APTGF50X120E3
3相桥
NPT IGBT功率模块
应用
交流电动机的控制
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ T = 80℃
特点
非穿通( NPT ) IGBT
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
极低的杂散电感
高集成度
19
17
15
好处
20
14
21
13
1 2
3 4
5 6
7 8
9 10
11 12
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
SCSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
短路保存工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
500A@1200V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-3
APTGF50X120E3 - 牧师0
, 2003年7月
最大额定值
1200
78
50
150
±20
400
单位
V
A
V
W
APTGF50X120E3
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 3毫安
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
0.8
4
2.5
3.1
最大
1
3.0
3.7
6.5
200
1200
单位
V
mA
V
V
nA
2.0
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关( 125°C )
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 22
民
典型值
3300
500
220
44
56
380
70
最大
单位
pF
ns
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
F
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
T
j
= 25°C
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
T
j
= 125°C
I
F
= 50A
V
R
= 600V
T
j
= 125°C
的di / dt = 800A / μs的
I
F
= 50A
T
j
= 25°C
V
R
= 600V
的di / dt = 800A / μs的牛逼
j
= 125°C
民
典型值
2.3
1.8
200
2.8
8
最大
2.8
单位
V
ns
C
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,
我isol<1mA , 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.35
0.7
150
125
125
4.5
300
单位
° C / W
2500
-40
-40
-40
3
V
°C
牛米
g
, 2003年7月
2-3
APTGF50X120E3 - 牧师0
M5
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APTGF50X120E3
包装外形
销1
引脚21
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息,这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APTGF50X120E3 - 牧师0
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED :
, 2003年7月
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3相桥
NPT IGBT功率模块
应用
交流电动机的控制
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ T = 80℃
特点
非穿通( NPT ) IGBT
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
极低的杂散电感
高集成度
19
17
15
好处
20
14
21
13
1 2
3 4
5 6
7 8
9 10
11 12
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
SCSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
短路保存工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
500A@1200V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
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, 2003年7月
最大额定值
1200
78
50
150
±20
400
单位
V
A
V
W
APTGF50X120E3
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 3毫安
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
0.8
4
2.5
3.1
最大
1
3.0
3.7
6.5
200
1200
单位
V
mA
V
V
nA
2.0
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关( 125°C )
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 22
民
典型值
3300
500
220
44
56
380
70
最大
单位
pF
ns
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
F
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
T
j
= 25°C
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
T
j
= 125°C
I
F
= 50A
V
R
= 600V
T
j
= 125°C
的di / dt = 800A / μs的
I
F
= 50A
T
j
= 25°C
V
R
= 600V
的di / dt = 800A / μs的牛逼
j
= 125°C
民
典型值
2.3
1.8
200
2.8
8
最大
2.8
单位
V
ns
C
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,
我isol<1mA , 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.35
0.7
150
125
125
4.5
300
单位
° C / W
2500
-40
-40
-40
3
V
°C
牛米
g
, 2003年7月
2-3
APTGF50X120E3 - 牧师0
M5
APT网站 - http://www.advancedpower.com
APTGF50X120E3
包装外形
销1
引脚21
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息,这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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