AT27C010/L
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
100
A
最大。待机
mA（最大值） 25 。活跃在5MHz （ AT27C010L ）
mA（最大值） 35 。活跃在5MHz （ AT27C010 ）
JEDEC标准封装
32引脚600密耳PDIP
32引脚PLCC
32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
2000V的ESD保护
200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 100
微秒/字节
（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
1兆位
（ 128K ×8 ）
OTP
CMOS EPROM
描述
该AT27C010 / L是一款低功耗，高性能的1,048,576位一次性编程
序的只读了8位， 128K存储器（ OTP EPROM ） 。他们需要
在正常模式下的读取操作只有一个5V电源。任何字节可接
在小于45纳秒，省去了减速WAIT状态的高性
formance微处理器系统。
两个功率版本提供。在读取模式下， AT27C010的典型功耗为25
毫安时的AT27C010L要求仅为8毫安。待机模式下电源电流为
零件通常小于10
A.
（续）
PDIP顶视图
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
O0 - O7
CE
OE
PGM
NC
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
无连接
AT27C010/L
PLCC顶视图
TSOP顶视图
类型1
0321I
3-153
描述
（续）
该AT27C010 / L的提供行业的选择待机动
ARD JEDEC批准的一次性可编程（ OTP ）
塑料PDIP ， PLCC ，和TSOP封装。所有设备为特色的
TURE双线控制（ CE ， OE）给设计师使用灵活
性，以防止总线争用。
以128K字节的存储容量， AT27C010 / L的允许
固件被可靠地存储并要由被访问
系统，而无需大容量存储媒体的延迟。
Atmel的27C010 / L有额外的功能，以确保高
优质高效的生产使用。快速
编程
明算法减少了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。程序设计
时间通常仅为100
微秒/字节。
综合产品
识别码的电子识别设备和
制造商。此功能是通过使用行业标准
编程设备来选择合适的编程
明的算法和电压。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬态电压excur-
sions 。除非容纳由系统设计中，这些
瞬变可能会超出数据表的限制，导致DE-
副不合格。至少，一个0.1
F
高频
昆西，固有的低电感，陶瓷电容
应被用于每个设备。该电容应
被连接在V之间
CC
和接地端子
该装置中，如靠近器件成为可能。另外，
以稳定的印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解
电容应该利用，再连接之间的
V
CC
和接地端子。该电容应该是位置
tioned尽可能接近的地步的功率
电源被连接到所述阵列。
3-154
AT27C010/L
AT27C010/L
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面......................... -2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面...................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面....................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注意：
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲
到-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出
放脚电压为V
CC
+ 0.75V直流可能高估
拍摄到+ 7.0V少于20纳秒脉冲。
操作模式
模式\\引脚
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H
(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A16 = V
IL
V
PP
X
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
鉴定
CODE
注：1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0
±
0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱投入
保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0
这是触发低（V
IL
）选择制造商Identi-
fication字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
3-155
直流和交流工作条件的读操作
AT27C010 / AT27C010L
-45
COM 。
操作
温度。 （案例）工业。
V
CC
供应
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-55
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-70
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1
(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP
(1)
读/待机电流
V
CC
(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时，
CE = V
IL
AT27C010L
AT27C010
-0.6
2.0
民
最大
±1
±5
10
100
1
25
35
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意事项： 1， V
CC
必须同时或V前申请
PP
,
同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了编程过程中
明。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
AC特征的读操作
AT27C010 / AT27C010L
-45
符号参数
t
ACC （3）
地址
输出延迟
t
CE （2）
CE到输出延迟
-55
民
最大
-70
民
最大
-90
民
最大
-12
民
最大
-15
民
最大
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
45
45
20
20
7
7
55
55
25
20
7
70
70
30
25
0
90
90
35
25
0
120
120
35
30
0
150
150
40
35
t
OE（ 2 ，3）
OE为输出延迟
OE或
t
DF （ 4,5）
OutputCE到高
浮法，以先发生
t
OH
注意事项：
从输出保持
地址， CE或OE ，
以先发生
2 ， 3 ， 4 ， 5， - 看到AC波形进行读操作。
3-156
AT27C010/L
AT27C010/L
AC波形的读操作
(1)
注：1.定时测量参考电平为1.5V为-45
-55和设备。 AC输入驱动电平为V
IL
=
0.0V和V
IH
= 3.0V 。定时测量为参考
ENCE级别其他所有速度等级为V
OL
=
0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.45V和V
IH
= 2.4V.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
后的地址是有效的
没有对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时的数据不再
驱动。
输入测试波形和测量水平
为-45和-55设备
只是：
输出测试负载
t
R
, t
F
< 5纳秒（10％至90％）的
为-70 ， -90 ，-12， -15，
和-20设备：
注： CL = 100 pF的包括
夹具电容，除了
-45和-55的设备，其中，
CL = 30 pF的。
t
R
, t
F
＆ LT ; 20毫微秒（10％至90％）的
引脚电容
中（f = 1MHz时， T = 25℃）
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
(1)
最大
8
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
3-157
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 40 mA最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
1-Megabit
（ 128K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C010
1.描述
该AT27C010是一款低功耗，高性能的1,048,576位一次性可编
竹叶提取只读了8位， 128K存储器（ OTP EPROM ） 。他们只需要
在正常的读操作模式1 5V电源。任何字节可以被访问
小于45纳秒，而无需对速度减少等待状态的高性
曼斯微处理器系统。
在读取模式下， AT27C010的典型功耗仅为8毫安。待机模式电源
电流通常小于10微安。
该AT27C010可在行业标准的JEDEC批准单的选择
一次性可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC ，和TSOP封装。所有设备为特色的
TURE双线控制（ CE ， OE） ，使设计人员能够灵活地防止公交车
争。
以128K字节的存储容量， AT27C010允许固件可靠地存储
和要由所述系统，而不大容量存储媒体的延迟访问。
Atmel公司的AT27C010具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产
化利用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。编程时间通常只
100微秒/字节。综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0321M–EPROM–12/07
AT27C010
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1 μF的高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列，一个4.7 μF的大容量电解电容，应使用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲至-2.0V少于20ns的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流可能过冲，以7.0伏为小于20纳秒的脉冲。
*注意：
超越那些在“绝对MAX-上市压力
imum收视率“可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他tional操作
超出的操作指示的条件
本规范的tional部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
3
0321M–EPROM–12/07
6.操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A16 = V
IL
V
PP
X
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C010
-45
工作温度。 （案例）
V
CC
电源
IND 。
-40° C - 85° C
5V
±
10%
-70
-40° C - 85° C
5V
±
10%
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
I
LO
IPP1
(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1))
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
± 0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
IND 。
IND 。
民
最大
±1
±5
10
100
1
25
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
注意：
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
4
AT27C010
0321M–EPROM–12/07
AT27C010
9. AC特性读操作
AT27C010
-45
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
45
45
20
20
7
7
民
-70
最大
70
70
30
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准先发生
从地址， CE或OE输出保持，以先发生
10. AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.定时测量参考电平为1.5V为-45设备。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.0V和V
IH
= 3.0V 。定时
测量参考电平为所有其他速度等级为V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平为V
IL
=
0.45V和V
IH
= 2.4V.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时，数据将不再被驱动。
5
0321M–EPROM–12/07
QQ：2881677436 复制
