APT8014L2FLL
800V 52A 0.140
W
功率MOS 7
TM
FREDFET
TO-264
最大
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
更高的功耗
容易驾驶
热门TO- 264
最大
包
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT8014L2FLL
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
52
208
±30
±40
890
7.12
300
52
50
（重复，不重复）
1
4
800
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
800
52
0.140
250
1000
±100
3
5
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7104 REV- 9-2001
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT8014L2FLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
7710
1480
244
284
37
20
19
69
15
161
nC
栅极 - 源电荷
导通延迟时间
上升时间
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
5
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
=0.6W
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
52
208
1.3
18
440
1100
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.0
13
15
30
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
C
安培
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.14
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 2.37mH ， R = 25W ，峰值I = 52A
j
G
L
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
续。
di
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
[
]
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留权利更改，
恕不另行通知，规格
与此处包含的信息。
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
050-7104 REV- 9-2001
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
800V
52A
0.16
APT8014L2FLL
*
G
APT8014L2FLLG*
指符合RoHS ，无铅终端完成。
功率MOS 7
R
FREDFET
TO-264
最大
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有Microsemi的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
更高的功耗
容易驾驶
热门TO- 264
最大
包
快速恢复体二极管
APT8014L2FLL(G)
单位
伏
安培
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
800
52
208
±30
±40
893
7.14
-55到150
300
52
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.160
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V ， 26A ）
欧
A
nA
伏
5-2006
050-7104修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 640V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT8014L2FLL(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 52A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 400V
I
D
= 52A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 52A ，R
G
= 3
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V V
GS
= 15V
I
D
= 52A ，R
G
= 3
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
7238
1402
248
285
30
170
20
19
69
15
1091
1135
1662
1383
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
dt
6
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
52
208
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -52A)
5
dv
/
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -52A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -52A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -52A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
440
1100
2.0
13
15
30
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.14
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.16
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 2.37mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 52A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
52A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
800V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.14
0.9
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
10
-5
0.3
0.7
注意：
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
0.5
050-7104修订版B
5-2006
0.1
0.05
10
-4
10
-3
单脉冲
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
140
120
100
80
60
40
20
0
VGS = 15 & 10V
8V
7V
APT8014L2FLL(G)
6.5V
6V
T
J
( C)
0.0509
耗散功率
（瓦特）
0.0522
0.988
T
C
( C)
0.0894
Z
EXT
5.5V
5V
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
图2 ，瞬态热阻抗模型
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
140
I
D
，漏极电流（安培）
1.40
1.30
1.20
120
100
80
60
40
20
0
归一
V
= 10V @ 26A
GS
TJ = -55°C
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
60
50
40
30
20
10
0
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0.90
2.5
I
V
D
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 26A
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7104修订版B
5-2006
208
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
C，电容（pF ）
APT8014L2FLL(G)
西塞
100
50
100S
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
1,000
科斯
10mS
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
100
1
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
= 52A
12
VDS = 160V
VDS = 400V
8
VDS = 640V
4
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
100 150 200 250 300 350 400
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D（关闭）
0
0
50
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
140
120
100
V
DD
G
1
= 533V
R
= 3
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
R
G
= 3
t
r
和T
f
（纳秒）
100
80
60
40
20
0
10
V
DD
= 533V
t
f
T = 125°C
J
80
60
40
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
20
30
40
50
60
70
80
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
DD
G
40
50
60
70
80
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
12000
10000
开关能量（ μJ ）
V
I
DD
0
10
20
30
3000
2500
开关能量（ μJ ）
V
= 533V
= 533V
R
= 3
D
J
= 52A
T = 125°C
J
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
L = 100μH
2000
1500
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
8000
6000
4000
2000
0
E
on
1000
500
0
10
E
关闭
050-7104修订版B
5-2006
E
on
40
50
60
70
80
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
20
30
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
5
典型性能曲线
APT8014L2FLL(G)
10 %
T = 125℃
J
90%
t
栅极电压
T = 125℃
J
t
D（上）
90%
t
r
5%
开关能量
D（关闭）
漏极电压
90%
t
f
10%
开关能量
漏电流
5%
10 %
0
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 264 MAX
TM
（ L2 ）封装外形
E1国资委：锡，银，铜
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7104修订版B
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5-2006
门
漏
来源
QQ：2880707522 复制
