ADS4126 ， ADS4129
ADS4146 ， ADS4149
www.ti.com
SBAS483D - 2009年11月 - 修订2010年4月
14位/ 12位， 160 / 250MSPS ，超低功耗ADC
检查样品：
ADS4126 ， ADS4129 ， ADS4146 ， ADS4149
1
特点
最大采样率： 250MSPS
超低功耗在1.8V单电源：
- 200mW的总功率为160MSPS
- 265mW总功率为250MSPS
高动态性能：
- 信噪比： 70.6dBFS在170MHz的
- SFDR ： 84dBc ，在170MHz的
动态功率调节与采样率
输出接口
- 双数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程Swing和力量
- 标准的Swing ： 350mV的
- 低摆幅： 200mV的
- 默认强度： 100Ω端接
- 2X强度： 50Ω端接
- 1.8V的CMOS并行接口还
支持
可编程增益高达6分贝的SNR / SFDR
权衡
23
直流偏移校正
支持低输入时钟幅度为向下
200mV
PP
包装： QFN - 48 （7毫米× 7毫米）
描述
该ADS414x / 2倍是一个家族的14位/ 12位
模拟 - 数字转换器（ ADC）的采样
速率高达250MSPS 。这些器件采用创新
设计技术，以实现高动态
性能，而功耗极低的功耗
在1.8V电源。该设备非常适合于
多载波
WIDE
带宽
通讯
应用程序。
该ADS414x / 2X有可能被罚款增益选项
用于改善SFDR性能较低
满量程输入范围，尤其是在高输入
频率。它们包括一个直流失调校正环路
这可用于抵消了ADC的偏移。在较低的
采样率时，ADC的自动运行
按比例缩小的动力性能无损失。
该ADS414x / 2X都可以在一个紧凑的QFN -48
pacakge并规定在工业
温度范围（-40 ° C至+ 85°C ） 。
ADS412x / ADS414x系列比较
具有模拟输入缓冲器
家庭
ADS414x
14位家族
ADS412x
12位家族
11-Bit
9-Bit
250MSPS
ADS4149
ADS4129
—
—
160MSPS
ADS4146
ADS4126
—
—
250MSPS
ADS41B49
ADS41B29
—
ADS58B19
200MSPS
—
—
ADS58B18
—
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2009-2010，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS4126 ， ADS4129
ADS4146 ， ADS4149
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
功能框图
DDR LVDS
接口
AVDD
AGND
DRVDD
DRGND
CLKP
CLOCKGEN
CLKM
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
低延时模式
（默认值复位后）
INP
INM
采样
电路
12-Bit
ADC
DDR
串行器
D4_D5_P
D4_D5_M
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
VCM
参考
控制
接口
D10_D11_P
D10_D11_M
常见
数字化功能
OVR_SDOUT
ADS4129
SEN
RESET
DFS
图1. ADS412x框图
2
提交文档反馈
SDATA
SCLK
OE
版权所有2009-2010，德州仪器
产品文件夹链接（ S） ：
ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4126 ， ADS4129
ADS4146 ， ADS4149
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SBAS483D - 2009年11月 - 修订2010年4月
AVDD
AGND
DRVDD
DRGND
DDR LVDS
接口
CLKP
CLOCKGEN
CLKM
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
D4_D5_P
D4_D5_M
低延时模式
（默认值复位后）
INP
INM
采样
电路
14-Bit
ADC
DDR
串行器
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
D10_D11_P
D10_D11_M
VCM
参考
控制
接口
D12_D13_P
D12_D13_M
常见
数字化功能
OVR_SDOUT
ADS4149
SEN
RESET
DFS
图2. ADS414x框图
SDATA
SCLK
OE
版权所有2009-2010，德州仪器
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3
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4126 ， ADS4129
ADS4146 ， ADS4149
SBAS483D - 2009年11月 - 修订2010年4月
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订购信息
(1)
产品
ADS4126
(3)
ADS4129
(3)
ADS4146
(3)
套餐 -
领导
QFN-48
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
铅/焊球
完
铜/镍钯金
包
记号
AZ4126
订购
数
ADS4126IRGZR
ADS4126IRGZT
ADS4129IRGZR
ADS4129IRGZT
ADS4146IRGZR
ADS4146IRGZT
ADS4149IRGZR
ADS4149IRGZT
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4129
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4146
ADS4149
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4149
(1)
(2)
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
生态规划是计划的环保分级。绿色环保（RoHS ，无锑/溴） ： TI定义
绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
阴影行表示产品预览设备。
该ADS414x / 2X系列引脚兼容上一代产品
ADS6149
家庭;这种架构使
轻松迁移。但是，也有后代，总结在之间的重要差别
表1中。
表1.迁移FROM THE ADS6149系列
ADS6149系列
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3V
DRVDD为1.8V
输入共模电压
VCM是1.5V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
外部基准模式
支持
ADS61B49家庭
