APT38F80B2
APT38F80L
800V ， 41A ， 0.24Ω最大， TRR
≤300ns
N沟道FREDFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
这种“ FREDFET ”版本有一个漏极 - 源极（身体）二极管已优化
在ZVS阶段高可靠性，通过减少吨转向桥及其它电路
rr
软
回收，回收率高dv / dt能力。低栅电荷，高增益，和一个大大
的C比率降低
RSS
/C
国际空间站
使其具有很好的抗干扰性和低开关损耗。该
固有栅极电阻和多晶硅栅结构有助于控制的电容
di / dt的切换，从而导致低的EMI和可靠并联，即使在切换时
在非常高的频率。
T-最大
TO-264
APT38F80B2
APT38F80L
D
单芯片FREDFET
G
S
特点
快速，低EMI转换
低反向恢复时间trr高可靠性
超低的Crss ，以提高抗噪声能力
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
PFC等升压转换器
降压转换器
单和两个开关正激
反激式
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
41
26
150
±30
1710
20
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
0.22
包装重量
6.2
10
力矩
安装扭矩（ TO- 264封装） ， 4-40或M3螺丝
1.1
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
N·m的
-55
0.11
150
°C
300
oz
g
·在磅
04-2009
050-8107
REV C
民
典型值
最大
1040
0.12
单位
W
° C / W
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
ΔV
BR （ DSS ）
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 20A
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 2.5毫安
V
DS
= 800V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
APT38F80B2_L
典型值
0.87
0.19
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
Ω
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
800
2.5
0.24
5
250
1000
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 20A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
38
8070
140
805
380
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至533V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 20A,
V
DS
= 400V
电阻开关
V
DD
= 533V
,
I
D
= 20A
R
G
= 2.2Ω
6
,
V
GG
= 15V
190
260
44
135
46
65
200
60
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
41
单位
G
S
A
150
1.1
300
600
V
ns
C
A
20
V / ns的
I
SD
= 20A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
= 20A
3
V
DD
= 100V
di
SD
/
DT = 100A / μs的
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤1000A/s,
V
DD
= 533V,
T
J
= 125°C
250
485
2
6.7
13
22
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 8.55mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 20A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
04-2009
REV C
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -2.17E - 7 / V
DS
^ 2 + 2.63E - 8 / V
DS
+ 3.74E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8107
APT38F80B2_L
100
V
GS
50
= 10V
T = 125°C
J
90
80
I
D
，漏电流（ A）
70
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
V
V
GS
= 10， & 15V
40
I
D
， DRIAN电流（A）
GS
= 6 ， & 6.5V
5.5V
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
30
20
5V
10
4.5V
4V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
图1中，输出特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图2中，输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
归一
V
GS
= 10V @ 20A
150
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
2.5
I
D
，漏电流（ A）
125
2.0
100
T
J
= -55°C
1.5
75
T
J
= 25°C
1.0
50
T
J
= 125°C
0.5
0
-55 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图3中，R
DS （ ON）
VS结温
60
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4 ，传热特性
C
国际空间站
20,000
10,000
50
g
fs
，跨导
40
T
J
= 125°C
C，电容（pF ）
1,000
30
C
OSS
100
C
RSS
20
10
0
10
0
5
10
15
20
25
30
I
D
，漏电流（ A）
图5 ，增益VS漏电流
35
200
400
600
800
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图6 ，电容VS漏 - 源极电压
0
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
14
12
I
D
= 20A
150
I
SD ，
反向漏电流（ A）
125
V
DS
=
160V
10
V
DS
=
400V
100
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
8
6
V
DS
=
640V
75
50
4
2
50 100 150 200 250 300 350 400
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7 ，栅极电荷VS门 - 源极电压
0
0
25
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图8 ，反向漏电流与源极到漏极电压
0
REV C
050-8107
04-2009
APT38F80B2_L
200
100
I
DM
200
100
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
RDS （ ON）
10
10
13s
100s
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
DC线
13s
100s
1ms
10ms
100ms
DC线
1
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T = 25℃）
*(
T
J
-
T
C
)/125
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
C
°
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
0.14
0.12
D = 0.9
0.10
0.7
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.5
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
PDM
t1
t2
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
t
1
=脉冲持续时间
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图11.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
1.0
T-最大
（ B2 ）封装外形
E3 100 ％锡镀
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
04-2009
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
REV C
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
050-8107
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT38F80B2
APT38F80L
800V ， 38A ， 0.28Ω最大， TRR ≤300ns
