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AP9962M

先进的电源

电子股份有限公司

D2

N沟道增强模式

功率MOSFET

D2

▼

低导通电阻

▼

单驱动要求

▼

表面贴装封装

D1

D1

BV

DSS

R

DS （ ON）

G2

40V

25mΩ

7A

SO-8

S1

G1 S2

I

D

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

D1

D2

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流

3

, V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1,2

3

等级

40

±20

7

5.5

20

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200407031

AP9962M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

40

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.1

-

-

-

11

-

-

-

25.8

4.4

9.1

10.6

6.8

26.3

12

1165

205

142

MAX 。单位

-

-

25

40

3

-

1

25

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=7A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=7A

V

DS

=40V, V

GS

=0V

V

DS

=32V ,V

GS

=0V

V

GS

= ± 20V

I

D

=7A

V

DS

=32V

V

GS

=4.5V

V

DS

=20V

I

D

=1A

R

G

=5.7Ω,V

GS

=10V

R

D

=20Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

Is=1.7A,

V

GS=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

21.2

16

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

QRR

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。

AP9962M

25

25

T

C

=25 C

20

o

10V

8.0V

20

T

C

=150

o

C

10V

8.0V

5.0V

5.0V

I

D

，漏电流（ A）

4.0V

15

I

D

，漏电流（ A）

4.0V

15

10

10

V

G

=3.0V

5

5

V

G

=3.0V

0

0

1

2

3

4

5

6

0

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

35

1.8

I

D

=7A

T

C

=25

o

C

30

1.6

I

D

=7A

VG=10V

归一化

DS （ ON）

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

25

1.2

1.0

20

0.8

15

3

4

5

6

7

8

9

10

11

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

(V)

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

3

100

2.8

2.6

10

2.4

T

j

=150 C

I

S

(A)

1

o

T

j

=25

o

C

V

GS

（ TH ）

2.2

2

1.8

1.6

0.1

1.4

1.2

0.01

0

0.4

0.8

1.2

1.6

1

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

结温（

o

C )

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9962M

14

10000

f=1.0MHz

I

D

=7A

12

V

GS

，门源电压（ V）

V

DS

=20V

10

V

DS

=25V

V

DS

=32V

C（ pF）的

西塞

1000

8

6

100

4

科斯

CRSS

2

0

0

5

10

15

20

25

30

35

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

VDS （ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

DUTY=0.5

归热响应（R

thJA

)

10

0.2

0.1

0.1

1ms

I

D

(A)

1

0.05

10ms

100ms

P

DM

0.02

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

Rthja = 135 ℃ / W

0.1

T

c

=25

o

C

单脉冲

0.01

1s

DC

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

R

D

V

DS

对

D

V

DS

对

示波器

0.5倍额定V

DS

D

示波器

0.8倍额定V

DS

G

S

V

GS

R

G

+

10V

-

G

S

V

GS

+

1 3毫安

-

I

G

I

D

图11.开关时间电路

图12.栅极电荷电路

AP9962M

先进的电源

电子股份有限公司

D2

N沟道增强模式

功率MOSFET

D2

▼

低导通电阻

▼

单驱动要求

▼

表面贴装封装

D1

D1

BV

DSS

R

DS （ ON）

G2

40V

25mΩ

7A

SO-8

S1

G1 S2

I

D

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

D1

D2

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流

3

, V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1,2

3

等级

40

±20

7

5.5

20

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200407031

AP9962M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

40

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.1

-

-

-

11

-

-

-

25.8

4.4

9.1

10.6

6.8

26.3

12

1165

205

142

MAX 。单位

-

-

25

40

3

-

1

25

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=7A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=7A

V

DS

=40V, V

GS

=0V

V

DS

=32V ,V

GS

=0V

V

GS

= ± 20V

I

D

=7A

V

DS

=32V

V

GS

=4.5V

V

DS

=20V

I

D

=1A

R

G

=5.7Ω,V

GS

=10V

R

D

=20Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

Is=1.7A,

V

GS=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

21.2

16

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

QRR

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。

AP9962M

25

25

T

C

=25 C

20

o

10V

8.0V

20

T

C

=150

o

C

10V

8.0V

5.0V

5.0V

I

D

，漏电流（ A）

4.0V

15

I

D

，漏电流（ A）

4.0V

15

10

10

V

G

=3.0V

5

5

V

G

=3.0V

0

0

1

2

3

4

5

6

0

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

35

1.8

I

D

=7A

T

C

=25

o

C

30

1.6

I

D

=7A

VG=10V

归一化

DS （ ON）

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

25

1.2

1.0

20

0.8

15

3

4

5

6

7

8

9

10

11

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

(V)

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

3

100

2.8

2.6

10

2.4

T

j

=150 C

I

S

(A)

1

o

T

j

=25

o

C

V

GS

（ TH ）

2.2

2

1.8

1.6

0.1

1.4

1.2

0.01

0

0.4

0.8

1.2

1.6

1

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

结温（

o

C )

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9962M

14

10000

f=1.0MHz

I

D

=7A

12

V

GS

，门源电压（ V）

V

DS

=20V

10

V

DS

=25V

V

DS

=32V

C（ pF）的

西塞

1000

8

6

100

4

科斯

CRSS

2

0

0

5

10

15

20

25

30

35

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

VDS （ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

DUTY=0.5

归热响应（R

thJA

)

10

0.2

0.1

0.1

1ms

I

D

(A)

1

0.05

10ms

100ms

P

DM

0.02

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

Rthja = 135 ℃ / W

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单脉冲

0.01

1s

DC

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

R

D

V

DS

对

D

V

DS

对

示波器

0.5倍额定V

DS

D

示波器

0.8倍额定V

DS

G

S

V

GS

R

G

+

10V

-

G

S

V

GS

+

1 3毫安

-

I

G

I

D

图11.开关时间电路

图12.栅极电荷电路

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