【APT35GP120B2D21200V功率MOS 7 IGBTT-最大TM功率MOS 7IGBT是新】,IC型号APT35GP120B2D2,APT35GP120B2D2 PDF资料,APT35GP120B2D2经销商,ic,电子元器件-51电子网

APT35GP120B2D2

1200V

功率MOS 7 IGBT

T-最大

TM

功率MOS 7

IGBT是新一代高压功率IGBT的。

使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，

高电压开关应用，并已被优化用于高频率

开关模式电源。

G

C

低传导损耗

低栅极电荷

超快尾电流关断

100 kHz的工作频率@ 800V ， 12A

50 kHz的工作频率@ 800V ， 20A

RBSOA评级

E

C

G

E

最大额定值

符号

V

CES

V

GE

V

创业板

I

C1

I

C2

I

CM

RBSOA

P

D

T

J

,T

英镑

T

L

参数

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

栅极 - 射极电压瞬态

连续集电极电流@ T

C

= 25°C

连续集电极电流@ T

C

= 110°C

集电极电流脉冲

1

所有评分：T已

C

= 25 ° C除非另有规定ED 。

APT35GP120B2D2

单位

1200

±20

±30

96

46

140

140A @ 960V

540

-55到150

300

瓦

°C

安培

伏

@ T

C

= 25°C

反向偏置安全工作区@ T

J

= 150°C

总功耗

工作和存储结温范围

马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。

静态电气特性

符号

BV

CES

V

GE （日）

V

CE （ON）的

特性/测试条件

集电极 - 发射极击穿电压（V

GE

= 0V时，我

C

= 500A)

栅极阈值电压

(V

CE

= V

GE

, I

C

= 1毫安，T

j

= 25°C)

民

典型值

最大

单位

1200

3

4.5

2.9

2.8

500

2

6

3.9

伏

集电极 - 发射极上的电压（V

GE

= 15V ，我

C

= 35A ，T

j

= 25°C)

集电极 - 发射极上的电压（V

GE

= 15V ，我

C

= 35A ，T

j

= 125°C)

集电极截止电流（V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V ，T

j

= 25°C)

2

I

CES

I

GES

A

nA

版本B 7-2002

050-7407

集电极截止电流（V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V ，T

j

= 125°C)

栅极 - 射极漏电流（V

GE

= ±20V)

3000

±100

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

APT网站 - http://www.advancedpower.com

动态特性

符号

C

IES

C

OES

C

水库

V

GEP

Q

g

Q

ge

Q

gc

RBSOA

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

门极 - 发射极电压高原

总栅极电荷

3

APT35GP120B2D2

测试条件

电容

V

GE

= 0V, V

CE

= 25V

F = 1 MHz的

栅极电荷

V

GE

= 15V

V

CE

= 600V

I

C

= 35A

T

J

= 150℃ ，R

G

= 5, V

GE

=

15V ， L = 100μH ，V

CE

= 960V

电感式开关（ 25 ° C）

V

CC

= 800V

V

GE

= 15V

I

C

= 35A

4

民

典型值

最大

单位

3423

252

30

7

150

21

62

140

14

25

99

77

1000

2262

1185

14

25

155

128

1000

4027

3016

J

ns

A

nC

V

pF

栅极 - 射极电荷

门极 - 集电极（ "Miller " ）充电

反向偏置安全工作区

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on1

E

on2

E

关闭

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on1

E

on2

E

关闭

导通延迟时间

电流上升时间

打开-O FF延迟时间

电流下降时间

导通开关能量

导通开关能量（二极管）

5

关断开关能量

导通延迟时间

电流上升时间

打开-O FF延迟时间

电流下降时间

导通开关能量

4

5

6

R

G

= 5

T

J

= +25°C

J

电感式开关（ 125°C ）

V

CC

= 800V

V

GE

= 15V

I

C

= 35A

R

G

= 5

T

J

= +125°C

导通开关能量（二极管）

关断开关能量

6

热和机械特性

符号

R

θJC

R

θJC

W

T

特征

结到外壳（ IGBT ）

结到管壳（二极管）

包装重量

民

典型值

最大

单位

° C / W

gm

.23

.90

5.90

1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。

2对于Combi机设备，I

CES

包括IGBT和FRED泄漏

3见MIL- STD- 750方法3471 。

4 E

on1

是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果

增加了IGBT导通损耗。（参见图24 ）

5 E

on2

是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关

损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子

on2

测试电路。（见图21 ， 22 ）

6 E

关闭

是钳位感性关断能量。（见图21 ， 23 ）

APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。

版本B 7-2002

050-7407

典型性能曲线

50

45

I

C

，集电极电流（ A）

VGE = 15V 。

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

APT35GP120B2D2

50

45

I

C

，集电极电流（ A）

VGE = 10V 。

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

40

35

30

25

20

15

10

5

0

1

2

3

4

V

CE

，集气器 - 发射极电压（ V）

图1中，输出特性（Ⅴ

GE

= 15V)

120

T

C

=125°C

T

C

=25°C

40

35

50

25

20

15

10

5

0

1

2

3

4

V

CE

，集气器 - 发射极电压（ V）

图2中，输出特性（Ⅴ

GE

= 10V)

