APTGF100A120T3WG

相脚

NPT IGBT功率模块

25

26

27

28

31

V

CES

= 1200V

I

C

= 100A @ T = 80℃

应用

焊接器

特点

非穿通（ NPT ） IGBT快速

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达50 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

高集成度

内部热敏电阻的温度监测

好处

突出表现在高频率

手术

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

由于易于并联阳性T

C

V的

CESAT

符合RoHS

4

3

13

14

15

16

NTC

8

7

18

19

20

22

32

28 27 26 25

29

30

23 22

20 19 18

16

15

31

32

2

3

4

7

8

10 11 12

14

13

销25/26/27/28必须短接在一起

销13/14/15/16必须短接在一起

销18/19/20/22必须短接在一起

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

T

C

= 25°C

T

C

= 80°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

J

= 150°C

最大额定值

1200

130

100

200

±20

657

200A @ 1150V

单位

V

A

V

W

2009年5月

1-5

APTGF100A120T3WG - 版本1

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGF100A120T3WG

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

T

j

= 25°C

V

GE

=15V

I

C

= 100A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 4毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

典型值

3.2

3.9

5.5

最大

250

3.7

6.5

600

单位

A

V

V

nA

4.5

动态特性

符号特性

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

I

sc

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

短路数据

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= ±15V ; V

CE

=600V

I

C

=100A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

R

G

= 5.6Ω

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

R

G

= 5.6Ω

V

GE

= ±15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

T

j

= 125°C

R

G

= 5.6Ω

V

GE

≤15V

; V

公共汽车

= 900V

t

p

≤

为10μs ;牛逼

j

= 125°C

民

典型值

6.5

1

0.5

1.1

120

50

310

20

130

60

360

30

12

mJ

5

650

A

最大

单位

nF

C

ns

ns

反向二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

I

RM

I

F

V

F

最大峰值重复反向电压

测试条件

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 80℃

I

F

= 60A

I

F

= 120A

I

F

= 60A

I

F

= 60A

V

R

= 800V

的di / dt = 200A / μs的

民

1200

典型值

最大

100

500

单位

V

A

A

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

V

R

=1200V

60

2.5

3

1.8

265

350

560

2890

3

V

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

Q

rr

反向恢复电荷

nC

www.Microsemi.com

2-5

APTGF100A120T3WG - 版本1

t

rr

反向恢复时间

ns

2009年5月

APTGF100A120T3WG

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

-40

-40

2.5

民

典型值

最大

0.19

0.90

150

125

100

4.7

110

单位

° C / W

V

°C

牛米

g

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

M4

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。

符号

R

25

R

25

/R

25

B

25/85

B/B

特征

电阻@ 25°C

T

25

= 298.15 K

T

C

=100°C

R

T

=

R

25

1

EXP

B

25 / 85

T

T

25

T：热敏电阻温度

1

R

T

：热敏电阻在T值

民

典型值

50

5

3952

4

最大

单位

kΩ

%

K

%

SP3封装外形

（单位：mm ）

请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块

www.Microsemi.com

3-5

APTGF100A120T3WG - 版本1

1

12

2009年5月

17

28

APTGF100A120T3WG

典型性能曲线

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性

200

175

T

J

=25°C

T

J

= 125°C

V

GE

=20V

V

GE

=12V

V

GE

=15V

200

175

150

I

C

(A)

150

I

C

(A)

125

100

75

125

100

75

50

25

0

0

1

2

3

V

CE

(V)

4

5

6

T

J

=125°C

V

GE

=9V

50

25

0

0

1

2

3

4

V

CE

(V)

5

6

200

175

150

Transfert特点

35

30

25

E（兆焦耳）

T

J

=125°C

能量损失VS集电极电流

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 5.6

T

J

= 125°C

宙

125

I

C

(A)

100

75

50

25

0

5

6

7

8

9

10

11

12

V

GE

(V)

开关损耗VS栅极电阻

40

35

30

E（兆焦耳）

25

20

15

10

5

0

0

10

20

30

40

栅极电阻（欧姆）

50

EOFF

V

CE

= 600V

V

GE

=15V

I

C

= 100A

T

J

= 125°C

宙

T

J

=25°C

20

15

10

5

0

0

25

50

75

100 125 150 175 200

I

C

(A)

反向偏置安全工作区

250

200

EOFF

I

C

(A)

150

100

50

0

0

300

600

900

1200

1500

V

CE

(V)

V

GE

=15V

T

J

=125°C

R

G

=5.6

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.2

热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.16

0.12

0.08

0.04

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0

0.00001

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

1

10

IGBT

矩形脉冲持续时间（秒）

www.Microsemi.com

4-5

APTGF100A120T3WG - 版本1

2009年5月

APTGF100A120T3WG

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

100

80

ZVS

V

CE

=600V

D=50%

R

G

=5.6

T

J

=125°C

T

C

=75°C

二极管的正向特性

120

100

80

I

F

(A)

T

J

=125°C

60

40

ZCS

60

40

20

0

0.00

T

J

=25°C

20

0

0

HARD

开关

20

40

60

I

C

(A)

80

100

120

0.50

1.00

1.50 2.00

V

F

(V)

2.50

3.00

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

1

热阻抗（ ℃/ W）

0.8

0.6

0.5

0.4

0.2

0.3

0.1

0.05

0

0.00001

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

1

10

0.9

0.7

二极管

矩形脉冲持续时间（秒）

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

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