A3211
和
A3212
描述（续）
此装置包括在单个硅芯片上的霍尔电压发生器，
小信号放大器，稳定斩波特性，锁存和MOSFET
输出。先进的BiCMOS处理是用于利用
低电压和低功耗的要求，元件匹配，
极低的输入偏移错误和小型元件几何尺寸。
四种封装类型提供磁性运TI得到优化
微功耗，超灵敏
霍尔效应开关
解决方案对于大多数AP PLI CA系统蒸发散。微型低
表面安装型封装类型
EH
和
EL
（ 0.75和0.50 mm标称高度）是无铅，
LH
是含铅低
简介SMD和
UA
是一个三引脚SIP的通孔安装。
包可以在无铅（Pb）免费版本（后缀，
–T)
同
100 ％雾锡电镀引脚框。 EL包限量发行，
工程样品。
选购指南
产品型号
A3211EEHLT–T
A3211EELLT–T
A3211ELHLT–T
A3212EEHLT–T
A3212EELLT–T
A3212ELHLT–T
A3212EUA–T
A3212LLHLT–T
A3212LUA–T
1
Pb系
无铅
1
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
填料
2
（单位/包）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
散装（ 500 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
散装（ 500 ）
包
环境
温度
T
A
(°C)
-40到85
无铅表面贴装
3 - pin表面贴装
无铅表面贴装
3 - pin表面贴装
SIP - 3通孔，直铅
3 - pin表面贴装
SIP - 3通孔，直铅
-40到85
-40至150
变种被淘汰的产品线。引用在此脚注某些变体是在生产中，但已被确定为
不适用于新设计。这种分类表示，出售该设备目前仅限于现有的客户应用程序。该变种
不应该购买的新设计的应用程序，因为过时，在不久的将来很可能。样品将不再可用。状态
修改： 2006年5月1日为A3212EEHLT和A3212EUA ，和2005年10月31日为A3212LLHLT和A3212LUA 。
2
联系快板额外的包装和处理选项。
绝对最大额定值
特征
电源电压
磁通量密度
输出电压OFF
输出电流
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
DD
B
V
OUT
I
OUT
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
范围L
笔记
等级
5
无限
5
1
-40到85
-40至150
165
-65 170
单位
V
G
V
mA
C
C
C
C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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2
A3211
和
A3212
微功耗，超灵敏
霍尔效应开关
包后缀“ EL ”钢钉
（无引线芯片载体）
包后缀' EH '钢钉
（无引线芯片载体）
NO
连接
DWG 。 PH- 016-2
地
供应
6
V
DD
5
4
3
X
V
1
产量
DD
2
NO
连接
3
地
1
2
地
DWG 。 PH- 016-1
包后缀“ LH ”钢钉
(SOT23W)
包后缀'UA '钢钉
（SIP）的
3
X
V
DD
V
DD
1
2
1
2
3
地
产量
供应
地
DWG 。 PH- 016-1
DWG 。 PH- 016
钉扎示出从烙侧观察。
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产量
供应
产量
供应
3
A3211
和
A3212
微功耗，超灵敏
霍尔效应开关
电气特性
在工作电压和温度范围（除非另有规定） 。
特征
电源电压范围
输出漏电流
输出电压上
清醒时间
期
占空比
斩波频率
符号
V
DD
I
关闭
V
OUT
t
醒
t
期
特区
f
C
I
DD （ EN ）
电源电流
I
DD （ DIS ）
I
DD （ AVG ）
芯片清醒（启用）
片上睡着了（已禁用）
V
DD
= 2.75 V
测试条件
操作
V
OUT
= 3.5 V ，输出关闭
I
OUT
= 1毫安， V
DD
= 2.75 V
范围
分钟。
2.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
TYP 。 *
2.75
<1.0
100
45
45
0.1
340
–
–
5.1
6.7
马克斯。
3.5
1.0
300
90
90
–
–
2.0
8.0
10
10
单位
V
μA
mV
μs
ms
%
千赫
mA
μA
μA
μA
V
DD
= 3.5 V
*典型的数据是在T
A
= 25° C和V
DD
= 2.75 V，并且是唯一的设计信息。