16

T

C

=125°C

T

C

=25°C

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

I

C

，集电极电流（ A）

100

14

12

10

8

6

4

2

0

I

C

= 35A

T

J

= 25°C

V

CE

= 240V

V

CE

= 600V

V

CE

= 960V

80

60

TJ = 25°C

TJ = 125°C

20

0

1

TJ = -55°C

2 3

4 5 6

7 8 9 10

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图3 ，传输特性

TJ = 25°C 。

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

40

0

20

40 60 80 100 120 140 160

栅极电荷（ NC）

图4中，栅极电荷

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

4.5

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

I

C=

35A

I

C=

70A

5

4.5

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

-25

0

25

50

75 100 125

T

J

，结温（ ° C）

图6 ，通态电压VS结温

140

0

-50

I

C=

17.5A

I

C=

35A

VGE = 15V 。

250μs的脉冲测试

<0.5 ％占空比

I

C=

70A

I

C=

17.5A

8

10

12

14

16

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压

1.2

0

6

BV

CES

，集电极 - 发射极击穿

电压（归）

1.1

1.05

1.0

0.95

0.90

0.85

0.8

-50

I

C,

DC集电极电流（ A）

1.15

120

100

80

60

版本B 7-2002

050-7407

40

20

0

-50

-25

0

25 50

75 100 125 150

T

J

，结温（ ° C）

图7 ，击穿电压与结温

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图8 ， DC集电极电流与外壳温度

APT35GP120B2D2

30

t

D（关闭）

，关断延迟时间（纳秒）

t

D（上）

，导通延迟时间（纳秒）

180

25

V

GE

= 10V

V

CE

= 800V

160 R

G

= 5

L = 100 μH

140

120

100

80

60

40

20

0

V

GE

=

10V,T

J

=125°C

V

GE

=15V,T

J

=25°C

V

GE

=15V,T

J

=125°C

20

V

GE

= 15V

15

10

V

CE

= 800V

5 T

J

= 25 ° C，T

J

=125°C

R

G

= 5

L = 100 μH

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9 ，导通延迟时间与集电极电流

70

60

50

40

30

20

10

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图11 ，电流上升时间与集电极电流

9000

R

G

=

5, L

=

100

H，V

CE

=

800V

T

J

= 25或

125°C,V

GE

=

10V

T

J

=

25 or125 ° C，V

GE

=

10V

V

GE

=

10V,T

J

=25°C

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图10 ，关闭延迟时间与集电极电流

180

160

140

T

J

=

125°C ，V

GE

=

10V或15V

t

r,

上升时间（纳秒）

t

f,

下降时间（纳秒）

120

100

80

60

40

20

R

=

5, L

=

100

H，V

CE

=

800V

T

=

25 ° C，V

GE

=

10V或15V

J

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图12 ，电流下降时间与集电极电流

7000

E

关闭

，关闭能量损失（ μJ ）

V

CE

= 800V

V

GE

= +15V

R

G

= 5

0

G

E

ON2

，开启能量损失（ μJ ）

8000

7000

6000

5000

4000

3000

2000

1000

V

CE

= 800V

V

GE

= +15V

R

G

= 5

T

J

=

125°C,V

GE

=

15V

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

T

J

=

125°C,V

GE

=

10V

T

J

=

125°C ，V

GE

=

10V或15V

T

J

=

25°C,V

GE

=

15V

T

J

=

25°C,V

GE

=

10V

T

=

25 ° C，V

GE

=

10V或15V

J

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图13 ，开启能量损耗VS集电极电流

12000

开关损耗（ μJ ）

V

CE

= 800V

V

GE

= +15V

R

G

= 5

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图14 ，关闭能量损失VS集电极电流

9000

开关损耗（ μJ ）

V

CE

= 800V

V

GE

= +15V

R

G

= 5

E

on2

70A

8000

7000

6000

5000

E

on2

70A

10000

8000

E

关闭

70A

6000

E

on2

35A

4000

E

on2

17.5A

2000

0

10

20

30

40

50

R

G

，栅极电阻（欧姆）

图15 ，开关损耗与栅极电阻

0

E

关闭

17.5A

E

关闭

35A

4000 E

关闭

70A

3000

2000

1000

E

关闭

35A

E

on2

35A

版本B 7-2002

E

on2

17.5A

E

关闭

17.5A

050-7407

0

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

图16 ，开关损耗VS结温

0

-25

典型性能曲线

10,000

5,000

C，电容（ F）

APT35GP120B2D2

160

资本投资者入境计划

140

120

P

1,000

500

卓越中心

100

50

CRES

I

C

，集电极电流（ A）

100

80

60

40

20

0

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

V

CE

，集电极到发射极电压

图18 ，反向偏置安全工作区

10

.01

.1

1

10

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压

0.25

D=0.5

Z

θ

JC

，热阻抗（ ℃/ W）

0.1

0.05

0.2

0.1

0.05

0.01

0.005

0.02

0.01

单脉冲

注意：

PDM

t1

t2

占空比D = T1 /吨

2

山顶TJ = PDM X Z

θJC

+ TC

0.001

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1.0

矩形脉冲持续时间（秒）

图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

10

140

F

最大

，工作频率（千赫）

50

F

最大

=

分（F

max1

, f

MAX 2

)

10

T

J

= 125

°

C

T

C

= 75

°

C

D = 50 %

V

CE

= 800V

R

G

= 5

F

最大

=

f

max1

=

f

MAX 2

=

P

DISS

=

t

D（上）

0.05

+

t

r

+

t

D（关闭）

+

t

f

P

DISS

P

COND

E

ON 2

+

E

关闭

1

T

J

T

C

R

θ

JC

10

20

30

40

50

60

70

I

C

，集电极电流（ A）

图20 ，工作频率与集电极

当前

050-7407

版本B 7-2002