典型性能曲线
APT25GT120BRDL(G)
1200V
APT25GT120BRDL(G)
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
谐振模式的IGBT
迅雷IGBT
在这种谐振模式的Combi使用的是新一代高电压
功率IGBT 。采用非穿通科技，中Thunderblot IGBT
提供卓越的
耐用性和超快的转换速度。
特点
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
低正向二极管电压（V
F
)
超软恢复二极管
额定SSOA
符合RoHS
典型应用
感应加热
焊接
医疗
高功率电信
移谐振模式阶段
桥
G
C
E
TO
-2
47
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GT120BRDL(G)
单位
伏
1200
±30
54
25
75
75A @ 1200V
347
-55到150
300
安培
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 1.5毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
4.5
2.7
5.5
3.2
3.9
200
2
6.5
3.7
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
μA
nA
6-2009
052-6349
版本B
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
1250
120
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT25GT120BRDL(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5Ω, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
4
5
民
典型值
最大
单位
1845
170
110
10.0
170
20
100
75
14
27
150
36
930
1860
720
14
27
175
45
925
3265
965
μ
J
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller" ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
44
55
R
G
= 5Ω
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
μ
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
R
G
= 5Ω
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.36
1.4
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。经过测试，在所示电感式开关测试电路
gure 21 ，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6-2009
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
052-6349
版本B
典型性能曲线
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
V
GE
= 15V
100
APT25GT120BRDL(G)
15V
13V
80
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= -55°C
60
12V
11V
40
10V
20
9V
8V
7V
0
0
5
10
15
20
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
I = 25A
C
中T = 25℃
J
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
80
70
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= -55°C
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
CE
= 240V
V
CE
= 600V
V
CE
= 960V
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
6
I
C
= 50A
5
4
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
6
5
4
3
2
1
0
I
C
= 12.5A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 25A
3
2
1
0
I
C
= 12.5A
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
8
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
6
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
80
0
I
C,
DC集电极电流（ A）
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
70
60
50
40
30
20
10
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
0
-50
6-2009
052-6349
版本B
0.75
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，阈值电压与结温
APT25GT120BRDL(G)
30
25
20
15
10
5
中T = 25℃
,
或125°C
J
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
70
60
50
40
30
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
R
G
=
5Ω, L
=
100
μ
H，V
CE
=
800V
V
CE
= 800V
200
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
180
160
140
120
100
80
60
40
V
CE
=
800V
20
R
G
=
5Ω
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
V
GE
= 15V
0
R
G
= 5Ω
L = 100μH
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
50
45
40
R
G
=
5Ω, L
=
100
μ
H，V
CE
=
800V
0
L = 100μH
t
r,
上升时间（纳秒）
t
f,
下降时间（纳秒）
35
30
25
20
15
10
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
20
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
10,000
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 5Ω
G
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
2500
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 5Ω
G
0
0
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
8,000
T
J
=
125°C
2000
T
J
=
125°C
6,000
1500
4,000
1000
T
J
=
25°C
2,000
T
J
=
25°C
500
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
18,000
开关损耗（ μJ ）
16,000
14,000
12,000
10,000
8,000
6,000
4,000
2,000
0
0
E
on2,
25A
E
on2,
12.5A
E
关，
25A
E
关，
12.5A
E
关，
50A
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
9,000
开关损耗（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 5Ω
G
0
E
on2,
50A
8,000
7,000
6,000
5,000
4,000
3,000
2,000
1,000
0
0
E
on2,
50A
6-2009
E
on2,
25A
E
on2,
12.5A
E
关，
12.5A
E
关，
50A
E
关，
25A
版本B
052-6349
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
3,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
80
70
60
50
40
30
20
10
APT25GT120BRDL(G)
1,000
C，电容（ F）
500
P
C
OES
100
C
水库
50
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.3
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.7
D = 0.9
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.5
注意：
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
140
F
最大
，工作频率（千赫）
50
10
5
F
最大
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
052-6349
版本B
6-2009
QQ：2880707522 复制
