【AP1801GU无铅电镀产品先进的电源电子股份有限公司▼能够2.5V栅极驱动▼导通电阻的降低▼表面贴】,IC型号AP1801GU,AP1801GU PDF资料,AP1801GU经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP1801GU

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

导通电阻的降低

▼

表面贴装封装

D

2021-8

S

S

S

D

D

G

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-20V

70mΩ

-4A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

D

G

该2021-8 J形引脚封装提供了良好的导通电阻性能

和节省空间像SC- 70-6 。

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-20

±12

-4

-3.3

20

1.6

0.013

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

78

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200111051

AP1801GU

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。

-20

-

-

-

-

-0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.01

-

-

-

-

10

-

-

-

11

2

4

10

16

26

16

740

160

130

6.6

马克斯。

-

-

52

70

100

-1.2

-

-1

-10

±100

18

-

-

-

-

-

-

1180

-

-

10

单位

V

V/℃

mΩ

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= -10V ，我

D

=-4.8A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-4A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-2A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-4A

V

DS

=-20V, V

GS

=0V

V

DS

=-16V ,V

GS

=0V

V

GS

=±12V

I

D

=-4A

V

DS

=-16V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-10V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-5V

R

D

=10Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-20V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

测试条件

I

S

= -1.3A ，V

GS

=0V

I

S

= 4A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

29

20

马克斯。

-1.2

-

-

单位

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫，T <5sec ; 125

℃/W

在稳定状态。

AP1801GU

20

20

T

A

=25 C

-I

D

，漏电流（ A）

15

o

- 5.0V

- 4.5V

- 3.5V

-I

D

，漏电流（ A）

T

A

= 150 C

15

o

-5.0V

-4.5V

-3.5V

- 2.5V

10

10

-2.5V

5

5

V

G

= -1.5 V

0

0

1

2

3

4

0

V

G

= -1.5 V

0

1

2

3

4

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

80

1.4

I

D

= -2 A

归一化

DS （ ON）

70

T

A

=25 C

o

1.2

I

D

= -4 A

V

G

= - 4.5V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

60

1.0

50

0.8

40

0.6

0

2

4

6

8

10

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.6

4.0

3.0

归-V

GS （ TH）

(V)

1.2

1.2

-I

S

(A)

2.0

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

0.8

1.0

0.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0.4

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP1801GU

f=1.0MHz

12

1000

-V

GS

，门源电压（ V）

I

D

=-4A

V

DS

=-16V

8

C

国际空间站

4

C（ pF）的

C

OSS

C

RSS

0

0

5

10

15

20

25

100

1

5

9

13

17

21

25

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

100us

1ms

-I

D

(A)

1

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

T

10ms

100ms

0.1

0.01

单脉冲

T

A

=25 C

单脉冲

o

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 125℃/W

℃

1s

DC

10

100

0.01

0.1

1

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

30

V

DS

=-5V

-I

D

，漏电流（ A）

T

j

=25

o

C

20

V

G

T

j

=150

o

C

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10

收费

0

0

2

4

6

Q

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

AP1801GU

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

导通电阻的降低

▼

表面贴装封装

D

2021-8

S

S

S

D

D

G

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-20V

70mΩ

-4A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

D

G

该2021-8 J形引脚封装提供了良好的导通电阻性能

和节省空间像SC- 70-6 。

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-20

±12

-4

-3.3

20

1.6

0.013

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

78

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200111051

AP1801GU

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。

-20

-

-

-

-

-0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.01

-

-

-

-

10

-

-

-

11

2

4

10

16

26

16

740

160

130

6.6

马克斯。

-

-

52

70

100

-1.2

-

-1

-10

±100

18

-

-

-

-

-

-

1180

-

-

10

单位

V

V/℃

mΩ

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= -10V ，我

D

=-4.8A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-4A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-2A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-4A

V

DS

=-20V, V

GS

=0V

V

DS

=-16V ,V

GS

=0V

V

GS

=±12V

I

D

=-4A

V

DS

=-16V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-10V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-5V

R

D

=10Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-20V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

测试条件

I

S

= -1.3A ，V

GS

=0V

I

S

= 4A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

29

20

马克斯。

-1.2

-

-

单位

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫，T <5sec ; 125

℃/W

在稳定状态。

AP1801GU

20

20

T

A

=25 C

-I

D

，漏电流（ A）

15

o

- 5.0V

- 4.5V

- 3.5V

-I

D

，漏电流（ A）

T

A

= 150 C

15

o

-5.0V

-4.5V

-3.5V

- 2.5V

10

10

-2.5V

5

5

V

G

= -1.5 V

0

0

1

2

3

4

0

V

G

= -1.5 V

0

1

2

3

4

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

80

1.4

I

D

= -2 A

归一化

DS （ ON）

70

T

A

=25 C

o

1.2

I

D

= -4 A

V

G

= - 4.5V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

60

1.0

50

0.8

40

0.6

0

2

4

6

8

10

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.6

4.0

3.0

归-V

GS （ TH）

(V)

1.2

1.2

-I

S

(A)

2.0

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

0.8

1.0

0.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0.4

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP1801GU

f=1.0MHz

12

1000

-V

GS

，门源电压（ V）

I

D

=-4A

V

DS

=-16V

8

C

国际空间站

4

C（ pF）的

C

OSS

C

RSS

0

0

5

10

15

20

25

100

1

5

9

13

17

21

25

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

100us

1ms

-I

D

(A)

1

0.1

0.1

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P

DM

t

T

10ms

100ms

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单脉冲

T

A

=25 C

单脉冲

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占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

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= 125℃/W

℃

1s

DC

10

100

0.01

0.1

1

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

30

V

DS

=-5V

-I

D

，漏电流（ A）

T

j

=25

o

C

20

V

G

T

j

=150

o

C

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10

收费

0

0

2

4

6

Q

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

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