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3V
DRVDD为1.8V
输入共模电压
VCM是1.5V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
外部基准模式
支持
不支持
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
VCM是1.7V
AVDD为1.8V ， AVDD_BUF为3.3V
没有变化
引脚21为3.3V AVDD_BUF （供应模拟输入缓冲器）
引脚23是一个数字控制引脚为保留功能。
23引脚的功能如SNR升压使能（仅B18 ） 。
不支持
ADS41B29 / B49 / ADS58B18 FAMILY
VCM是0.95V
AVDD为1.8V
没有变化
销21是NC（未连接）
引脚23是预留的ADS4149系列。它被保留作为数字控制引脚为一个（尚未）
未定义的函数，在下一代的ADC系列。
ADS4149系列
4
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4126 ， ADS4129
ADS4146 ， ADS4149
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SBAS483D - 2009年11月 - 修订2010年4月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
价值
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
INP ， INM
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
-0.3 2.1
-0.3 2.1
-0.3 0.3
0至2.1
0至2.1
-0.3为最小（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
， DFS ， OE
-0.3至AVDD + 0.3
-0.3 3.9
-40至+85
+125
-65到+150
2
RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN
工作的自由空气的温度范围内，T
A
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD，人体模型（ HBM ）
(1)
(2)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM小于| 0.3V | 。
这防止了静电保护二极管在从接通时钟输入管脚。
热特性
(1)
参数
R
qJA
(2)
R
QJT
(3)
(1)
(2)
(3)
测试条件
焊接热垫，没有空气流动
焊接热垫， 200LFM
包的底部（散热片）
典型的价值
29
22
1.13
单位
° C / W
° C / W
° C / W
与JEDEC标准高K板和5 × 5阵列通过。见
裸露焊盘
在节
应用程序的信息。
R
qJA
是从结点到环境的热阻。
R
QJT
是热阻结到热垫。
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5
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4128
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SBAS578 - 2012年5月
12位， 200 MSPS ，超低功耗ADC
检查样品：
ADS4128
1
特点
最大采样速率： 200 MSPS
超低功耗，具有1.8 V单电源供电：
- 230 mW的总功耗为200 MSPS
高动态性能：
- 信噪比： 69 dBFS的在170兆赫
- SFDR ： 85 dBc的在170兆赫
动态功率调节与采样率
输出接口：
- 双数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程Swing和力量
- 标准的Swing ： 350毫伏
- 低摆幅： 200毫伏
- 默认强度： 100 Ω的终端
- 2X强度： 50 Ω终端
- 1.8 V CMOS并行接口还
支持
可编程增益高达6分贝信噪比和
SFDR权衡
直流偏移校正
支持低输入时钟幅度为向下
200毫伏
PP
包装： 7毫米× 7毫米QFN -48
描述
该ADS4128是一个12位模拟 - 数字转换器
（ ADC） ，采样速率高达200 MSPS 。这
设备采用了创新的设计技术来实现
高动态性能，而功耗
极低的功耗，在1.8 V电源。该装置是
非常适合
为
多载波
宽带宽
通信应用。
该ADS4128具有可用于精细增益选项
改善SFDR性能，更低的满量程
输入范围，尤其是在高输入频率。它
包括可以使用的直流偏移校正环路
取消ADC失调。以较低的采样率，则
ADC会自动在缩小电源工作
在性能没有损失。
该ADS4128可在一个紧凑的QFN -48
封装，规定工作在工业
温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）
23
家庭比较
采样率
家庭
ADS412x
12位家族
ADS414x
14位家族
9-bit
11-bit
65 MSPS
ADS4122
ADS4142
—
—
125 MSPS
ADS4125
ADS4145
—
—
160 MSPS
ADS4126
ADS4146
—
—
200 MSPS
ADS4128
—
—
—
250 Msps的
ADS4129
ADS4149
—
—
模拟输入
缓冲器
200 MSPS
—
—
—
ADS58B18
250 Msps的
ADS41B29
ADS41B49
ADS58B19
—
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS4128
SBAS578 - 2012年5月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
ADS4128
套餐 -
领导
QFN-48
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，无
锑/溴）
铅和
球完成
铜和镍钯金
包
记号
AZ4128
ADS4128IRGZT
磁带和卷轴， 250
订购
数
ADS4128IRGZR
传输介质，
QUANTITY
磁带和卷轴， 2500
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
生态规划是计划的环保分级。绿色环保（RoHS ，无锑/溴） ： TI定义
绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
该ADS4128引脚兼容与上一代
ADS6149
家庭;这种架构可方便
迁移。但是，也有在世代之间的重要差别，总结
表1中。
表1.迁移FROM THE ADS6149系列
ADS6149系列
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3 V
DRVDD为1.8 V
输入共模电压
VCM为1.5 V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
外部基准模式
支持
ADS61B49家庭
