SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×32的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-95595 ： -Q
SMD 5962-93187 ： -P或-PN
MIL -STD- 883
AS8S128K32
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP （Q & Q1）
特点
访问的15倍， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ，和45纳秒
内置的去耦电容的低噪音运行
组织为128K的32倍;用户配置
256Kx16或512K ×8
操作单5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
2V数据保存，低功耗待机
66引脚PGA- 8引脚， 21 ， 28 ， 39顷理由（ P）
选项
定时
15ns
17ns
20ns
25ns
35ns
45ns
包
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列-8系列
针脚栅格阵列-8系列
标志
-15
-17
-20
-25
-35
-45
Q
Q1
P
PN
702号
802号
802号
66引脚PGA- 8引脚， 21 ， 28,39没有连接（ PN ）
注意：
PN表示无引脚8 ， 21 ， 28连， 39
概述
奥斯汀半导体公司AS8S128K32是4兆
位CMOS SRAM模块组织成128Kx32位和用户
配置为256Kx16或512Kx8 。该AS8S128K32实现
高速存取，低功耗和高可靠性
通过采用先进的CMOS内存技术。
军用温度级产品适合mili-
tary应用。
该AS8S128K32在陶瓷四方扁平封装提供MOD-
每SMD- 5962-95595乌莱用0.140英寸的最大高度。
该模块使用了一个低调的， mutlichip DE-模块
签收。
这个设备还提供了1.075英寸的正方形陶瓷
每个贴片5692-93187引脚栅格阵列，其具有的最大高度
0.195英寸。这个包也低调，多芯片
模块设计降低高度的要求降至最低。
CE4
WE4
128K ×8
CE3
WE3
M2
128K ×8
M3
I / O 24 - I / O 31
128K ×8
CE2
WE2
M1
I / O 16 - I / O 23
CE1
WE1
OE
A0 - 16
128K ×8
M0
I / O 8 - I / O 23
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS8S128K32
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奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
VCC电源相对于Vss .....................- 1V至+ 7V电压
储存温度..........................................- 65 ° C至+ 150℃
短路输出电流（每个I / O） ............................... 20毫安
任何引脚相对于Vss ..................- 。 5V至Vcc + 1V电压
最高结温** ............... + 175℃
*强调高于绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
AS8S128K32
这是一个额定值只和功能的操作上
器件在这些或以上的任何其他条件表示
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，周期时间，
负载，环境温度和空气流。看到应用程序
在此数据表的末尾如需更多信息，部分信息
息。
电气特性和建议的直流工作条件
（ -55 ° C<TA<125 ℃; VCC = 5V ± 10 ％ ）
'' " ？
'' " ？
12
( ! !
" ＃ $ ＃ ％ " & “” " ？
(
( ) )
( ) )
(* * +*,-
( )
)
. /0#
. 0#
/
/
Α
Α
Α
/
最大
-20
-25
600
560
参数
电源电流：
操作
条件
CE \\ <V
IL
; V
CC
μMAX
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出打开
CE \\ >V
IH
; V
CC
μMAX
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出打开
CE \\ OE = \\ = V
IH
;
CMOS兼容; V
CC
=最大
F = 5兆赫
符号
I
cc
-15
700
-17
650
-35
520
-45
500
单位备注
mA
3, 13
(1)
I
SBT1
280
220
200
180
160
150
mA
(1)
I
SBT2
100
80
80
60
60
60
mA
(1)
电源电流：
待机
CE \\ > V
cc
-0.2V ; VCC = MAX
V
IL
＆ LT ; V
ss
+0.2V;
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IL
< VSS + 0.2V ;
V
IH
>的Vcc -0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
I
SBC1
40
40
40
40
40
40
mA
(2)
I
SBC2
24
24
24
24
24
24
mA
(2)
注意：
1）地址开关顺序A，A + 1 ， A + 2 ，等等。
2）1/2输入在高电平时， 1/2输入在低电平。
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电容表
(V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C)
符号
C
添加
C
OE
C
WE ，
C
CE
C
IO
参数
A0 - A18电容
OE \\电容
WE \\和CE \\电容
I / O 0 I / O容量31
最大
40
40
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
笔记
4
4
4
4
AS8S128K32
真值表
模式
读
写
待机
未选择
OE \\
L
X
X
H
CE \\
L
L
H
L
WE \\
H
L
X
H
I / O
Q
D
高Z
高Z
动力
活跃
活跃
待机
活跃
AC测试条件
测试规范
输入脉冲电平........................................ VSS到3V
输入上升和下降时间为5ns ..........................................
输入时序参考电平1.5V .................................
输出参考电平1.5V ........................................
输出负载.............................................参见图1
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
I
OL
电流源
设备
下
TEST
-
+
+
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
注意事项：
VZ是可编程从-2V至+ 7V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
图1
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电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
° C≤TA≤125 ℃; VCC = 5V ± 10 ％ ）
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-17
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
RC
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
t
t
t
15
15
15
2
2
7
0
15
6
0
6
15
12
12
0
1
12
12
8
1
2
1
1
17
17
17
2
2
8
0
17
7
0
7
17
12
12
0
1
12
12
9
1
2
7
1
1
20
20
20
2
2
9
0
20
7
0
7
20
15
15
0
1
15
15
10
1
2
9
10
25
25
25
2
2
10
0
25
8
0
9
25
17
17
0
1
17
17
12
1
2
11
35
35
35
2
2
14
0
35
12
0
12
35
20
20
0
1
20
20
15
1
2
14
45
45
45
2
2
15
0
45
12
0
12
45
22
22
0
1
20
20
15
1
2
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 6, 7
4, 6, 7
4
4
4, 6
4, 6, 7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WC
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
t
WP1
WP2
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
4, 6, 7
4, 6, 7
注意事项：
1 ）对于OE \\ = HIGH状态。对于OE \\ = LOW条件
t
WP1 =
t
WP2 = 15 ns（最小值） 。
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笔记
1.所有电压参考V
SS
（GND）。
2. -3V脉冲宽度<20ns 。
3. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
1
开，并且f =
H
Z.
t
RC （分钟）
4.该参数进行采样。
5.试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
6. t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5pF的
如在图2.转换测量+/- 200 mV的
典型的稳态coltage ，允许实际
测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
，小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
.
8.
？ W /
为高的读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和输出
使他们的工作状态保持。
10.地址有效之前或暗合最新发生的
芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ ？ C / E）和写使能（ ？ W / E）可以启动和
结束一个写周期。
13. 32位操作
AS8S128K32
数据保存电气特性
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
CE \\ > V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 3V
符号
V
DR
I
CCDR
I
CCDR
t
CDR
t
R
民
2
--
--
0
t
RC
最大
--
6
11.6
--
单位
V
mA
mA
ns
ns
4
4, 11
笔记
低V
CC
数据保存波形
数据保持方式
VDR
>2V
VCC
TCDR
V
IH
4.5V
4.5V
tR
VDR
CE \\
V
IL
AS8S128K32
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5
QQ：2881677436 复制