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4
A3211
和
A3212
微功耗，超灵敏
霍尔效应开关
3211磁学特征
在工作电压和温度范围（除非另有规定）
特征
操作要点
释放点
迟滞
符号
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
HYS
测试条件
南极到品牌的一面; B > B
OP
, V
OUT
=高（输出关闭）
北极品牌侧; B > B
OP
, V
OUT
=高（输出关闭）
南极到品牌的一面; B < B
RP
, V
OUT
=低（输出ON ）
北极品牌侧; B < B
RP
, V
OUT
=低（输出ON ）
|B
OPX
- B
RPX
|
范围
分钟。
–
–55
10
–
–
典型值。
37
–40
31
–34
5.9
马克斯。
55
–
–
–10
–
单位
G
G
G
G
G
注释：1.负磁通密度被定义为小于零（代数公约），即-50 G小于10 G。
2. B
OPX
=工作点（输出关闭） ; B
RPX
=释放点（输出导通） 。
3.典型的数据是在T
A
= + 25 ° C和V
DD
= 2.75 V ，并且是唯一的设计信息。
4. 1高斯（ G）正好等于0.1毫特斯拉（ mT）表示。
3212磁学特征
在工作电压和温度范围（除非另有规定）
特征
操作要点
释放点
迟滞
符号
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
HYS
测试条件
南极到品牌的一面; B > B
OP
, V
OUT
=低（输出ON ）
北极品牌侧; B > B
OP
, V
OUT
=低（输出ON ）
南极到品牌的一面; B < B
RP
, V
OUT
=高（输出关闭）
北极品牌侧; B < B
RP
, V
OUT
=高（输出关闭）
|B
OPX
- B
RPX
|
范围
分钟。
–
–55
10
–
–
典型值。
37
–40
31
–34
5.9
马克斯。
55
–
–
–10
–
单位
G
G
G
G
G
注释：1.负磁通密度被定义为小于零（代数公约），即-50 G小于10 G。
2. B
OPX
=工作点（输出导通） ; B
RPX
=释放点（输出关闭） 。
3.典型的数据是在T
A
= + 25 ° C和V
DD
= 2.75 V ，并且是唯一的设计信息。
4. 1高斯（ G）正好等于0.1毫特斯拉（ mT）表示。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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5
A3212
微功耗，超灵敏
霍尔开关
该A3212集成电路是一种超灵敏，极独立霍尔效应
开关与锁存数字输出。该传感器特别适用于操作
灰中的电池供电的手持式设备，例如蜂窝和无绳
电话，寻呼机和掌上电脑。 2.5伏至3.5伏操作和
独特的时钟方案降低平均运行功率要求更低
超过15
W
为2.75伏电源。
不像其他霍尔效应开关，无论是北方还是足够的南极
实力将打开输出;在不存在磁场的时候，输出
是关闭的。极性独立和最低的功率要求使这些
设备可以轻松更换簧片开关用于制造卓越的可靠性和易用性
facturing ，同时消除了对信号调节的要求。
提高稳定性是通过斩波稳定成为可能（场外动态
集的取消） ，这就降低了剩余偏移电压通常由引起
器件超模压，温度依存性及热应力。
该器件包括一个单一的硅芯片上的霍尔电压发生器，小显
最终的放大器，斩波稳定，锁存和MOSFET输出。先进
的BiCMOS处理是用于利用低电压和低功耗的
要求，元件匹配，极低的输入偏移错误和小型的COM
分量几何。
四种封装形式提供磁性优化对于大多数应用程序的解决方案
阳离子。微型低厚度表面安装封装类型
EH
和
EL
（ 0.75和0.50 mm标称高度）是无铅，
LH
是一种含铅低调
SMD和
UA
是一个三引脚SIP的通孔安装。每包
在铅（Pb ）提供免费版本（后缀，
–T)
采用100％雾锡电镀铅
框架。 EL包限量发行，提供工程样品。
特点
■
■
■
■
微操作
操作北极或南极
2.5 V至3.5 V电池供电
斩波稳定
卓越的温度稳定性
极低的开关点漂移
不受物理应力
ESD保护，以5千伏
固态可靠性
小型
容易制造随着磁极独立
数据表
27622.61G
2 ×2mm的MLPD
包装A3212EELLT -T
近似实际大小
绝对最大额定值
电源电压，V
DD
..............................
5 V
磁通密度B ..........
无限
关闭输出电压，V
OUT
......................
5 V
输出电流，I
OUT
...........................
1毫安
结温，T
J
................
