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AOD434
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD434采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ,而
保留了12V V
GS ( MAX)
投资评级。这是ESD保护
一个2KV HBM等级。
标准产品AOD434是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AOD434L是一种绿色产品订购选项。
AOD434和AOD434L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 18A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 16mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 21mΩ (V
GS
= 2.5V)
R
DS ( ON)
30mΩ到< (V
GS
= 1.8V)
ESD额定值: 2KV HBM
TO-252
D- PAK
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
20
±12
18
18
30
18
37
60
30
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结到外壳
B
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
16.7
40
1.9
最大
25
50
2.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD434
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时,我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=18A
T
J
=125°C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=15A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=10A
V
GS
= 1.8V ,我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
±12
0.5
30
10.9
14.3
12.6
16.5
23.2
36
0.73
1
18
1810
V
GS
=0V, V
DS
= 10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
232
200
1.6
40.1
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ,我
D
=18A
8.9
1.7
6.2
4
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ,R
L
=0.56,
R
=3
I
F
= 18A ,的di / dt = 100A / μs的
2
20
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
10
0.75
1
14
18
16
21
30
A
A
V
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
15
42.2
18.2
23.2
4.9
体二极管反向恢复电荷我
F
= 18A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的具体的电路板设计,且最高温度
of
175℃下也可以使用,如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
启3 : 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD434
典型的电气和热特性
40
10
35
30
25
I
D
(A)
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
30
25
R
DS ( ON)
(m
)
20
V
GS
=2.5V
15
V
GS
=4.5V
10
V
GS
=10V
5
0
5
10
15
20
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
归一化的导通电阻
V
GS
=1.8V
1.8
I
D
=18A
1.6
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.5V
5
25°C
0
0
1
1.5
2
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
0.5
2.5
I
D
(A)
20
15
10
125°C
2.5V
4.5V
2V
30
V
DS
=5V
25
1.4
V
GS
=10V
V
GS
=1.8V
1.2
1
35
30
25
20
15
25°C
10
5
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
125°C
I
S
(A)
I
D
=18A
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
125°C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
R
DS ( ON)
(m
)
AOD434
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=10V
I
D
=18A
电容(pF)
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
50
R
DS ( ON)
有限
1s
10s
40
1ms
10ms
0.1s
100s
功率(W)的
30
20
10
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
I
D
(安培)
10.0
1.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
DC
10
V
DS
(伏)
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AOD434
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ:851428111 复制

电话:0755-23051326
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
AOD434
AO
2023+
9850
TO-252
专注进口原装,公司现货出售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AOD434
AOS
21+
15000.00
SOT-252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
AOD434
AOS/万代
24+
8640
TO-252
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
AOD434
AO
25+23+
13050
TO-252
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
AOD434
AO
1926+
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AOD434
AO
21+22+
12600
TO-252
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AOD434
AO
05+
8578
TO-252
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316406779 复制
电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
AOD434
AOS/万代
22+
18260
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原装代理现货,价格最优
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联系人:朱先生
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AOD434
AO
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23000
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
AOD434
AOS/万代
24+
22000
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原装正品假一赔百!
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