APTGF50VDA60T3G
双升压斩波
NPT IGBT功率模块
13
14
V
CES
= 600V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正（ PFC ）
交错式PFC
19
22
20
23
10
7
11
8
26
27
4
3
29
15
30
NTC
31
32
16
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
- 对称设计
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
每个腿能够容易地并联以实现单
电流能力的两倍的升压
符合RoHS
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
2009年9月
1–6
APTGF50VDA60T3G - 版本1
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
最大额定值
600
65
50
230
±20
250
100A @ 500V
单位
V
A
V
W
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGF50VDA60T3G
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号
R
25
R
25
/R
25
B
25/85
B/B
特征
电阻@ 25°C
T
25
= 298.15 K
T
C
=100°C
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
5
3952
4
最大
单位
kΩ
%
K
%
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
菜刀二极管
4000
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.5
0.9
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
V
°C
牛米
g
散热器来
M4
SP3封装外形
（单位：mm ）
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
www.Microsemi.com
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APTGF50VDA60T3G - 版本1
2009年9月
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28
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