【DTO-247GSAPT4020BN 400V26.0A 0.2023.0A 0.25功率MOS I】,IC型号APT4020BN,APT4020BN PDF资料,APT4020BN经销商,ic,电子元器件-51电子网

TO-247

APT4020BN 400V

26.0A 0.20

23.0A 0.25

功率MOS IV

最大额定值

符号

DSS

英镑

参数

漏源电压

APT4025BN 400V

N - 沟道增强型高压功率MOSFET

所有评分：T已

= 25 ° C除非另有规定ED 。

APT

4020BN

APT

4025BN

单位

伏

安培

400

104

±30

310

2.48

400

连续漏电流@ T

= 25°C

漏电流脉冲

栅源电压

总功率耗散@ T

= 25°C

线性降额因子

工作和存储结温范围

焊接温度： 0.063"案件从10秒。

伏

瓦

W / ℃，

°C

-55到150

300

静态电气特性

符号

DSS

特性/测试条件/型号

漏源击穿电压

= 0V时，我

= 250

在国家漏极电流

民

APT4020BN

APT4025BN

APT4020BN

APT4025BN

APT4020BN

APT4025BN

典型值

最大

单位

伏

400

安培

（上）

＆ GT ;我

（接通）个R

（ON ）最大值，V

= 10V)

漏源导通电阻

= 10V ， 0.5升

[续] ）

零栅极电压漏极电流（V

= V

DSS

, V

= 0V)

0.20

欧

（上）

0.25

250

1000

±100

伏

DSS

GSS

（ TH ）

零栅极电压漏极电流（V

= 0.8 V

DSS

, V

= 0V ，T

= 125°C)

门源漏电流（V

±30V,

= 0V)

栅极阈值电压

= V

, I

= 1.0毫安）

热特性

符号

θJC

θJA

特征

结到外壳

结到环境

民

典型值

最大

单位

° C / W

050-4007版本C

0.40

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

美国

405 S.W.哥伦比亚街

德，俄勒冈州97702 -1035

F- 33700梅里捏克 - 法国

电话：（ 541 ） 382-8028

电话：（ 33 ） 5 57 92 15 15

传真：（ 541 ） 388-0364

FAX ：（ 33 ） 10 56 47 97 61

欧洲

大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北

动态特性

符号

国际空间站

OSS

RSS

（上）

（关闭）

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

APT4020/4025BN

测试条件

= 0V

= 25V

F = 1 MHz的

= 10V

= 0.5 V

DSS

= I

[续] @ 25°C

= 15V

= 0.5 V

DSS

= I

[续] @ 25°C

= 1.8

民

典型值

最大

单位

2380

563

207

2950

750

310

130

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller " ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

特性/测试条件/型号

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

民

APT4020BN

APT4025BN

APT4020BN

APT4025BN

典型值

最大

单位

104

1.3

360

720

伏

安培

= 0V时，我

= -I

[续] ）

反向恢复时间（I

= -I

[续] ， DL

/ DT = 100A / μs）内

反向恢复电荷（我

= -I

[续] ， DL

/ DT = 100A / μs）内

安全工作区特性

符号

SOA1

SOA2

特征

安全工作区

感应电流钳位

测试条件/型号

= 0.4 V

DSS

, I

= P

/ 0.4 V

DSS

， t为1秒。

= I

[续] ，V

= P

/ I

[续] ，T = 1秒。

APT4020BN

APT4025BN

民

典型值

最大

单位

瓦

310

104

安培

重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。（图1）

脉冲测试：脉冲宽度< 380

占空比< 2 ％

见MIL -STD -750方法3471

APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。

1.0

，热阻抗（ ℃/ W）

0.5

D=0.5

0.1

0.05

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0.01

单脉冲

注意：

PDM

占空比D = T1 /吨

山顶TJ = PDM X Z

θJC

+ TC

050-4007版本C

0.001

-5

-3

-2

-1

1.0

矩形脉冲持续时间（秒）

图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间

-4

APT4020/4025BN

，漏极电流（安培）

V =10V

5.5V

=6V

5.5V

4.5V

100

150

200

250

，漏极至源极电压（伏）

图2 ，典型输出特性

T = -55°C

T = + 25°C

T = + 125°C

4.5V

，漏极至源极电压（伏）

图3 ，典型输出特性

（ON ），漏极至源极导通电阻

1.75

中T = 25℃

，漏极电流（安培）

2μ SEC 。脉冲测试

归一

>我（ON）个R

（ ON） MAX 。

230μ秒。脉冲测试

1.50

= 10V @ 0.5 I [续]

V =10V

1.25

T = + 125°C

T = + 25°C

T = -55°C

1.00

V =20V

，栅极至源极电压（伏）

图4 ，一般传输特性

，漏极电流（安培）

APT4020BN

APT4025BN

0.75

，漏极电流（安培）

图5中，R

（ ON）与漏电流

DSS

（ON ），漏极 - 源极击穿

电压（归）

（ TH ），阈值电压

（归一化）

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图6 ，最大漏极电流与外壳温度

（ON ），漏极至源极导通电阻

（归一化）

2.5

I = 0.5 I [续]

-25

25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

图7 ，击穿电压与温度

1.4

0.7

-50

= 10V

2.0

1.2

1.5

1.0

0.8

0.5

0.6

050-4007版本C

0.0

-50 -25

25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

图8 ，导通电阻与温度

0.4

-50 -25

25 50 75 100 125 150

，外壳温度（ ° C）

图9 ，阈值电压与温度

APT4020/4025BN

200

，漏极电流（安培）

100

APT4020BN

APT4025BN

操作点这里

（上）

限于由R

10S

C，电容（pF ）

100S

1mS

10mS

100mS

国际空间站

APT4020BN

APT4025BN

OSS

RSS

TC = + 25°C

TJ = + 150°C

单脉冲

.11

5 10

50 100

400

，漏极至源极电压（伏）

图10 ，最大安全工作区

，栅极至源极电压（伏）

I = I [续]

，漏极至源极电压（伏）

图11 ，典型电容VS漏极至源极电压

，反向漏电流（安培）

=80V

V =320V

V =200V

T = + 150°C

T = + 25°C

120

160

200

，总栅极电荷（ NC）

图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压

1.0

1.5

2.0

，源极到漏极电压（伏）

图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压

TO- 247AD封装外形

4.69 (.185)

5.31 (.209)

1.49 (.059)

2.49 (.098)

6.15 （ 0.242 ） BSC

15.49 (.610)

16.26 (.640)

5.38 (.212)

6.20 (.244)

漏

20.80 (.819)

21.46 (.845)

3.55 (.140)

3.81 (.150)

4.50 （ 0.177 ）最大。

0.40 (.016)

0.79 (.031)

2.87 (.113)

3.12 (.123)

1.65 (.065)

2.13 (.084)

19.81 (.780)

20.32 (.800)

1.01 (.040)

1.40 (.055)

门

漏

来源

050-4007版本C

2.21 (.087)

2.59 (.102)

5.45 （ 0.215 ） BSC

2-Plcs.

尺寸以毫米（英寸）