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3 V
DRVDD为1.8 V
输入共模电压
VCM为1.5 V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
外部基准模式
支持
不支持
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
VCM是1.7 V
AVDD为1.8 V ， AVDD_BUF是3.3 V
没有变化
引脚21为3.3 V AVDD_BUF （电源模拟输入缓冲器）
引脚23是一个数字控制引脚为保留功能。
23引脚的功能如SNR升压使能（仅B18 ） 。
不支持
ADS41B49与ADS58B18家庭
VCM是0.95 V
AVDD为1.8 V
没有变化
销21是NC（未连接）
引脚23是预留的ADS4128 。它被保留作为数字控制引脚为一个（尚未）未定义
功能在下一代的ADC系列。
ADS4149系列（包括ADS4128 ）
2
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ADS4128
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ADS4128
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SBAS578 - 2012年5月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
价值
电源电压范围
AVDD
DRVDD
与AGND和DRGND
电压
与AVDD到DRVDD （当
AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间为AVDD （当
DRVDD导致AVDD ）
INP ， INM
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
-0.3 2.1
-0.3 2.1
-0.3 0.3
0至2.1
0至2.1
-0.3为最小（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
， DFS ， OE
-0.3至AVDD + 0.3
-0.3 3.9
-40至+85
+125
-65到+150
2
RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN
工作的自由空气，T
A
温度范围
静电放电（ ESD ）
评级
(1)
(2)
工作结，T
J
存储，T
英镑
人体模型（ HBM ）
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP电压和CLKM小于| 0.3 V | 。
此设置可防止ESD保护二极管，在转动的时钟输入引脚。
热信息
ADS4128
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
罗格列酮（ QFN ）
48针
27.9
15.1
5.4
0.3
5.4
1.7
° C / W
单位
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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ADS4128
3
ADS4128
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
ADS4128
民
耗材
AVDD
DRVDD
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
(1)
输入共模电压
最大模拟输入频率
时钟输入
输入时钟采样率
低速模式
启用
(3)
残
(3)
典型值
1.8
1.8
2
V
CM
± 0.05
最大
1.9
1.9
单位
V
V
V
PP
V
兆赫
兆赫
模拟电源电压
数字电源电压
1.7
1.7
与2 -V
PP
输入幅度
(2)
与1 -V
PP
输入幅度
(2)
400
800
20
> 80
0.2
1.5
1.6
0.7
1.8
40
35
50
50
80
200
MSPS
MSPS
V
PP
V
PP
V
PP
V
正弦波，交流耦合
输入时钟振幅差
(V
CLKP
– V
CLKM
)
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
输入时钟的占空比
数字输出
C
负载
R
负载
T
A
(1)
(2)
(3)
从每个最大外部负载电容
输出引脚DRGND
LVDS的差分之间的负载电阻
输出对（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
低速模式下启用
低速模式下被禁用
60
65
%
%
5
100
–40
+85
pF
Ω
°C
0 dB增益。见
精细增益
在节
应用信息
对之间的输入电压范围和增益的关系。
见
工作原理
在节
应用程序的信息。
见
串行接口
部分在低速模式的详细信息。
表2.高性能模式
(1) (2) (3)
模式
模式1
模式2
(1)
(2)
(3)
描述
设置模式1的寄存器来获得跨越采样时钟和输入信号的频率最佳性能。
注册地址= 03H ，寄存器数据= 03H
设置模式寄存器2位获得在高输入信号频率的最佳性能。
注册地址= 4Ah可，寄存器数据= 01H
它建议使用这些模式以获得最佳的性能。这些模式可以仅使用串行接口进行设置。
见
串行接口
部分对寄存器编程的详细信息。
注意，当不使用串行接口，这些模式不能设置（当RESET引脚连接到高电平） ;看
设备
CON组fi guration
部分。
4
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ADS4128
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ADS4128
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SBAS578 - 2012年5月
电气特性
典型值为+ 25 ° C， AVDD = 1.8 V ， DRVDD = 1.8 V ， 50 ％时钟占空比， -1 - dBFS的差分模拟输入， 1分贝
增益和DDR LVDS接口，除非另有说明。
最低和最高值是在整个温度范围：T已
民
= -40°C至T
最大
= + 85°C ， AVDD = 1.8 V ，和
DRVDD = 1.8 V.注意复位后，该装置是在0 - dB增益模式。
ADS4128
参数
决议
f
IN
= 10 MHz的
f
IN
± 70兆赫
SNR
信噪比，LVDS
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 10 MHz的
f
IN
± 70兆赫
SINAD
信号对噪声和失真比，LVDS
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 10 MHz的
f
IN
± 70兆赫
SFDR
无杂散动态范围
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 10 MHz的
f
IN
± 70兆赫
THD
总谐波失真
