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APTDF100H601G
快速二极管全桥
电源模块
3
CR1
5
6
CR2
CR4
4
CR3
1
2
V
RRM
= 600V
I
C
= 100A * @ T = 80℃
应用
不间断电源（ UPS ）
感应加热
焊接设备
高速整流器
特点
好处
突出表现在高频率
手术
低损耗
低噪声开关
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
符合RoHS
超快速的恢复时间
软恢复特性
高阻断电压
HIGH CURRENT
低漏电流
极低的杂散电感
高集成度
7
8
9 10
所有的多路输入和输出必须短接在一起
3/4 ; 5/6 ; 7/8 ; 1/2 ; 9/10
绝对最大额定值
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
参数
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大正向平均
当前
占空比= 50 ％
8.3ms
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 45°C
最大额定值
600
135 *
100 *
500
A
2007年8月，
APTDF100H601G - 牧师0
单位
V
非重复正向浪涌电流
*二极管装置，但输出电流的规范必须限制在75A至不超过温度更大的增量
高于30℃的连接器。
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-4
APTDF100H601G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
V
F
I
RM
C
T
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
测试条件
I
F
= 100A
I
F
= 200A
I
F
= 100A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
R
= 600V
T
j
= 125°C
V
R
= 200V
民
典型值
1.6
2.0
1.3
最大
2.0
单位
V
250
500
190
A
pF
动态特性
符号特性
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
F
= 100A
V
R
= 400V
di/dt=1000A/s
I
F
= 100A
V
R
= 400V
的di / dt = 200A / μs的
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
民
典型值
160
220
290
1530
5
13
100
2890
44
最大
单位
ns
nC
A
ns
nC
A
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.55
175
125
100
4.7
80
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
2007年8月，
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
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2-4
APTDF100H601G - 牧师0
APTDF100H601G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.6
热阻抗（ ℃/ W）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.00001
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
转发电流与正向电压
300
I
F
，正向电流（ A）
250
200
150
T
J
=25°C
T
J
=125°C
300
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
TRR与充电的电流变化率
T
J
=125°C
V
R
=400V
250
100 A
200 A
200
150
100
50
0
200
400 600 800
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
1000 1200
50 A
100
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
F
，阳极到阴极电压（V）
Q
RR
与电流充电率
T
J
=125°C
V
R
=400V
200 A
Q
RR
，反向恢复电荷（ μC ）
I
RRM
，反向恢复电流（ A）
4
60
50
40
30
20
10
0
0
I
RRM
与充电的电流变化率
T
J
=125°C
V
R
=400V
200 A
100 A
50 A
3
100 A
50 A
2
1
0
0
200
400
600
800
1000 1200
-diF / DT （ A / μs）内
电容与反向电压
1400
1200
200
400
600
800
1000 1200
-diF / DT （ A / μs）内
马克斯。平均正向电流与情况下的温度。
150
125
I
F
（ AV ） （A ）
100
75
50
25
0
占空比= 0.5
T
J
=175°C
C，电容（pF ）
800
600
400
200
0
1
10
100
1000
V
R
，反向电压（V）的
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度（ ° C）
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3-4
APTDF100H601G - 牧师0
2007年8月，
1000
APTDF100H601G
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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4-4
APTDF100H601G - 牧师0
2007年8月，
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