a
特点
1.5 ％的准确度电压，负载和温度
低800 A（典型值）的静态电流
关断电流： 1 （典型值）
稳定的10架F负载电容
+ 2.5V至+ 15V工作电压范围
固定输出电压选项： 2.8 V， 3 V ， 3.3 V ， 5 V
高达10A的输出电流
SO- 8封装
-40°C至+ 85°C环境温度范围
内部栅极至源极钳位保护
电流和热限制
可编程电流限制
折返式限流
应用
台式电脑
手持式仪器
移动电话
电池供电设备
太阳能供电的仪表
高英法fi效率线性电源
电池充电器
V
IN
+
EN
BIAS
精密电压
DC控制器
ADP3310
功能框图
V
IN
+
ADP3310
–
50mV
IS
V
REF
门
V
OUT
GND
R
S
50mV
NDP6020P
V
OUT
+
10 F
–
概述
1 F
–
该ADP3310是精密稳压控制器
可以通过外部电源PMOS器件被用于诸如
NDP6020P形成两片低压差线性稳压器。
低静态电流（ 800
A)
而启用功能
使该器件特别适用于电池供电系统。
在压差为1 A只有70毫伏的使用时，
NDP6020P ，允许以最小的净空的操作和
延长电池的使用寿命。该ADP3310可以驱动宽
的电流范围内，这取决于所使用的外部PMOS器件上。
该器件的其它特性包括：高精度（ ± 1.5 ％ ）
线路，负载和温度下，栅极 - 源极电压钳位到
保护外部MOSFET和折返电流限制。一
50毫伏（典型值）电流限制门限电压允许50毫欧的
电路板的金属走线电阻提供1A电流限制。
该ADP3310从一个宽输入电压范围工作
2.5 V至15 V ，并提供小型SO- 8封装。
IS
V
IN
EN
门
V
OUT
ON
关闭
ADP3310
GND
图1.典型应用电路
REV 。一
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可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
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联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1999
ADP3310–SPECIFICATIONS
(V
参数
输出电压精度（图1 ）
静态电流
关断模式
普通模式
门源钳位电压
栅极驱动最小电压
栅极驱动电流（漏/源）
收益
V
OUT
V
GS
IN
= V
OUT
+ 1 V ，T
A
= -40°C至+ 85°C ，除非另有说明）
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
IN
= V
OUT
+1 V至15 V
V
EN
= 2 V，I
OUT
= 10毫安
到1
V
EN
= 0 V
V
EN
= 2 V，I
OUT
= 500
A
V
OUT
= 0 V, V
IN
= 15 V
V
OUT
I
GND
I
GND
–1.5
1
800
8
0.7
1
80
+1.5
10
1000
10
%
A
A
V
V
mA
dB
电流限制门限电压
负载调整率
线路调整
关断输入电压
关断输入电流
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
V
IN
– V
IS
I
OUT
= 10 mA至1
V
IN
= V
OUT
+1 V至15 V
I
OUT
= 100毫安
V
IH
V
IL
V
EN
= 0 V至5.0 V
V
EN
I
EN
40
–10
–10
2.0
50
80
10
10
0.4
mV
mV
mV
V
V
A
–10
+10
绝对最大额定值*
输入电压V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20 V
使能输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
IN
+ 0.3 V
工作结温范围。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
θ
JA
（ 4层板） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 121 ° C / W
θ
JA
（ 2层板。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150℃ / W的
*这是一个额定值;超出这些限制的操作可能会导致设备
永久损坏。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADP3310具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–2–
REV 。一
ADP3310
订购指南
模型
ADP3310AR-2.8
ADP3310AR-3
ADP3310AR-3.3
ADP3310AR-5
输出电压
2.8 V
3V
3.3 V
5V
封装选项*
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
引脚配置
SO-8
1
NC 2
8 EN
7 GND
顶视图
3号门（不按比例） 6 NC
V
IN
4
5 V
OUT
ADP3310
* SO =小外形。工厂的其他输出的可用性，请联系
从5 V至16.5 V电压选项
请参考ADP3319数据手册1.8 V和2.5 V输出电压选项。
请参考ADP3328数据手册可调输出版本。
NC =无连接
引脚功能描述
针
SO-8
1
名字
IS
功能
电流检测。连接到所述多
感测电阻器的负端子
还有功率MOSFET的源极引脚。
IS必须连接到V
IN
销如果当前
限制功能不被使用。
无连接。
栅极驱动外部MOSFET。
输入电压。这也是正
的电流检测端子连接
电阻器。
输出电压检测。该引脚
连接到所述MOSFET的漏极和
直接向负载为最佳负载调节
化。旁路至地10
F
or
更大的电容。
设备接地。该引脚应连接到
系统地最接近于负载。
启用。要将这个引脚为逻辑高或
绑脚的输入电压使
的输出。要将这个引脚将禁止
稳压器的输出。
2, 6
3
4
NC
门
V
IN
5
V
OUT
7
8
GND
EN
表一备用PMOS器件
PMOS
生产厂家
R
DS （ ON）
I
D
连续@ 25°C
P
D
@ 25°C
降额因子
包
NDP6020P
飞兆半导体
0.075
@ V
GS
= –2.5 V
-27 A @ V
GS
= –4.5 V
75 W
0.5 W / ℃，
TO-220
IRF7404
IR
0.06
@ V
GS
= –2.7 V
-5.3 A @ V
GS
= –4.5 V
1.6 W
0.011 W / ℃，
SO-8
Si9434DY
TEMIC
0.06
@ V
GS
= –2.5 V
–6.4 A
2.5 W
1.6瓦@ 70℃
SO-8
REV 。一
–3–
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