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 10 MHz的
f
IN
± 70兆赫
HD2
二次谐波失真
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 10 MHz的
f
IN
± 70兆赫
HD3
第三谐波失真
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 300 MHz的
f
IN
= 10 MHz的
f
IN
± 70兆赫
最差杂散
（比第二和第三谐波等）
f
IN
= 100兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 300 MHz的
f
1
= 46兆赫，女
2
= 50 MHz时，
每个音在-7 dBFS的
f
1
= 185兆赫，女
2
= 190兆赫，
每个音在-7 dBFS的
恢复到1％以内（最终值）
6分贝超载与正弦波输入
对于50 mV的
PP
对AVDD电源信号，
高达10 MHz
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 170兆赫
f
IN
= 170兆赫
–0.95
75
70
70
69
70
65.5
65.8
70
70
69.7
69
68.2
69.8
69.2
69.1
68.8
67
87
80
82
85
74
84
78
79
83
73
90
84
83
85
74
87
80
82
86
79
93
93
91
90
88
–85
–90
1
> 30
11.2
±0.2
±0.5
1.6
±5
测试条件
民
典型值
最大
单位
位
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBFS的
dBFS的
时钟周期
dB
最低有效位
最低有效位
最低有效位
IMD
双音互调失真
输入过载恢复
PSRR
ENOB
DNL
INL
AC电源抑制比
有效位数
微分非线性
集成非线性
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
ADS4128
5
ADS41B29
ADS41B49
www.ti.com
SBAS486D - 2009年11月 - 修订2010年12月
14位/ 12位， 250MSPS ，超低功耗ADC
与模拟缓冲器
检查样品：
ADS41B29 ， ADS41B49
1
特点
ADS41B49 ： 14位， 250MSPS
ADS41B29 ： 12位， 250MSPS
集成高阻抗
模拟输入缓冲器：
- 输入电容：为2pF
- 200MHz的输入阻抗：的3kΩ
最大采样率： 250MSPS
超低功耗：
- 1.8V模拟电源： 180MW
- 3.3V缓冲电源： 96mW
- I / O功率： 135MW （ DDR LVDS ）
高动态性能：
- 信噪比： 69dBFS在170MHz的
- SFDR ： 82.5dBc在170MHz的
输出接口：
- 双数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程Swing和力量：
- 标准的Swing ： 350mV的
- 低摆幅： 200mV的
- 默认强度： 100Ω端接
- 2X强度： 50Ω端接
- 1.8V的CMOS并行接口还
支持
为SNR / SFDR权衡可编程增益
直流偏移校正
支持低输入时钟幅度
包装： QFN - 48 （7毫米× 7毫米）
描述
该ADS41B29 / B49的成员
超低功耗ADS4xxx模拟 - 数字转换器
（ ADC ）系列，具有集成模拟输入
缓冲区。这些器件采用创新的设计
技术，以实现高动态性能，
同时消耗极低的功耗。模拟
输入引脚有缓冲，以恒定的好处
在广泛的性能和输入阻抗
频率范围。该设备非常适合于
多载波
WIDE
带宽
通讯
应用如PA线性化。
该ADS41B49 / 29具备的功能，如数字增益
和偏移校正。增益选项可用于
改善SFDR性能较低的满量程输入
的范围内，特别是在高输入频率。该
集成直流失调校正环路可用于
估计和消除ADC失调。在较低的
采样率时，ADC的自动运行
按比例缩小的动力性能无损失。
该设备同时支持双倍数据速率（ DDR ）
低电压差分信令（LVDS）和平行
CMOS数字输出接口。的低数据速率
在DDR LVDS接口（最高500Mbps的）
使得可以使用低成本的现场可编程
门阵列（ FPGA）的接收器。该器件
有一个可用于一个低摆幅的LVDS方式
进一步降低功耗。实力
所述的LVDS输出缓冲器还可以提高到
支持50Ω差分端接。
该器件采用紧凑的QFN -48可
封装，规定工作在工业
温度范围（-40 ° C至+ 85°C ） 。
23
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS41B29
ADS41B49
SBAS486D - 2009年11月 - 修订2010年12月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
ADS41B29
套餐 -
领导
QFN-48
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
铅/焊球
完
铜/镍钯金
包
记号
AZ41B29
订购
数
ADS41B29IRGZR
ADS41B29IRGZT
ADS41B49IRGZR
ADS41B49IRGZT
运输
媒体
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
ADS41B49
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ41B49
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
生态规划是计划的环保分级。绿色环保（RoHS ，无锑/溴） ： TI定义
绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
绝对最大额定值
(1)
ADS41B29 ， ADS41B49
民
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， AVDD_BUF
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
AVDD_BUF之间的电压DRVDD / AVDD
INP ， INM
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
， RESET ， SCLK ，
SDATA ， SEN ， DFS
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–2.4
–2.4
–4.2
–0.3
–0.3
–40
–65
最大
2.1
3.9
2.1
0.3
2.4
2.4
4.2
最低
（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
AVDD + 0.3
+85
+125
+150
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
工作的自由空气的温度范围内，T
A
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD，人体模型（ HBM ）
(1)
