫
-60 dB的输入
f
I
= 20千赫
83
83
90
4.75 V < V
D
< +5.25 V
最低位
99
-98
88
30
88
500
-90
95
99
-98
-93
dB
(6)
dB
dB
dB
dB
千赫
85
88
32
SNR
86
88
500
5
2
150
5
2
150
ns
s
ns
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
± 10 V , 0 V至5 V等(见
表3)
LSB是指至少有显著位。对于± 10 V输入范围,一个LSB为305 μV 。
在最坏的情况下,转换和温度下的典型均方根噪声。
测量与显示固定电阻器
图29
和
图30 。
调节到零与外部的电位器。工厂校准
用0.1% , 0.25瓦的电阻。
对于双极性输入范围,满度误差为-full规模或+满刻度未校准偏离理想的第一个和最后一个代码最坏的情况下
转换,由过渡电压(不是由满量程范围划分)划分,并包括偏移误差的影响。对于单极性输入
范围,满量程误差是最后一个码转换的过渡电压除以偏差。它还包括偏置效应
错误。
以dB为单位,所有规格均参考满量程± 10 V的输入。
全功率带宽定义为满量程输入频率处的信号与(噪声+失真)降低到60分贝。
经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。
3
ADS8509
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5V ,使用内部基准和0.1% , 0.25 W的固定电阻(参见
图29
和
图30)
(除非另有规定编)
参数
参考
内部参考电压
内部基准电压源电流
(必须使用外部缓冲器)
内部参考电压漂移
外部参考电压范围
对于规定的线性度
外部参考电流消耗
数字输入
逻辑电平
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高层次的输入电流
V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V
-0.3
2.0
0.8
V
DIG
+0.3 V
±10
±10
-0.3
2.0
0.8
V
DIG
+0.3 V
±10
±10
V
V
A
A
分机。 2.5 V参考。
2.3
空载
2.48
2.5
1
8
2.5
2.7
100
2.3
2.52
2.48
2.5
1
8
2.5
2.7
100
2.52
V
A
PPM /°C的
V
A
测试条件
ADS8509I
民
典型值
最大
民
ADS8509IB
典型值
最大
单位
数字输出
数据格式(串行16位)
数据编码(二进制2的COMP-
lement或直接二进制)
流水线延迟(重新转换
sults仅后的COM
完成的转换。 )
数据时钟(用于可选
内部或外部的数据时钟)
只有内部时钟(输出时
传输数据)
外部时钟(可运行continu-
盟友,但不建议
最佳性能)
V
OL
V
OH
低电平输出电压
高电平输出电压
漏电流
输出电容
电源
V
DIG
V
ANA
I
DIG
I
ANA
数字输入电压
模拟输入电压
数字输入电流
模拟输入电流
必须是
≤
V
ANA
4.75
4.75
5
5
4
10
5.25
5.25
4.75
4.75
5
5
4
10
5.25
5.25
V
V
mA
mA
EXT / INT低
EXT / INT高
0.1
9
26
0.1
9
26
兆赫
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 500 A
Hi-Z状态,
V
OUT
= 0 V到V
DIG
Hi-Z状态
4
±5
15
0.4
4
±5
15
0.4
V
V
A
pF
兆赫
功耗
PWRD低
PWRD高
温度范围
指定的性能
性能会下降
(9)
存储
热阻( θ
JA
)
SSOP
SO
62
46
62
46
° C / W
° C / W
-40
-55
-65
85
125
150
-40
-55
-65
85
125
150
°C
°C
°C
f
S
250千赫
70
50
100
70
50
100
mW
W
(9)
内部基准电压可能无法正确启动以后的工业温度范围( -40 ° C至85°C ) ,因此使用的
建议使用外部基准。
4
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时序要求,T
A
= -40 ° C至85°C
参数
t
w1
t
d1
t
w2
t
d2
t
d3
t
CONV
t
ACQ
t
CONV
+ t
ACQ
t
d4
t
c1
t
d5
t
d6
t
c2
t
w3
t
w4
t
su1
t
su2
t
d7
t
d8
t
d9
t
d10
t
su3
t
d11
t
su3
t
h1
脉冲持续时间,转换
延迟时间,距离的R / C低忙
脉冲持续时间,忙低
延迟时间,忙,结束后转换
延迟时间,光圈
转换时间
采集时间
周期
延迟时间,R / C低到内部DATACLK输出
周期时间,内部DATACLK
延迟时间,数据有效内部DATACLK高
延迟时间,数据经过内部DATACLK低有效
周期时间,外部DATACLK
脉冲持续时间,外部DATACLK高
脉冲持续时间,外部DATACLK低
建立时间,R / C上升/下降到外部DATACLK高
建立时间,R / C过渡到CS过渡
延迟时间, SYNC ,经过外部DATACLK高
延迟时间,数据有效
延迟时间, CS为上升沿
延迟时间,以前的数据后, CS ,R / C低可用
建立时间,忙过渡到第一个外部DATACLK
延迟时间,最后的外部DATACLK繁忙下降沿
建立时间,有效TAG
保持时间,有效TAG
0
2
15
20
35
15
15
15
10
3
2
10
2
5
1
35
20
t
C2
+ 5
270
110
35
35
1.8
4
5
5
2.2
民
40
6
20
2.2
典型值
最大
单位
ns
ns
s
ns
ns
s
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
s
ns
ns
DW包装
( TOP VIEW )
DB包装
( TOP VIEW )
20
VDIG
19
V
ANA
18
PWRD
17
忙
16
CS
15
的R / C
14
标签
13
数据
12
DATACLK
11
SYNC
R1IN
1
AGND1
2
R2IN
3
R3IN
4
帽
5
REF
6
AGND2
7
SB / BTC
8
EXT / INT
9
DGND
10
R1IN
1
AGND1
2
R2IN
3
R3IN
4
NC
5
帽
6
REF
7
NC
8
AGND2
9
NC
10
NC
11
SB / BTC
12
EXT / INT
13
DGND
14
28
VDIG
27
V
ANA
26
PWRD
25
忙
24
CS
23
NC
22
NC
21
的R / C
20
NC
19
标签
18
NC
17
数据
16
DATACLK
15
SYNC
5