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APTGT150DA120G
升压斩波
快速沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
V
CES
= 1200V
I
C
= 150A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
快速沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
CR1
OUT
Q2
G2
E2
0/VBUS
VBUS
0/VBUS
OUT
E2
G2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
1200
220
150
350
±20
690
300A @ 1150V
单位
V
A
V
W
2006年7月
1-5
APTGT150DA120G - 版本1
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT150DA120G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 3毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
5.0
民
典型值
1.7
2.0
5.8
最大
350
2.1
6.5
400
单位
A
V
V
nA
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 150A
R
G
= 2.2
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 150A
R
G
= 2.2
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 150A
T
j
= 125°C
R
G
= 2.2
民
典型值
10.7
0.56
0.48
280
40
420
75
290
45
520
90
14
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
16
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
r
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1200
典型值
最大
250
600
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
V
R
=1200V
I
F
= 150A
150
1.6
1.6
170
280
14
28
6
11
2.1
V
ns
C
mJ
APTGT150DA120G - 版本1
2006年7月
2-5
I
F
= 150A
V
R
= 600V
的di / dt = 2500A / μs的
www.Microsemi.com
APTGT150DA120G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
民
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
典型值
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
最大
0.18
0.30
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
M6
M5
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
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3-5
APTGT150DA120G - 版本1
2006年7月
APTGT150DA120G
典型性能曲线
300
250
I
C
(A)
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
300
T
J
= 125°C
T
J
=25°C
250
T
J
=125°C
V
GE
=17V
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
200
I
C
(A)
200
150
100
50
0
150
100
50
0
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
300
250
200
I
C
(A)
150
100
50
0
5
Transfert特点
32
T
J
=25°C
T
J
=125°C
能量损失VS集电极电流
28
24
E（兆焦耳）
20
16
12
8
4
0
0
50
100
150
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
350
300
250
I
C
(A)
EOFF
Er
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.2
T
J
= 125°C
EOFF
宙
T
J
=125°C
6
7
8
9
V
GE
(V)
10
11
12
200
250
300
开关损耗VS栅极电阻
34
30
26
E（兆焦耳）
22
18
14
10
6
2
0
2
4
6
8 10 12 14
栅极电阻（欧姆）
16
18
宙
Er
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 150A
T
J
= 125°C
宙
200
150
100
50
0
0
400
800
V
CE
(V)
1200
1600
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=2.2
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.2
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.16
0.7
0.12
0.5
0.08
0.04
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
www.Microsemi.com
4-5
APTGT150DA120G - 版本1
2006年7月
APTGT150DA120G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
60
50
40
30
20
10
0
0
HARD
开关
ZCS
ZVS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=2.2
T
J
=125°C
T
c
=75°C
二极管的正向特性
300
250
200
I
F
(A)
150
100
50
0
T
J
=125°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
40
80
120
I
C
(A)
160
200
240
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.9
0.7
二极管
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
5-5
APTGT150DA120G - 版本1
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
2006年7月
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AD796AN
AD5663BRMZ-REEL7
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AM29DL164DT90WCF
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