(2)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM小于| 0.3V | 。
这样做可以防止ESD保护二极管，在转动的时钟输入引脚。
2
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ADS41B29 ADS41B49
ADS41B29
ADS41B49
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热信息
热公制
(1)
ADS41B29,
ADS41B49
罗格列酮
48针
q
JA
q
JCtop
q
JB
y
JT
y
JB
q
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
29
不适用
10
0.3
9
1.13
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
ADS41B29 ， ADS41B49
民
耗材
AVDD
AVDD_BUF
DRVDD
模拟电源电压
模拟缓冲器的电源电压
数字电源电压
1.7
3
1.7
1.8
3.3
1.8
1.9
3.6
1.9
V
V
V
典型值
最大
单位
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
(1)
输入共模电压
最大模拟输入频率与1.5V
PP
输入幅度
最大模拟输入频率1V
PP
输入幅度
时钟输入
ADS41B29/
ADS41B49
低速模式下启用
(3)
低速模式下被禁用
(3)
(2)
(2)
1.5
1.7 ± 0.05
400
600
V
PP
V
兆赫
兆赫
20
> 80
80
250
MSPS
MSPS
输入时钟幅度差（V
CLKP
– V
CLKM
)
正弦波，交流耦合
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
输入时钟占空比低速模式下启用
周期
低速模式下被禁用
数字输出
C
负载
R
负载
T
A
从每个输出引脚的最大外部负载电容来DRGND
LVDS的输出对之间的差分负载电阻
（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
–40
5
100
+85
pF
Ω
°C
40
35
0.2
1.5
1.6
0.7
1.8
50
50
60
65
V
PP
V
PP
V
PP
V
%
%
高性能模式
(4) (5) (6)
模式1
将MODE 1寄存器位来获得整个样本的最佳性能
时钟信号和输入信号的频率。
注册地址= 03H ，寄存器数据= 03H 。
设置模式寄存器2位获得在高输入信号的最佳性能
频率大于230MHz之间。
注册地址= 4Ah可，寄存器数据= 01H 。
模式2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
提供0dB增益。见
增益SFDR / SNR权衡
在第
应用信息
为之间的输入电压范围的关系
和增益。
见
工作原理
在节
应用程序的信息。
见
串行接口
部分，用于对低速模式的细节。
它建议使用这些模式以获得最佳的性能。这些模式中只能设置带串行接口。
见
串行接口
部分对寄存器编程的详细信息。
注意，当不使用串行接口，这些模式不能设置（当RESET引脚连接到高电平） ;看
设备
CON组fi guration
部分。
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ADS41B29 ADS41B49
ADS41B29
ADS41B49
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电气特性： ADS41B29 ， ADS41B49
典型值为+ 25 ° C， AVDD = 1.8V ， AVDD_BUF = 3.3V ， DRVDD = 1.8V ， 1.5V
PP
时钟的幅度， 50 ％时钟占空比
周期， -1dBFS差分模拟输入，和DDR LVDS接口，除非另有说明。的最大值和最小值是
在整个温度范围：T已
民
= -40°C至T
最大
= + 85°C ， AVDD = 1.8V ， AVDD_BUF = 3.3V和DRVDD = 1.8V 。
ADS41B29
参数
决议
f
IN
= 20MHz的
f
IN
= 70MHz时
的SNR （信号噪声比） ，LVDS
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 20MHz的
f
IN
= 70MHz时
SINAD
（信号对噪声和失真比） ，LVDS
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 20MHz的
f
IN
= 70MHz时
无杂散动态范围
SFDR
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 20MHz的
f
IN
= 70MHz时
总谐波失真
THD
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 20MHz的
f
IN
= 70MHz时
二次谐波失真
HD2
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 20MHz的
f
IN
= 70MHz时
第三谐波失真
HD3
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 20MHz的
f
IN
= 70MHz时
最差杂散
（比第二和第三谐波等）
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
双音互调
失真
输入过载恢复
IMD
f
1
= 185MHz ，女
2
= 190MHz ，
每个音调的-7dBFS
恢复到1％以内（最终
值），用于6分贝过载带
正弦波输入
PSRR
ENOB
INL
对于100mV的
PP
在AVDD信号
供给，高达10MHz
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 170MHz的
76
71
71
68
71
65
65.5
68.4
68.3
68.3
68
67.5
68.3
68.1
68.2
67.8
66.5
89
85
87
82
75
85
82
83
79.5
72
93
85
87
87
80
93
88
88
82
75
89
90
90
88
88
–86
77.5
72
72
69
72
66
66.5
测试条件
民
典型值
最大
12
69.7
69.5
69.5
69.1
68.4
69.5
69.3
69.3
68.8
67.4
89
85
87
82
75
85
82
83
79.5
72
93
85
87
87
80
93
88
88
82
75
89
90
90
88
88
–86
民
ADS41B49
典型值
最大
14
单位
位
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBFS的
时钟
周期
dB
最低有效位
±5
最低有效位
1
1
AC电源抑制比
有效位数
集成非线性
> 30
11
±1.5
±3.5
> 30
11.2
±2.5
4
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ADS41B29 ADS41B49