+170°C
工作温度，T
A
范围“ E- ” ....................
-40 ° C至+ 85°C
范围' L- ' ..................
-40 ° C至+ 150°C
存储温度范围，
T
S
..............................
-65C至+ 170℃
注意：这些CMOS器件具有输入
静电保护（ 3级），但仍然可持
ceptible如果暴露在损伤极
高静电荷。
■
■
■
■
A3212
微功耗，
超灵敏
霍尔开关
产品选择指南
订购时请使用完整的零件编号
产品型号
A3212EEHLT
A3212EEHLT–T
A3212EELLT–T
A3212ELHLT
A3212ELHLT–T
A3212EUA
A3212EUA–T
A3212LLHLT
A3212LLHLT–T
A3212LUA
A3212LUA–T
无铅
–
是的
是的
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
包装*
（单位/包）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 2000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
散装（ 500 ）
散装（ 500 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
散装（ 500 ）
散装（ 500 ）
3 - pin表面贴装
SIP - 3通孔，直铅
3 - pin表面贴装
-40至150
SIP - 3通孔，直铅
-40到85
无铅表面贴装
包
环境
温度
T
A
(°C)
*联系快板额外的包装和处理选项。
功能框图
供应
开关
定时
逻辑
动态
偏移取消
产量
样品
＆放大器;持有
LATCH
X
地
DWG 。 FH- 020-5
2
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
3212
微功耗，
超灵敏
霍尔开关
包后缀' EH '钢钉
（无引线芯片载体）
NO
连接
DWG 。 PH- 016-2
包后缀“ EL ”钢钉
（无引线芯片载体）
地
供应
6
V
DD
5
4
3
X
V
1
产量
DD
2
NO
连接
3
地
1
2
地
DWG 。 PH- 016-1
包后缀“ LH ”钢钉
(SOT23W)
包后缀'UA '钢钉
（SIP）的
3
X
V
DD
V
DD
1
2
1
2
3
地
产量
供应
地
DWG 。 PH- 016-1
DWG 。 PH- 016
钉扎示出从烙侧观察。
www.allegromicro.com
版权所有 2002年， 2003 Allegro MicroSystems公司
产量
供应
产量
供应
3
A3212
微功耗，
超灵敏
霍尔开关
在工作电压和温度范围电气特性（除非
另有规定） 。
范围
特征
电源电压范围
输出漏电流
输出电压上
清醒时间
期
占空比
斩波频率
电源电流
符号
V
DD
I
关闭
V
OUT
t
醒
t
期
特区
f
C
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
I
DD （ AVG ）
芯片清醒（启用）
片上睡着了（已禁用）
V
DD
= 2.75 V
V
DD
= 3.5 V
测试条件
操作
1
V
OUT
= 3.5 V ，B
RPN
< B < B
RPS
I
OUT
= 1毫安， V
DD
= 2.75 V
分钟。
2.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
2.75
<1.0
100
45
45
0.1
340
–
–
5.1
6.7
马克斯。
3.5
1.0
300
90
90
–
–
2.0
8.0
10
10
单位
V
A
mV
s
ms
%
千赫
mA
A
A
A
注： 1，操作和释放点，将电源电压而变化。
2. B
OPX
=工作点（输出导通） ; B
RPX
=释放点（输出关闭） 。
3.典型的数据是在T
A
= + 25 ° C和V
DD
= 2.75 V ，并且是唯一的设计信息。
磁特性随工作电压和温度范围内（除非
另有规定） 。
范围
特征
操作要点
符号
B
OPS
B
OPN
释放点
B
RPS
B
RPN
迟滞
B
HYS
测试条件
南极到品牌方
北极牌方
南极到品牌方
北极牌方
|B
OPX
- B
RPX
|
分钟。
–
-55
10
–
–
典型值。
37
-40
31
-34
5.9
马克斯。
55
–
–
-10
–
单位
G
G
G
G
G
注释：1.负磁通密度被定义为小于零（代数公约），即-50 G小于10 G。
2. B
OPX
=工作点（输出导通） ; B
RPX
=释放点（输出关闭） 。
3.典型的数据是在T
A
= + 25 ° C和V
DD
= 2.75 V ，并且是唯一的设计信息。
4. 1高斯（ G）正好等于0.1毫特斯拉（ mT）表示。
4
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
QQ：2880707522 复制
