APT9M100B
APT9M100S
1000V ，图9A， 1.40Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
8
TO
-2
47
D
3
PAK
APT9M100B
APT9M100S
D
单芯片MOSFET
G
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
9
6
37
±30
575
5
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
0.22
包装重量
6.2
10
力矩
安装扭矩（ TO- 247封装） ， 6-32或M3螺丝
1.1
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
N·m的
-55
0.11
150
°C
300
oz
g
·在磅
04-2009
050-8108
版本B
民
典型值
最大
335
0.37
单位
W
° C / W
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
ΔV
BR （ DSS ）
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 5A
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
APT9M100B_S
典型值
1.15
1.01
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
Ω
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
1000
3
1.4
5
100
500
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 5A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
10
2605
35
220
90
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至667V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 5A,
V
DS
= 500V
电阻开关
V
DD
= 667V
,
I
D
= 5A
R
G
= 4.7Ω
6
,
V
GG
= 15V
46
80
14
38
12
11
40
10
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
9
单位
G
S
A
37
1.0
1040
19
10
V
ns
C
V / ns的
I
SD
= 5A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 5A ，V
DD
= 100V
3
di
SD
/
DT = 100A / μs的，T
J
= 25°C
I
SD
≤
如图5A所示， di / dt的
≤1000A/s,
V
DD
= 667V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 46.00mH中，R
G
= 4.7Ω, I
AS
= 5A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -7.56E -8 / V
DS
^ 2 + 1.33E - 8 / V
DS
+ 2.58E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
版本B
050-8108
04-2009
APT9M100B_S
60
60
I
DM
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
10
RDS （ ON）
13s
100s
1ms
10ms
100ms
DC线
13s
100s
1
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
DC线
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
C
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
0.40
0.35
0.30
0.7
0.25
0.20
0.15
0.3
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图11.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
单脉冲
0.5
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
PDM
t1
t2
t
1
=脉冲持续时间
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
TO- 247 （B ）封装外形
E3 100 ％锡镀
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
D
3
PAK封装外形
漏
（散热器）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
04-2009
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
版本B
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-8108
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT9M100B
APT9M100S
1000V ，图9A， 1.50Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
8
TO
-2
47
D
3
PAK
APT9M100B
单芯片MOSFET
APT9M100S
D
G
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
9
6
37
±30
575
5
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.22
6.2
10
1.1
-55
0.11
150
300
民
典型值
最大
335
0.37
单位
W
° C / W
°C
2-2007
050-8108
REV A
oz
g
·在磅
N·m的
力矩
安装扭矩（ TO- 247封装） ， 6-32或M3螺丝
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 5A
APT9M100B_S
典型值
1.15
1.11
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
1000
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
1.50
5
100
500
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 5A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
10
2605
35
220
90
最大
单位
S
pF
5
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至667V
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 5A,
V
DS
= 500V
电阻开关
V
DD
= 667V
,
I
D
= 5A
R
G
= 4.7
6
,
V
GG
= 15V
46
80
14
38
12
11
40
10
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
9
单位
A
G
S
3
37
1.0
1040
19
10
V
ns
C
V / ns的
I
SD
= 5A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 5A ，V
DD
= 100V
di
SD
/
DT = 100A / μs的，T
J
= 25°C
I
SD
≤ 5A ， di / dt的≤1000A /微秒，V
DD
= 667V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 46.00mH中，R
G
= 4.7, I
AS
= 5A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
2-2007
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -7.56E -8 / V
DS
^ 2 + 1.33E - 8 / V
DS
+ 2.58E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8108
REV A
60
I
60
I
APT9M100B_S
DM
DM
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
10
RDS （ ON）
13s
100s
13s
100s
1
RDS （ ON）
1ms
1
10ms
100ms
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
1ms
10ms
100ms
DC线
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
DC线
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
T
J
(°C)
0.0432
耗散功率
（瓦特）
0.00350
0.00863
0.122
0.153
T
C
(°C)
0.176
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，下沉到
环境等设置为零时，模型
只能这样了路口。
图11 ，瞬态热阻抗模型
0.40
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.3
0.7
D = 0.9
0.5
Z
EXT
注意：
PDM
t1
t2
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图12.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
TO- 247 （B ）封装外形
E3 100 ％锡镀
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
D
3
PAK封装外形
漏
（散热器）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2-2007
19.81 (.780)
20.32 (.800)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
REV A
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-8108
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2881677436 复制