ADS41B29
ADS41B49
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SBAS486D - 2009年11月 - 修订2010年12月
电气特性：一般
典型值为+ 25 ° C， AVDD = 1.8V ， AVDD_BUF = 3.3V ， DRVDD = 1.8V ， 50 ％时钟占空比，除非另有
指出。最低和最高值是在整个温度范围：T已
民
= -40°C至T
最大
= + 85°C ， AVDD = 1.8V ，
AVDD_BUF = 3.3V和DRVDD = 1.8V 。
ADS41B29 ， ADS41B49
参数
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入阻抗，在DC （见
图60）
差分输入电容（见
图61 ）
模拟输入带宽
模拟输入共模电流（每输入引脚）
共模输出电压
VCM输出电流能力
DC精度
偏移误差
偏移误差的温度系数
增益误差，作为其结果
独内参不准确
单独通道增益误差
电源
IAVDD
模拟电源电流
IAVDD_BUF
模拟输入缓冲器的电源电流
IDRVDD
(1)
输出缓冲器的电源电流
LVDS接口与外部100Ω端接
低LVDS摆幅（ 200mV的）
IDRVDD
输出缓冲器的电源电流
LVDS接口与外部100Ω端接
标准LVDS摆幅（ 350mV的）
IDRVDD输出缓冲器的电源电流
(1) (2)
CMOS接口
(2)
为8pF外部负载电容
f
IN
= 2.5MHz的
全球掉电
待机
99.5
29
115
42
mA
mA
E
GREF
E
GCHAN
–2
2.5
–15
2.5
0.003
2
15
mV
毫伏/°C的
％ FS
％ FS
VCM
1.5
10
2
800
2
1.7
4
V
PP
kΩ
pF
兆赫
A
V
mA
民
典型值
最大
单位
63
mA
75
90
mA
35
mA
10
200
25
mW
mW
(1)
(2)
最大DRVDD电流的CMOS接口依赖于数字输出线的实际负载电容。需要注意的是
每个数字输出线路最大推荐负载电容为10pF的。
在CMOS模式中， DRVDD当前鳞用的采样频率，在输出引脚的负载电容，输入频率，并且
电源电压（见
CMOS接口功耗
在节
应用信息） 。
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ADS41B29 ADS41B49
ADS4126 ， ADS4129
ADS4146 ， ADS4149
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SBAS483D - 2009年11月 - 修订2010年4月
14位/ 12位， 160 / 250MSPS ，超低功耗ADC
检查样品：
ADS4126 ， ADS4129 ， ADS4146 ， ADS4149
1
特点
最大采样率： 250MSPS
超低功耗在1.8V单电源：
- 200mW的总功率为160MSPS
- 265mW总功率为250MSPS
高动态性能：
- 信噪比： 70.6dBFS在170MHz的
- SFDR ： 84dBc ，在170MHz的
动态功率调节与采样率
输出接口
- 双数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程Swing和力量
- 标准的Swing ： 350mV的
- 低摆幅： 200mV的
- 默认强度： 100Ω端接
- 2X强度： 50Ω端接
- 1.8V的CMOS并行接口还
支持
可编程增益高达6分贝的SNR / SFDR
权衡
23
直流偏移校正
支持低输入时钟幅度为向下
200mV
PP
包装： QFN - 48 （7毫米× 7毫米）
描述
该ADS414x / 2倍是一个家族的14位/ 12位
模拟 - 数字转换器（ ADC）的采样
速率高达250MSPS 。这些器件采用创新
设计技术，以实现高动态
性能，而功耗极低的功耗
在1.8V电源。该设备非常适合于
多载波
WIDE
带宽
通讯
应用程序。
该ADS414x / 2X有可能被罚款增益选项
用于改善SFDR性能较低
满量程输入范围，尤其是在高输入
频率。它们包括一个直流失调校正环路
这可用于抵消了ADC的偏移。在较低的
采样率时，ADC的自动运行
按比例缩小的动力性能无损失。
该ADS414x / 2X都可以在一个紧凑的QFN -48
pacakge并规定在工业
温度范围（-40 ° C至+ 85°C ） 。
ADS412x / ADS414x系列比较
具有模拟输入缓冲器
家庭
ADS414x
14位家族
ADS412x
12位家族
11-Bit
9-Bit
250MSPS
ADS4149
ADS4129
—
—
160MSPS
ADS4146
ADS4126
—
—
250MSPS
ADS41B49
ADS41B29
—
ADS58B19
200MSPS
—
—
ADS58B18
—
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2009-2010，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS4126 ， ADS4129
ADS4146 ， ADS4149
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
功能框图
DDR LVDS
接口
AVDD
AGND
DRVDD
DRGND
CLKP
CLOCKGEN
CLKM
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
低延时模式
（默认值复位后）
INP
INM
采样
电路
12-Bit
ADC
DDR
串行器
D4_D5_P
D4_D5_M
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
VCM
参考
控制
接口
D10_D11_P
D10_D11_M
常见
数字化功能
OVR_SDOUT
ADS4129
SEN
RESET
DFS
图1. ADS412x框图
2
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SDATA
SCLK
OE
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4126 ， ADS4129
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AVDD
AGND
DRVDD
DRGND
DDR LVDS
接口
CLKP
CLOCKGEN
CLKM
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
D4_D5_P
D4_D5_M
低延时模式
（默认值复位后）
INP
INM
采样
电路
14-Bit
ADC
DDR
串行器
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
D10_D11_P
D10_D11_M
VCM
参考
控制
接口
D12_D13_P
D12_D13_M
常见
数字化功能
OVR_SDOUT
ADS4149
SEN
RESET
DFS
图2. ADS414x框图
SDATA
SCLK
OE
