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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第384页 > APTGT300SK60D3G
APTGT300SK60D3G
降压斩波
沟道+场站IGBT3
电源模块
3
V
CES
= 600V
I
C
= 300A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
沟道+场站IGBT3技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
高集成度
M6电源连接器
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
Q1
4
5
1
2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
600
400
300
600
±20
940
600A @ 520V
单位
V
A
V
W
2011年3月
1-5
APTGT300SK60D3G - 版本1
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT300SK60D3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 300A
T
j
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 4.8毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
1.5
1.7
5.8
最大
500
1.9
6.5
400
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
短路数据
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= ± 15V ，我
C
=300A
V
CE
=300V
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 300A
R
G
= 2.2Ω
电感式开关（ 150 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 300A
R
G
= 2.2Ω
V
GE
= ±15V
T
j
= 25°C
V
公共汽车
= 300V
T
j
= 150°C
I
C
= 300A
T
j
= 25°C
R
G
= 2.2Ω
T
j
= 150°C
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 360V
t
p
≤
6微秒;牛逼
j
= 150°C
民
典型值
18.5
1.2
0.5
3.2
110
50
490
50
130
60
530
70
3.1
3.3
12
12.5
1500
ns
最大
单位
nF
C
ns
mJ
A
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RRM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
I
F
= 300A
V
R
= 300V
I
F
= 300A
V
GE
= 0V
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
500
750
300
1.6
1.5
100
150
14.4
30.4
3.4
7.2
2
单位
V
A
A
V
ns
C
mJ
2011年3月
2-5
APTGT300SK60D3G - 版本1
的di / dt = 4800A / μs的
www.Microsemi.com
APTGT300SK60D3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
对于终端
散热器来
M6
M6
IGBT
二极管
4000
-40
-40
-40
3
3
民
典型值
最大
0.16
0.25
175
125
125
5
5
350
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
D3封装外形
（单位：mm ）
1°
A
细节
www.Microsemi.com
3-5
APTGT300SK60D3G - 版本1
2011年3月
APTGT300SK60D3G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
500
400
V
GE
=13V
T
J
= 150 ℃， V
GE
=19V
500
400
I
C
(A)
I
C
(A)
300
200
100
T
J
=25°C
T
J
=150°C
300
200
V
GE
=15V
V
GE
=9V
100
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
CE
(V)
Transfert特点
T
J
=25°C
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
能量损失VS集电极电流
25
20
E（兆焦耳）
15
10
5
0
Er
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.2
T
J
= 150°C
EOFF
500
400
300
200
100
0
5
I
C
(A)
T
J
=150°C
宙
6
7
8
V
GE
(V)
9
10
11
0
100
200
300
I
C
(A)
400
500
600
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
2.5
5
7.5
10
12.5
栅极电阻（欧姆）
15
Er
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 300A
T
J
= 150°C
EOFF
反向偏置安全工作区
700
600
500
I
C
(A)
400
300
200
100
0
0
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=2.2
宙
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.2
热阻抗（ ℃/ W）
IGBT
0.16
0.12
0.08
0.04
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
www.Microsemi.com
4-5
APTGT300SK60D3G - 版本1
2011年3月
APTGT300SK60D3G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
80
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=2.2
T
J
=150°C
二极管的正向特性
500
400
300
200
100
0
T
J
=150°C
T
J
=25°C
60
ZVS
ZCS
40
HARD
开关
20
0
0
100
200
I
C
(A)
300
400
I
F
(A)
T
c
=85°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.3
热阻抗（ ℃/ W）
二极管
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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5-5
APTGT300SK60D3G - 版本1
2011年3月
APTGT300SK60D3G
降压斩波
沟道+场截止IGBT
电源模块
3
V
CES
= 600V
I
C
= 300A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
沟道+场站IGBT技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
高集成度
M6电源连接器
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
Q1
4
5
1
2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
600
400
300
600
±20
940
600A @ 520V
单位
V
2008年9月，
1-5
APTGT300SK60D3G - 牧师0
A
V
W
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT300SK60D3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 300A
T
j
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 4.8毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
1.5
1.7
5.8
最大
500
1.9
6.5
400
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
短路数据
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= ± 15V ，我
C
=300A
V
CE
=300V
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 300A
R
G
= 2.2Ω
电感式开关（ 150 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 300A
R
G
= 2.2Ω
V
GE
= ±15V
T
j
= 25°C
V
公共汽车
= 600V
T
j
= 150°C
I
C
= 300A
T
j
= 25°C
R
G
= 2.2Ω
T
j
= 150°C
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 360V
t
p
≤
6微秒;牛逼
j
= 150°C
民
典型值
18.5
1.2
0.5
3.2
110
50
490
50
130
60
530
70
3.1
3.3
12
12.5
1500
ns
最大
单位
nF
C
ns
mJ
A
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RRM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
I
F
= 300A
V
R
= 300V
I
F
= 300A
V
GE
= 0V
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
500
750
300
1.6
1.5
100
150
14.4
30.4
3.4
7.2
2
单位
V
A
A
V
ns
C
mJ
2008年9月，
2-5
APTGT300SK60D3G - 牧师0
的di / dt = 4800A / μs的
www.Microsemi.com
APTGT300SK60D3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
对于终端
散热器来
M6
M6
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
3
民
典型值
最大
0.16
0.25
175
125
125
5
5
350
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
D3封装外形
（单位：mm ）
1°
A
细节
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3-5
APTGT300SK60D3G - 牧师0
2008年9月，
APTGT300SK60D3G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
500
400
V
GE
=13V
T
J
= 150 ℃， V
GE
=19V
500
400
I
C
(A)
I
C
(A)
300
200
100
T
J
=25°C
T
J
=150°C
300
200
V
GE
=15V
V
GE
=9V
100
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
CE
(V)
Transfert特点
T
J
=25°C
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
能量损失VS集电极电流
25
20
E（兆焦耳）
15
10
5
0
Er
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.2
T
J
= 150°C
EOFF
500
400
300
200
100
0
5
I
C
(A)
T
J
=150°C
宙
6
7
8
V
GE
(V)
9
10
11
0
100
200
300
I
C
(A)
400
500
600
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
2.5
5
7.5
10
12.5
栅极电阻（欧姆）
15
Er
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 300A
T
J
= 150°C
EOFF
反向偏置安全工作区
700
600
500
I
C
(A)
400
300
200
100
0
0
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=2.2
宙
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.2
热阻抗（ ℃/ W）
IGBT
0.16
0.12
0.08
0.04
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
www.Microsemi.com
4-5
APTGT300SK60D3G - 牧师0
2008年9月，
APTGT300SK60D3G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
80
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=2.2
T
J
=150°C
二极管的正向特性
500
400
300
200
100
0
T
J
=150°C
T
J
=25°C
60
ZVS
ZCS
40
HARD
开关
20
0
0
100
200
I
C
(A)
300
400
I
F
(A)
T
c
=85°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.3
热阻抗（ ℃/ W）
二极管
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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