APT94N60L2C3
600V 94A 0.035
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
TO-264
最大
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
TO- 264封装的最大
除非另有说明， Microsemi的分立MOSFET包含单个MOSFET管芯。此装置由用
两个平行MOSFET芯片。它是用于开关模式操作。它不适合于线性模式操作。
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT94N60L2C3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
600
94
282
±20
±30
833
6.67
-55到150
300
50
20
1
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 94A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
1800
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
600
0.03
1.0
0.035
50
500
±200
2.10
3
3.9
(V
GS
= 10V ， 60A ）
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.4毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7148修订版D
6-2006
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT94N60L2C3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 94A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 13V
V
DD
= 380V
I
D
= 94A @ 125°C
R
G
= 0.9
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 94A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V V
GS
= 15V
I
D
= 94A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
13600
4400
290
505
48
240
18
27
110
8
2040
3515
2920
3970
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
pF
640
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
165
12
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
94
282
1
861
46
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
94A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
94A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
反向恢复电荷（我
S
= -
94A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.15
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 36.0mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
94A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
0.14
0.12
0.9
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7148修订版D
6-2006
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
APT94N60L2C3
VGS = 15 &10V
6V & 6.5V
5.5V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
( C)
0.0618
耗散功率
（瓦特）
0.0230
0.436
T
C
( C)
0.0885
5V
Z
EXT
4.5V
4V
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
归一
= 10V @ 47A
V
GS
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
TJ = -55°C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
TJ = + 25°C
VGS=10V
0
100
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
20
I
D
，漏极电流（安培）
80
60
40
20
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3
I
V
D
0
25
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 47A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7148修订版D
6-2006
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
60,000
APT94N60L2C3
西塞
10,000
C，电容（pF ）
图中删除
科斯
1,000
100
CRSS
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 94A
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
12
VDS = 120V
8
VDS = 300V
VDS = 480V
4
100 200 300 400 500 600 700 800
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
600
500
t
D（关闭）
V
= 400V
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
250
V
DD
G
1
= 400V
R
= 5
200
T = 125°C
J
L = 100μH
t
f
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
400
300
200
100
DD
G
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
150
100
t
r
50
t
D（上）
0
10
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
DD
G
30
50
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
16000
14000
开关能量（ μJ ）
V
I
DD
0
10
30
50
8000
7000
开关能量（ μJ ）
V
= 400V
= 400V
R
= 5
T = 125°C
J
D
J
= 94A
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
6000
5000
4000
3000
2000
1000
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
12000
10000
8000
6000
4000
2000
E
关闭
E
关闭
6-2006
E
on
E
on
050-7148修订版D
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
30
50
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
APT94N60L2C3
10%
t
D（上）
t
r
90%
5%
10%
开关能量
栅极电压
T
T
J
= 125 C
90%
栅极电压
T
J
= 125 C
t
D（关闭）
集电极电流
t
f
90%
集电极电流
5%
集电极电压
集电极电压
0
10%
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
门
漏
6-2006
050-7148修订版D
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT94N60L2C3
600V 94A 0.035
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
TO-264
最大
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
TO- 264封装的最大
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT94N60L2C3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
600
94
282
±20
±30
833
6.67
-55到150
300
50
20
1
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 94A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
1800
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
600
0.03
1.0
0.035
50
500
±200
2.10
3
3.9
(V
GS
= 10V ， 60A ）
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.4毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7148版本C
6-2004
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT94N60L2C3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 94A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 13V
V
DD
= 380V
I
D
= 94A @ 125°C
R
G
= 0.9
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 94A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V V
GS
= 15V
I
D
= 94A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
13600
4400
290
505
48
240
18
27
110
8
2040
3515
2920
3970
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
pF
640
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
165
12
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
94
282
1
861
46
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
94A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
94A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
反向恢复电荷（我
S
= -
94A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.15
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 36.0mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
94A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.14
0.12
0.9
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7148版本C
6-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
APT94N60L2C3
VGS = 15 &10V
6V & 6.5V
5.5V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0618
动力
（瓦特）
0.0885
外壳温度。 （ ° C）
0.436F
0.0230F
5V
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
归一
= 10V @ 47A
V
GS
