APT50M80B2VR
APT50M80LVR
功率MOS V
功率MOS
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
V
T-最大
TM
500V 58A 0.080
TO-264
相同的规格：
T- MAX
或TO- 264封装
更快的开关
低漏
额定雪崩能量
G
S
D
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50M80B2VR _ LVR
单位
伏
安培
500
58
232
±30
±40
625
5.0
-55到150
300
58
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
500
0.080
25
250
±100
2
4
(V
GS
= 10V ， 29A ）
欧
A
nA
伏
12-2003
050-5916修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT50M80B2VR_LVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 58A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 58A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
8797
1286
562
423
41
214
14
25
64
23
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
58
232
1.3
680
17.0
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -58A)
反向恢复时间（I
S
= -58A ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -58A ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 1.78mH ， R = 25Ω ，峰值I = 58A
j
G
L
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.25
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.20
0.9
0.15
0.7
0.5
12-2003
0.10
注意：
PDM
t1
t2
0.3
0.05
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
050-5916修订版A
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
160
I
D
，漏极电流（安培）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
APT50M80B2VR_LVR
15 &10V
7V
140
120
100
80
60
5V
40
4.5V
20
4V
0
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0.0302
0.00809F
6V
动力
（瓦特）
5.5V
0.0729
0.0182F
0.0955
外壳温度。 （ ° C）
0.264F
0
图2 ，瞬态热阻抗模型
100
90
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.4
归一
V
= 10V @ 29A
GS
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
1.3
1.2
1.1
VGS=10V
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
0
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
60
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
D
，漏极电流（安培）
1.15
1.10
50
40
30
20
10
0
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
25
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
2.5
I
V
D
= 29A
= 10V
GS
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
050-5916修订版A
12-2003
APT50M80B2VR_LVR
232
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
100
C，电容（pF ）
10,000
西塞
100S
10
1mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
1,000
科斯
CRSS
10mS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 58A
200
100
12
VDS=100V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS=250V
VDS=400V
4
100 200 300 400 500 600 700
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
T-最大
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
12-2003
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-5916修订版A
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