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4126 ， ADS4129
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订购信息
(1)
产品
ADS4126
(3)
ADS4129
(3)
ADS4146
(3)
套餐 -
领导
QFN-48
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
铅/焊球
完
铜/镍钯金
包
记号
AZ4126
订购
数
ADS4126IRGZR
ADS4126IRGZT
ADS4129IRGZR
ADS4129IRGZT
ADS4146IRGZR
ADS4146IRGZT
ADS4149IRGZR
ADS4149IRGZT
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4129
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4146
ADS4149
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4149
(1)
(2)
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
生态规划是计划的环保分级。绿色环保（RoHS ，无锑/溴） ： TI定义
绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
阴影行表示产品预览设备。
该ADS414x / 2X系列引脚兼容上一代产品
ADS6149
家庭;这种架构使
轻松迁移。但是，也有后代，总结在之间的重要差别
表1中。
表1.迁移FROM THE ADS6149系列
ADS6149系列
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3V
DRVDD为1.8V
输入共模电压
VCM是1.5V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
外部基准模式
支持
ADS61B49家庭
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3V
DRVDD为1.8V
输入共模电压
VCM是1.5V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
外部基准模式
支持
不支持
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
VCM是1.7V
AVDD为1.8V ， AVDD_BUF为3.3V
没有变化
引脚21为3.3V AVDD_BUF （供应模拟输入缓冲器）
引脚23是一个数字控制引脚为保留功能。
23引脚的功能如SNR升压使能（仅B18 ） 。
不支持
ADS41B29 / B49 / ADS58B18 FAMILY
VCM是0.95V
AVDD为1.8V
没有变化
销21是NC（未连接）
引脚23是预留的ADS4149系列。它被保留作为数字控制引脚为一个（尚未）
未定义的函数，在下一代的ADC系列。
ADS4149系列
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4126 ， ADS4129
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
价值
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
INP ， INM
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
-0.3 2.1
-0.3 2.1
-0.3 0.3
0至2.1
0至2.1
-0.3为最小（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
， DFS ， OE
-0.3至AVDD + 0.3
-0.3 3.9
-40至+85
+125
-65到+150
2
RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN
工作的自由空气的温度范围内，T
A
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD，人体模型（ HBM ）
(1)
(2)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM小于| 0.3V | 。
这防止了静电保护二极管在从接通时钟输入管脚。
热特性
(1)
参数
R
qJA
(2)
R
QJT
(3)
(1)
(2)
(3)
测试条件
焊接热垫，没有空气流动
焊接热垫， 200LFM
包的底部（散热片）
典型的价值
29
22
1.13
单位
° C / W
° C / W
° C / W
与JEDEC标准高K板和5 × 5阵列通过。见
裸露焊盘
在节
应用程序的信息。
R
qJA
是从结点到环境的热阻。
R
QJT
是热阻结到热垫。
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
ADS4126 ， ADS4129
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14位/ 12位， 160 / 250MSPS ，超低功耗ADC
检查样品：
ADS4126 ， ADS4129 ， ADS4146 ， ADS4149
1
特点
最大采样率： 250MSPS
超低功耗在1.8V单电源：
- 200mW的总功率为160MSPS
- 265mW总功率为250MSPS
高动态性能：
- 信噪比： 70.6dBFS在170MHz的
- SFDR ： 84dBc ，在170MHz的
动态功率调节与采样率
输出接口
- 双数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程Swing和力量
- 标准的Swing ： 350mV的
- 低摆幅： 200mV的
- 默认强度： 100Ω端接
- 2X强度： 50Ω端接
- 1.8V的CMOS并行接口还
支持
可编程增益高达6分贝的SNR / SFDR
权衡
23
直流偏移校正
支持低输入时钟幅度为向下
200mV
PP
包装： QFN - 48 （7毫米× 7毫米）
描述
该ADS414x / 2倍是一个家族的14位/ 12位
模拟 - 数字转换器（ ADC）的采样
速率高达250MSPS 。这些器件采用创新
设计技术，以实现高动态
性能，而功耗极低的功耗
在1.8V电源。该设备非常适合于
多载波
WIDE
带宽
通讯
应用程序。
该ADS414x / 2X有可能被罚款增益选项
用于改善SFDR性能较低
满量程输入范围，尤其是在高输入
频率。它们包括一个直流失调校正环路
这可用于抵消了ADC的偏移。在较低的
采样率时，ADC的自动运行
按比例缩小的动力性能无损失。
该ADS414x / 2X都可以在一个紧凑的QFN -48
pacakge并规定在工业
温度范围（-40 ° C至+ 85°C ） 。
ADS412x / ADS414x系列比较
具有模拟输入缓冲器
家庭
ADS414x
14位家族
ADS412x
12位家族
11-Bit
9-Bit
250MSPS
ADS4149
ADS4129
—
