APT38N60BC6
APT38N60SC6
600V
38A 0.099Ω
OLMOS
O
功率半导体
超级结MOSFET
TO
-2
4
7
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
热门TO- 247或表面贴装
3
封装。
D
3
PAK
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有单位裸片评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT38N60B_SC6
600
38
24
112
±20
278
-55到150
260
15
6.6
2
单位
伏
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 38A ，T
J
= 125°C)
雪崩电流
2
伏
瓦
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
（ID = 6.6A ， VDD = 50V ）
（ID = 6.6A ， VDD = 50V ）
1.2
796
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
（ DSS ）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA)
漏源导通电阻
3
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 18A)
0.099
25
100
欧
μA
nA
伏
050-7207 C版本1-2011
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.2毫安）
2.5
3
±100
3.5
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
4
APT38N60B_SC6
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 38A @ 25°C
电感式开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 400V
I
D
= 38A @ 25°C
R
G
= 4.3Ω
5
民
典型值
2826
2428
261
112
18
58
14
29
118
69
710
550
1100
625
最大
单位
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
5
nC
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 38A ，R
G
= 4.3Ω
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 38A ，R
G
= 4.3Ω
μJ
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
3
民
典型值
最大
33
112
1.3
8
单位
安培
伏
V / ns的
ns
μC
安培
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -38A)
6
/
dt
峰值二极管恢复
dv
/
dt
反向恢复时间
(I
S
= -38A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
t
rr
Q
rr
I
RRM
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
667
18
49
反向恢复电荷
(I
S
= -38A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -38A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
0.45
40
单位
° C / W
4见MIL -STD -750方法3471
2重复雪崩使得可以计算为5宙包括二极管的反向恢复额外的功率损耗。
PAV = EAR * F。脉冲宽度TP受Tj最高。
6最大125°C二极管换流速度=的di / dt 600A / μs的
3脉冲测试：脉冲宽度< 380
μs,
占空比< 2 ％
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.5
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
0.4
0.7
0.3
0.5
注意：
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
PDM
0.2
0.3
0.1
0.1
0.05
0
10
-5
10
-4
单脉冲
050-7207 C版本1-2011
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-2
10
-3
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1
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