APT31N80JC3
800V 31A 0.145
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
S
G
D
S
OT
S
2
-2
7
超低低R
DS
(
ON
)
超低栅极电荷，Q
g
热门SOT- 227封装
低米勒电容
"UL Recognized"
额定雪崩能量
N沟道增强模式
ISOTOP
D
G
S
除非另有说明， Microsemi的分立MOSFET包含单个MOSFET管芯。此装置由用
两个平行MOSFET芯片。它是用于开关模式操作。它不适合于线性模式操作。
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT31N80JC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
800
31
93
±20
±30
833
6.67
-55到150
300
50
17
0.5
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 640V ，我
D
= 31A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
670
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.125
0.5
0.145
25
250
(V
GS
= 10V ，我
D
= 22A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安）
2.10
3
3.9
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7143冯ê
6-2006
±200
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT31N80JC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 31A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 31A @ 125°C
R
G
= 2.5
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 31A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 31A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
4510
2050
110
180
22
90
25
15
70
6
615
530
1025
580
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
pF
355
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
80
9
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
31
93
1
855
30
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
31A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
31A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
反向恢复电荷（我
S
= -
31A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.37
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 115.92mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 3.4A
5
IS
=
-
31A
di
/
dt
= 100A / μs的
VR
= 480V
TJ
= 125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.40
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.9
0.7
0.5
注意：
0.3
PDM
t1
t2
6-2006
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
050-7143冯ê
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
50
APT31N80JC3
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
5.5V
40
T
J
( C)
0.144
耗散功率
（瓦特）
0.00671
0.141
T
C
( C)
0.226
30
5V
Z
EXT
20
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
10
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
100
90
I
D
，漏极电流（安培）
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
归一
V
= 10V @ 17A
GS
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0 1 2
3 4
5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VGS=20V
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
60
35
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
I
D
，漏极电流（安培）
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
-50
0
50
100
150
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3.0
I
V
D
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
6-2006
= 17A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
-25
0
25
50
75
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7143冯ê
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
20,000
10,000
APT31N80JC3
西塞
C，电容（pF ）
图中删除
1000
科斯
100
CRSS
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 31A
I
DR
，反向漏电流（安培）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
10
12
VDS = 160V
8
VDS = 400V
4
VDS = 640V
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
180
160
140
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
90
V
DD
G
1
= 533V
t
D（关闭）
80
70
R
= 5
T = 125°C
J
t
f
L = 100μH
120
100
80
60
40
20
0
0
V
DD
G
= 533V
60
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
T = 125°C
J
50
40
30
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
30
40
50
60
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
0
0
10
20
10
20
30
40
50
60
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
4000
V
I
DD
2000
= 533V
R
= 5
= 533V
3500
开关能量（ μJ ）
D
J
= 31A
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
1500
J
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
3000
2500
2000
1500
1000
500
1000
E
关闭
E
on
E
on
6-2006
500
050-7143冯ê
30
40
50
60
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
0
10
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
栅极电压
APT31N80JC3
10 %
T = 125℃
J
t
D（上）
漏电流
90%
t
D（关闭）
90%
漏极电压
栅极电压
T = 125℃
J
90%
5%
t
r
10 %
t
f
10%
0
漏电流
5%
漏极电压
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
门
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7143冯ê
6-2006
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
APT31N80JC3
800V 31A 0.145
超级结MOSFET
OLMOS
O
功率半导体
S
G
D
S
OT
S
2
-2
7
超低低R
DS
(
ON
)
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
N沟道增强模式
热门SOT- 227封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
"UL Recognized"
ISOTOP
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT31N80JC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
800
31
93
±20
±30
833
6.67
-55到150
300
50
17
0.5
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 640V ，我
D
= 31A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
670
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 500A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.125
0.5
0.145
25
250
(V
GS
= 10V ，我
D
= 22A)
欧
A
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安）
2.10
3
3.9
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
"COOLMOS
包括由英飞凌科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
英飞凌科技AG"大关
050-7143修订版D
6-2004
±200
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT31N80JC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 31A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 31A @ 125°C
R
G
= 2.5
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 31A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 31A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
4510
2050
110
180
22
90
25
15
70
6
615
530
1025
580
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
pF
355
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
80
9
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
31
93
1
855
30
6
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -
31A
)
1.2
反向恢复时间（I
S
= -
31A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
反向恢复电荷（我
S
= -
31A
， DL
S
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 400V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.37
62
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 115.92mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 3.4A
5
IS
=
-
31A
di
/
dt
= 100A / μs的
VR
= 480V
TJ
= 125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗，可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.40
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.9
0.7
0.5
注意：
0.3
PDM
t1
t2
6-2004
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
050-7143修订版D
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
50
APT31N80JC3
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
5.5V
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.144
动力
（瓦特）
0.226
外壳温度。 （ ° C）
0.141F
0.00671F
40
30
5V
20
10
4.5V
4V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
100
90
I
D
，漏极电流（安培）
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
归一
= 10V @ 17A
V
GS
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0 1 2
3 4
5 6 7
8
9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VGS=20V
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
60
35
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
I
D
，漏极电流（安培）
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
-50
0
50
100
150
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
3.0
I
V
D
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
6-2004
= 17A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
2.5
GS
-25
0
25
50
75
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7143修订版D
典型性能曲线
93
50
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
APT31N80JC3
西塞
10
5
100S
C，电容（pF ）
1000
科斯
1mS
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
100
CRSS
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 31A
I
DR
，反向漏电流（安培）
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
16
.1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
10
12
VDS = 160V
8
VDS = 400V
4
VDS = 640V
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
180
160
140
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
90
V
DD
G
1
= 533V
t
D（关闭）
80
70
R
= 5
T = 125°C
J
t
f
L = 100μH
120
100
80
60
40
20
0
0
V
DD
G
= 533V
60
t
r
和T
f
（纳秒）
R
= 5
T = 125°C
J
50
40
30
20
t
r
L = 100μH
t
D（上）
30
40
50
60
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
0
0
10
20
10
20
30
40
50
60
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
4000
V
I
DD
2000
= 533V
R
= 5
= 533V
3500
开关能量（ μJ ）
D
J
= 31A
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
1500
J
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
3000
2500
2000
1500
1000
500
1000
E
关闭
E
on
E
on
6-2004
500
050-7143修订版D
30
40
50
60
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
0
10
20
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
栅极电压
APT31N80JC3
10 %
T = 125℃
J
t
D（上）
漏电流
90%
t
D（关闭）
栅极电压
T = 125℃
J
90%
漏极电压
90%
5%
t
r
10 %
t
f
10%
0
漏电流
5%
漏极电压
开关能量
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
门
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7143修订版D
6-2004
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
QQ：2880707522 复制
