APT32M80J
800V ， 33A ， 0.19Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。可靠性
反激式，升压，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
S
G
D
S
SO
T
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
文件＃ E145592
APT32M80J
G
D
单芯片MOSFET
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
33
20
173
±30
1979
24
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
V
隔离
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
RMS电压
（ 50-60hHz正弦Wavefomr从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
包装重量
-55
2500
1.03
29.2
10
1.1
0.15
150
民
典型值
最大
543
0.23
单位
W
° C / W
°C
V
5-2009
050-8168
版本B
oz
g
·在磅
N·m的
力矩
端子和安装螺钉。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 250μA
V
GS
= 10V
,
I
D
=24A
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 2.5毫安
V
DS
= 1200V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
APT32M80J
典型值
1.41
0.16
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
Ω
V
毫伏/°C的
μA
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
800
3
0.19
5
100
500
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 24A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
43
9326
159
927
438
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至533V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 24A,
V
DS
= 400V
电阻开关
V
DD
= 533V
,
I
D
= 24A
R
G
= 2.2Ω
6
,
V
GG
= 15V
217
303
51
155
53
76
231
67
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
32
单位
G
S
3
A
173
1.0
1000
20
10
V
ns
μC
V / ns的
I
SD
= 24A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 24A ，V
DD
= 100V
di
SD
/
DT = 100A / μs的，T
J
= 25°C
I
SD
≤
24A ， di / dt的
≤1000A/μs,
V
DD
= 100V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 6.9mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 24A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个
用相同的存储的电荷为C固定的电容
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个
用相同的存储的能量为C固定的电容
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -8.27E - 7 / V
DS
^ 2 + 1.01E - 7 / V
DS
+ 1.43E-10.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
5-2009
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8168
版本B
APT32M80J
1000
1000
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
100
100
I
DM
13μs
10
13μs
100μs
1ms
10ms
RDS （ ON）
100ms
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
DC线
10
1
1
100μs
1ms
RDS （ ON）
10ms
T
J
=
150°C
100ms
T
C
=
25°C
DC线
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
C
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
0.25
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
0.20
0.7
0.15
0.5
PDM
注意：
0.10
0.3
0.05
0.1
0.05
0
10
-5
10
-4
t1
t2
t
1
=脉冲持续时间
单脉冲
10
-3
10
-2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图11.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*发射极端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
5-2009
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
版本B
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
门
050-8168
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2881677436 复制