—
160MSPS
ADS4146
ADS4126
—
—
250MSPS
ADS41B49
ADS41B29
—
ADS58B19
200MSPS
—
—
ADS58B18
—
1
2
3
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不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
功能框图
DDR LVDS
接口
AVDD
AGND
DRVDD
DRGND
CLKP
CLOCKGEN
CLKM
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
低延时模式
（默认值复位后）
INP
INM
采样
电路
12-Bit
ADC
DDR
串行器
D4_D5_P
D4_D5_M
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
VCM
参考
控制
接口
D10_D11_P
D10_D11_M
常见
数字化功能
OVR_SDOUT
ADS4129
SEN
RESET
DFS
图1. ADS412x框图
2
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SDATA
SCLK
OE
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ADS4126 ADS4129 ADS4146 ADS4149
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AVDD
AGND
DRVDD
DRGND
DDR LVDS
接口
CLKP
CLOCKGEN
CLKM
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
D4_D5_P
D4_D5_M
低延时模式
（默认值复位后）
INP
INM
采样
电路
14-Bit
ADC
DDR
串行器
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
D10_D11_P
D10_D11_M
VCM
参考
控制
接口
D12_D13_P
D12_D13_M
常见
数字化功能
OVR_SDOUT
ADS4149
SEN
RESET
DFS
图2. ADS414x框图
SDATA
SCLK
OE
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订购信息
(1)
产品
ADS4126
(3)
ADS4129
(3)
ADS4146
(3)
套餐 -
领导
QFN-48
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
铅/焊球
完
铜/镍钯金
包
记号
AZ4126
订购
数
ADS4126IRGZR
ADS4126IRGZT
ADS4129IRGZR
ADS4129IRGZT
ADS4146IRGZR
ADS4146IRGZT
ADS4149IRGZR
ADS4149IRGZT
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4129
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4146
ADS4149
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ4149
(1)
(2)
(3)
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绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
阴影行表示产品预览设备。
该ADS414x / 2X系列引脚兼容上一代产品
ADS6149
家庭;这种架构使
轻松迁移。但是，也有后代，总结在之间的重要差别
表1中。
表1.迁移FROM THE ADS6149系列
ADS6149系列
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3V
DRVDD为1.8V
输入共模电压
VCM是1.5V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
外部基准模式
支持
ADS61B49家庭
引脚
销21是NC（未连接）
引脚23是模式
供应
AVDD为3.3V
DRVDD为1.8V
输入共模电压
VCM是1.5V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器
数据
外部基准模式
支持
不支持
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
VCM是1.7V
AVDD为1.8V ， AVDD_BUF为3.3V
没有变化
引脚21为3.3V AVDD_BUF （供应模拟输入缓冲器）
引脚23是一个数字控制引脚为保留功能。
23引脚的功能如SNR升压使能（仅B18 ） 。
不支持
ADS41B29 / B49 / ADS58B18 FAMILY
VCM是0.95V
AVDD为1.8V
没有变化
销21是NC（未连接）
引脚23是预留的ADS4149系列。它被保留作为数字控制引脚为一个（尚未）
未定义的函数，在下一代的ADC系列。
ADS4149系列
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
价值
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
INP ， INM
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
-0.3 2.1
-0.3 2.1
-0.3 0.3
0至2.1
0至2.1
-0.3为最小（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
， DFS ， OE
-0.3至AVDD + 0.3
-0.3 3.9
-40至+85
+125
-65到+150
2
RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN
工作的自由空气的温度范围内，T
A
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD，人体模型（ HBM ）
(1)
(2)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM小于| 0.3V | 。
这防止了静电保护二极管在从接通时钟输入管脚。
热特性
(1)
参数
R
qJA
(2)
R
QJT
(3)
(1)
(2)
(3)
测试条件
焊接热垫，没有空气流动
焊接热垫， 200LFM
包的底部（散热片）
典型的价值
29
22
1.13
单位
° C / W
° C / W
° C / W
与JEDEC标准高K板和5 × 5阵列通过。见
裸露焊盘
在节
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R
qJA
是从结点到环境的热阻。
R
QJT
是热阻结到热垫。
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