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
TJ = -55°C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
TJ = + 25°C
VGS=10V
0
100
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
20
I
D
，漏极电流（安培）
80
60
40
20
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3
I
V
D
0
25
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 47A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7148版本C
6-2004
典型性能曲线
282
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
60,000
APT94N60L2C3
西塞
I
D
，漏极电流（安培）
100
50
100S
C，电容（pF ）
10,000
科斯
1,000
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
10mS
100
CRSS
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 94A
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
12
VDS = 120V
8
VDS = 300V
VDS = 480V
4
100 200 300 400 500 600 700 800
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
600
500
t
D（关闭）
V
= 400V
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
250
V
DD
G
1
= 400V
R
= 5
200
T = 125°C
J
L = 100μH
t
f
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
400
300
200
100
DD
G
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
150
100
t
r
50
t
D（上）
0
10
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
DD
G
30
50
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
16000
14000
开关能量（ μJ ）
V
I
DD
0
10
30
50
8000
7000
开关能量（ μJ ）
V
= 400V
= 400V
R
= 5
T = 125°C
J
D
J
= 94A
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
6000
5000
4000
3000
2000
1000
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
12000
10000
8000
6000
4000
2000
E
关闭
E
关闭
6-2004
E
on
E
on
050-7148版本C
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
30
50
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
APT94N60L2C3
10%
t
D（上）
t
r
90%
5%
10%
开关能量
栅极电压
T
T
J
= 125 C
90%
栅极电压
T
J
= 125 C
t
D（关闭）
集电极电流
t
f
90%
集电极电流
5%
集电极电压
集电极电压
0
10%
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
门
漏
6-2004
050-7148版本C
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT94N60L2C3
600V 94A 0.035
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
TO-264
最大
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
TO- 264封装的最大
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT94N60L2C3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
600
94
282
±20
±30
833
6.67
-55到150
300
50
20
1
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 94A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
1800
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
600
0.03
1.0
0.035
50
500
±200
2.10
3
3.9
(V
GS
= 10V ， 60A ）
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.4毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7148版本C
6-2004
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT94N60L2C3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 94A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 13V
V
DD
= 380V
I
D
= 94A @ 125°C
R
G
= 0.9
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 94A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V V
GS
= 15V
I
D
= 94A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
13600
4400
290
505
48
240
18
27
110
8
2040
3515
2920
3970
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
pF
640
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
165
12
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
94
282
1
861
46
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
94A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
94A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
反向恢复电荷（我
S
= -
94A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 350V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.15
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 36.0mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 10A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
94A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.14
0.12
0.9
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7148版本C
6-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
APT94N60L2C3
VGS = 15 &10V
6V & 6.5V
5.5V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0618
动力
（瓦特）
0.0885
外壳温度。 （ ° C）
0.436F
0.0230F
5V
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
归一
= 10V @ 47A
V
GS
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
TJ = -55°C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
TJ = + 25°C
VGS=10V
0
100
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
20
I
D
，漏极电流（安培）
80
60
40
20
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3
I
V
D
0
25
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 47A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7148版本C
6-2004
典型性能曲线
282
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
60,000
APT94N60L2C3
西塞
I
D
，漏极电流（安培）
100
50
100S
C，电容（pF ）
10,000
科斯
1,000
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
10mS
100
CRSS
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 94A
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
12
VDS = 120V
8
VDS = 300V
VDS = 480V
4
100 200 300 400 500 600 700 800
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
600
500
t
D（关闭）
V
= 400V
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
250
V
DD
G
1
= 400V
R
= 5
200
T = 125°C
J
L = 100μH
t
f
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
400
300
200
100
DD
G
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
（纳秒）
150
100
t
r
50
t
D（上）
0
10
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
DD
G
30
50
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
16000
14000
开关能量（ μJ ）
V
I
DD
0
10
30
50
8000
7000
开关能量（ μJ ）
V
= 400V
= 400V
R
= 5
T = 125°C
J
D
J
= 94A
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
6000
5000
4000
3000
2000
1000
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
12000
10000
8000
6000
4000
2000
E
关闭
E
关闭
6-2004
E
on
E
on
050-7148版本C
70
90
110 130 150
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
10
30
50
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
APT94N60L2C3
10%
t
D（上）
t
r
90%
5%
10%
开关能量
栅极电压
T
T
J
= 125 C
90%
栅极电压
T
J
= 125 C
t
D（关闭）
集电极电流
t
f
90%
集电极电流
5%
集电极电压
集电极电压
0
10%
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
门
漏
6-2004
050-7148版本C
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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