APTGL60DSK120T3G

双降压斩波

沟道+场截止IGBT 4

电源模块

13 14

V

CES

= 1200V

I

C

= 60A @ T = 80℃

应用

AC和DC电机控制

开关电源

Q1

18

19

Q2

11

10

22

23

CR1

7

8

CR2

29

15

30

31

R1

32

16

特点

沟道+场站IGBT 4技术

- 低电压降

- 低漏电流

- 低开关损耗

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

- 对称设计

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

高集成度

内部热敏电阻的温度监测

好处

突出表现在高频率

手术

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

每条腿可以很容易地并联，以实现

电流能力的两倍的单一降压

符合RoHS

28 27 26 25

29

30

23 22

20 19 18

16

15

31

32

2

3

4

7

8

10 11 12

14

13

所有的多路输入和输出必须短接在一起

例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

T

C

= 25°C

T

C

= 80°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

j

= 150°C

最大额定值

1200

80

60

100

±20

280

100A @ 1100V

单位

V

A

V

W

2009年4月

1-5

APTGL60DSK120T3G - 牧师0

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGL60DSK120T3G

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

T

j

= 25°C

V

GE

= 15V

I

C

= 50A

T

j

= 150°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 1.6毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

典型值

1.85

2.25

5.8

最大

250

2.25

6.5

400

单位

A

V

V

nA

5.0

动态特性

符号特性

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

I

sc

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

短路数据

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= ±15V ; V

CE

=600V

I

C

=50A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= ±15V

V

CE

= 600V

I

C

= 50A

R

G

= 8.2Ω

电感式开关（ 150 ° C）

V

GE

= ±15V

V

CE

= 600V

I

C

= 50A

R

G

= 8.2Ω

T

J

= 25°C

V

GE

= ±15V

V

CE

= 600V

T

J

= 150°C

I

C

= 50A

T

J

= 25°C

R

G

= 8.2Ω

T

J

= 150°C

V

GE

≤15V

; V

公共汽车

= 900V

t

p

≤10s

; T

j

= 150°C

民

典型值

2770

205

160

0.38

130

20

300

45

150

35

350

80

3.8

5.5

2.5

4.5

200

ns

最大

单位

pF

C

ns

mJ

mJ

A

菜刀二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

最大峰值重复反向电压

I

RM

I

F

V

F

t

rr

Q

rr

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

I

F

= 60A

I

F

= 120A

I

F

= 60A

I

F

= 60A

V

R

= 800V

的di / dt = 200A / μs的

测试条件

V

R

=1200V

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 80℃

民

1200

典型值

最大

100

500

60

2.5

3

1.8

265

350

560

2890

3

V

单位

V

A

A

2009年4月

2-5

APTGL60DSK120T3G - 牧师0

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

反向恢复时间

反向恢复电荷

ns

nC

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APTGL60DSK120T3G

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

-40

-40

2.5

民

典型值

最大

0.53

0.9

175

125

100

4.7

110

单位

° C / W

V

°C

牛米

g

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

M4

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。

符号

R

25

R

25

/R

25

B

25/85

B/B

特征

电阻@ 25°C

T

25

= 298.15 K

T

C

=100°C

R

T

=

R

25

1

EXP

B

25 / 85

T

T

25

T：热敏电阻温度

1

R

T

：热敏电阻在T值

民

典型值

50

5

3952

4

最大

单位

kΩ

%

K

%

SP3封装外形

（单位：mm ）

1

12

请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块

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3-5

APTGL60DSK120T3G - 牧师0

2009年4月

17

28

APTGL60DSK120T3G

典型性能曲线

100

80

I

C

(A)

60

40

20

0

0

1

2

V

CE

(V)

3

4

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性

100

T

J

= 150°C

T

J

=25°C

T

J

=150°C

80

60

I

C

(A)

40

20

0

0

1

V

GE

=19V

V

GE

=15V

V

GE

=9V

2

V

CE

(V)

3

4

100

80

60

40

20

0

5

6

Transfert特点

T

J

=25°C

20

16

12

E（兆焦耳）

8

能量损失VS集电极电流

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 8.2

T

J

= 150°C

宙

I

C

(A)

T

J

=150°C

EOFF

4

0

7

8

9

10

11

12

13

0

20

40

60

I

C

(A)

80

100

V

GE

(V)

开关损耗VS栅极电阻

12

10

宙

反向偏置安全工作区

120

100

E（兆焦耳）

I

C

(A)

8

6

4

2

0

V

CE

= 600V

V

GE

=15V

I

C

= 50A

T

J

= 150°C

EOFF

80

60

40

20

0

V

GE

=15V

T

J

=150°C

R

G

=8.2

10

20

30

栅极电阻（欧姆）

40

0

300

600

900

V

CE

(V)

1200

1500

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.6

热阻抗（ ℃/ W）

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.9

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

单脉冲

0

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

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4-5

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2009年4月

IGBT

APTGL60DSK120T3G

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

125

100

75

50

25

0

10

20

30

40

50 60

I

C

(A)

70

80

90

ZVS

ZCS

140

I

F

，正向电流（ A）

V

CE

=600V

D=50%

R

G

=8.2

T

J

=150°C

Tc=75°C

二极管的正向特性

T

J

=125°C

120

100

80

60

40

20

0

0

0.5

1

T

J

=25°C

HARD

开关

1.5

2

2.5

3

3.5

V

F

，阳极到阴极电压（V）

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

热阻抗（ ℃/ W）

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0.9

二极管

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

单脉冲

0.001

0.01

0.1

以秒为单位的矩形脉冲持续时间

1

10

0

0.00001

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

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5-5

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