APT84F50B2
APT84F50L
500V, 84A, 0.065 Max, trr
≤320ns
N沟道FREDFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
T-最大
TM
TO-264
APT84F50B2
APT84F50L
D
单芯片FREDFET
G
S
特点
快速，低EMI转换
低反向恢复时间trr高可靠性
超低的Crss ，以提高抗噪声能力
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS标准
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
PFC等升压转换器
降压转换器
单和两个开关正激
反激式
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
84
53
270
±30
1845
42
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.22
6.2
10
1.1
-55
0.11
150
300
民
典型值
最大
1135
0.11
单位
W
° C / W
°C
oz
g
·在磅
N·m的
05-2009
050-8176
版本B
力矩
安装扭矩（ TO- 264封装） ， 4-40或M3螺丝
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 42A
APT84F50B2_L
典型值
0.60
0.055
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
250
1000
±100
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
500
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 2.5毫安
V
DS
= 500V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2.5
0.065
5
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25°C unless otherwise specified
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 42A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
65
13500
185
1455
845
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至333V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 42A,
V
DS
= 250V
电阻开关
V
DD
= 333V
,
I
D
= 42A
R
G
= 2.2
6
,
V
GG
= 15V
425
340
75
155
60
70
155
50
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
84
单位
G
S
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
A
270
1.0
320
600
V
ns
C
A
20
V / ns的
I
SD
= 42A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 42A
3
di
SD
/
DT = 100A / μs的
V
DD
= 100V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
282
499
1.67
4.36
12
17.8
I
SD
≤
42A ， di / dt的
≤1000A/s,
V
DD
= 333V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 2.08mH ，R
G
= 25, I
AS
= 42A.
05-2009
版本B
050-8176
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -3.14E - 7 / V
DS
^ 2 + 7.31E - 8 / V
DS
+ 2.09E-10.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息所包含。
350
300
I
D
，漏电流（ A）
250
200
V
GS
= 10V
160
T = 125°C
J
APT84F50B2_L
V
GS
= 7,8 & 10V
140
I
D
， DRIAN电流（A）
T
J
= -55°C
120
100
80
60
40
5V
6V
T
J
= 25°C
150
100
50
0
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
20
0
5
10
15
20
25
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
Figure 1, Output Characteristics
归一
V
GS
= 10V @ 42A
4.5V
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 2, Output Characteristics
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
2.5
280
240
I
D
，漏电流（ A）
200
160
120
80
40
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
2.0
1.5
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1.0
0.5
0
-55 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
Figure 3, R
DS （ ON）
VS结温
120
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
Figure 4, Transfer Characteristics
C
国际空间站
8
20,000
10,000
g
fs
，跨导
T
J
= -55°C
80
60
40
20
0
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1000
C
OSS
100
C
RSS
0
10
20 30 40 50 60 70 80
I
D
，漏电流（ A）
Figure 5, Gain vs Drain Current
90
10
100
200
300
400
500
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
0
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
I
D
= 42A
280
I
SD ，
反向漏电流（ A）
240
200
160
T
J
= 25°C
V
DS
=
100V
V
DS
=
250V
120
80
40
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
0
0
05-2009
050-8176
版本B
T
J
= 150°C
V
DS
=
400V
100
200
300
400
500
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
0
0
300
100
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
300
100
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
APT84F50B2_L
10
RDS （ ON）
13s
100s
1ms
10ms
100ms
DC线
13s
10
RDS （ ON）
100s
1ms
10ms
100ms
DC线
1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
0.1
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 9, Forward Safe Operating Area
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 10, Maximum Forward Safe Operating Area
1
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
l
0.7
0.5
注意：
PDM
t1
t2
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
Figure 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance Junction-to-Case vs Pulse Duration
1.0
T-MAX (B2) Package Outline
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO-264 (L) Package Outline
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
E3 100 ％锡镀
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
05-2009
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
版本B
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-8176
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