N沟道FREDFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
这种“ FREDFET ”版本有一个漏极 - 源极（身体）二极管已优化
在ZVS阶段高可靠性，通过减少吨转向桥及其它电路
rr
软
回收，回收率高dv / dt能力。低栅电荷，高增益，和一个大大
的C比率降低
RSS
/C
国际空间站
导致优秀的niose性和低开关损耗。该
固有栅极电阻和多晶硅栅结构有助于控制的电容
di / dt的切换，从而导致低的EMI和可靠并联，即使在切换时
在非常高的频率。
T-最大
TO-264
APT38F80B2
APT38F80L
D
单芯片FREDFET
G
S
特点
快速，低EMI转换
低反向恢复时间trr高可靠性
超低的Crss ，以提高抗噪声能力
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
ZVS相移等全方位全桥
半桥
PFC等升压转换器
降压转换器
单和两个开关正激
反激式
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
41
26
150
±30
1710
20
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.22
6.2
10
1.1
-55
0.11
150
300
民
典型值
最大
1040
0.12
单位
W
° C / W
°C
oz
g
·在磅
N·m的
12-2006
050-8107
REV A
力矩
安装扭矩（ TO- 264封装） ， 4-40或M3螺丝
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 20A
APT38F80B2_L
典型值
0.87
0.23
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
800
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 2.5毫安
V
DS
= 800V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
0.28
5
250
1000
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 20A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
38
8070
140
805
380
最大
单位
S
pF
5
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至533V
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 20A,
V
DS
= 400V
电阻开关
V
DD
= 533V
,
I
D
= 20A
R
G
= 2.2
6
,
V
GG
= 15V
190
260
44
135
46
65
200
60
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
38
单位
A
G
S
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
150
250
485
2
6.7
13
22
1.1
300
600
V
ns
C
A
20
V / ns的
I
SD
= 20A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 20A
3
V
DD
= 100V
di
SD
/
DT = 100A / μs的
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
≤ 20A ， di / dt的≤1000A /微秒，V
DD
= 533V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 8.55mH ，R
G
= 2.2, I
AS
= 20A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
12-2006
REV A
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -2.17E - 7 / V
DS
^ 2 + 2.63E - 8 / V
DS
+ 3.74E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8107
100
90
80
I
D
，漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
V
GS
= 10V
50
T
J
= -55°C
APT38F80B2_L
T = 125°C
J
V
GS
= 10， & 15V
V
40
T
J
= 25°C
GS
= 6 ， & 6.5V
5.5V
I
D
， DRIAN电流（A）
30
20
5V
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
10
4.5V
30
25
20
15
10
5
0
V
DS （ ON）
，漏极至源极电压（ V）
图1中，输出特性
归一
V
GS
= 10V @ 20A
0
4V
0
30
25
20
15
10
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图2中，输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
150
125
I
D
，漏电流（ A）
100
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
T
J
= -55°C
75
T
J
= 25°C
50
T
J
= 125°C
25
0
0
25 50 75 100 125 150
0
-55 -25
T
J
，结温（ ° C）
图3中，R
DS （ ON）
VS结温
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= -55°C
0
8
7
6
5
4
3
2
1
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4 ，传热特性
C
国际空间站
20,000
10,000
g
fs
，跨导
T
J
= 125°C
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
1,000
C
OSS
100
C
RSS
0
5
30
25
20
15
10
I
D
，漏电流（ A）
图5 ，增益VS漏电流
35
800
600
400
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图6 ，电容VS漏 - 源极电压
0
150
I
SD ，
反向漏电流（ A）
125
100
75
50
25
0
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
16
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
I
D
= 20A
V
DS
=
160V
V
DS
=
400V
V
DS
=
640V
050-8107
50 100 150 200 250 300 350 400
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7 ，栅极电荷VS门 - 源极电压
0
0
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图8 ，反向漏电流与源极到漏极电压
0
REV A
12-2006
200
100
I
DM
200
100
I
DM
APT38F80B2_L
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
RDS （ ON）
10
13s
100s
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
10
13s
100s
1
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
1ms
10ms
100ms
DC线
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
DC线
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
T
J
(°C)
0.0140
耗散功率
（瓦特）
0.0108
0.0266
0.375
0.0496
T
C
(°C)
0.0571
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
图11 ，瞬态热阻抗模型
0.14
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.12
D = 0.9
0.10
0.7
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.5
0.3
单脉冲
0.1
0.05
注意：
Z
EXT
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图12.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
T-最大
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
E3 100 ％锡镀
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
12-2006
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
REV A
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-8107
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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