ADS58B18
ADS58B19
www.ti.com
SBAS487D
–
2009年11月
–
经修订的2011年1月
11位， 200MSPS / 9位， 250MSPS ，
超低功耗的ADC模拟缓冲器
检查样品：
ADS58B18 ， ADS58B19
1
特点
ADS58B18 ： 11位， 200MSPS
ADS58B19 ： 9位， 250MSPS
集成高阻抗模拟输入
卜FF器
超低功耗：
–
模拟功率： 258mW在200MSPS
–
I / O功率： 69MW （ DDR LVDS ， LVDS低
摇摆）
高动态性能：
–
ADS58B18 ： 66dBFS SNR和81dBc SFDR
在150MHz的
–
ADS58B19 ： 55.7dBFS的SNR和76dBc
SFDR为150MHz的
增强的SNR采用TI专有的SNRBoost
科技（ ADS58B18只）
- -77.7dBFS
信噪比在20MHz的带宽
动态功率调节与采样率
输出接口：
–
双倍数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程Swing和力量
–
标准Swing ： 350mV的
–
低摆幅： 200mV的
–
默认的强度： 100Ω端接
–
2个强度： 50Ω端接
–
1.8V的CMOS并行接口还
支持
为SNR / SFDR权衡可编程增益
直流偏移校正
支持低输入时钟幅度
包装： QFN - 48 （7毫米
×
7mm)
描述
该ADS58B18 / B19是超低的成员
功率ADS4xxx模拟 - 数字转换器（ADC）的
家庭，具有集成模拟缓冲器和
SNRBoost技术。该ADS58B18和
ADS58B19是11位和9位的ADC，采样
速率高达200MSPS和250MSPS ，分别。
创新的设计技术来实现
而功耗高动态性能
极低的功耗。模拟输入引脚具有
缓冲器恒定的性能和输入
在很宽的频率范围内的阻抗。这
架构使得非常适合于这些部件
多载波
WIDE
带宽
通讯
应用如PA线性化。
该ADS58B18采用TI专有的SNRBoost
技术，它可用于克服信噪比
限制，量化噪声的结果
带宽小于奈奎斯特（F
S
/2).
这两种设备都可以用于增益选项
改善SFDR性能较低的满量程输入
的范围内，特别是在非常高的输入频率。
它们还包括一个直流失调校正环路，可以
用于取消ADC失调。在较低的采样
率，该ADC会自动在缩小操作
动力性能无损失。
这些设备支持双倍数据速率（ DDR ）
低电压差分信令（LVDS）和平行
CMOS数字输出接口。的低数据速率
在DDR LVDS接口（最高500Mbps的）使
有可能使用低成本现场可编程门
阵列（ FPGA）的接收器。它们具有
可用于进一步低摆幅的LVDS方式
降低功耗。的力量
LVDS输出缓冲器也可提高至支持
50Ω差分端接。
该ADS58B18 / B19都采用紧凑型
QFN -48封装，工作在工业中指定
温度范围（-40 ° C至+ 85°C ） 。
23
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2009-2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS58B18
ADS58B19
SBAS487D
–
2009年11月
–
经修订的2011年1月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
ADS58B18
套餐 -
领导
QFN-48
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
–40°C
至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
绿色环保（RoHS ，
无锑/溴）
铅/焊球
完
铜/镍钯金
包
记号
AZ58B18
订购
数
ADS58B18IRGZR
ADS58B18IRGZT
ADS58B19IRGZR
ADS58B19IRGZT
运输
媒体
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
ADS58B19
QFN-48
罗格列酮
–40°C
至+ 85°C
铜/镍钯金
AZ58B19
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
生态规划是计划的环保分级。绿色环保（RoHS ，无锑/溴） ： TI定义
绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
绝对最大额定值
(1)
ADS58B18 ， ADS58B19
民
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， AVDD_BUF
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
AVDD_BUF之间的电压DRVDD / AVDD
INP ， INM
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
， RESET ， SCLK ，
SDATA ， SEN ， DFS ， SNRBoost_En
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–2.4
–2.4
–4.2
–0.3
–0.3
–40
–65
最大
2.1
3.9
2.1
0.3
2.4
2.4
4.2
最低
（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
AVDD + 0.3
+85
+125
+150
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
工作的自由空气的温度范围内，T
A
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD，人体模型（ HBM ）
(1)
(2)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM小于| 0.3V | 。
这样做可以防止ESD保护二极管，在转动的时钟输入引脚。
热信息
ADS58B18
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
2
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(1)
罗格列酮
48针
29
不适用
10
0.3
9
1.13
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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ADS58B18 ADS58B19
2009-2011年，德州仪器
ADS58B18
ADS58B19
SBAS487D
–
2009年11月
–
经修订的2011年1月
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电气特性： ADS58B18 / ADS58B19
典型值为+ 25 ° C， AVDD = 1.8V ， AVDD_BUF = 3.3V ， DRVDD = 1.8V ， 50 ％时钟占空比，
–1dBFS
迪FF erential
模拟输入端，和DDR LVDS接口，除非另有说明。最小值和最大值是在整个
温度范围：
T
民
=
–40°C
给T
最大
= + 85°C ， AVDD = 1.8V ，和DRVDD = 1.8V 。
ADS58B18
参数
决议
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
的SNR （信号噪声比） ，LVDS
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
SINAD （信号对噪声和失真比） ，
LVDS
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
无杂散动态范围
SFDR
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
总谐波失真
THD
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
二次谐波失真
HD2
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
第三谐波失真
HD3
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
最差杂散
（比第二和第三谐波等）
f
IN
= 100MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 300MHz的
双音互调
失真
输入过载恢复
IMD
f
1
= 185MHz ，女
2
= 190MHz ，
每个音调的
–7dBFS
恢复到1％以内（最终
值），用于6分贝过载带
正弦波输入
PSRR
ENOB
DNL
INL
对于100mV的
PP
在AVDD信号
供给，高达10MHz
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 170MHz的
–0.7
76
76
71
70
71
64
64.5
66.3
66.2
66.1
66
65.3
66.2
66.1
66
65.8
64.8
87.5
87
87
81
75
86.5
85
84
81
74.5
90
91
92
87
79
87.5
87
87
81
75
91
91
90
89
88
–86
68.5
68.5
68.5
67.5
68.5
54.2
54.7
测试条件
民
典型值
最大
11
55.8
55.8
55.8
55.8
55.8
55.8
55.8
55.8
55.8
55.7
76.5
76.2
76.1
76
75.7
85
80
79
80.5
71.5
88
89
85
85
75
89
90
82
85
75
76.5
76.2
76.1
76
76
–86
民
ADS58B19
典型值
最大
9
单位
位
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBFS的
时钟
周期
dB
最低有效位
0.85
±1.2
最低有效位
最低有效位
1
1
AC电源抑制比
有效位数
微分非线性
积分非线性
＆ GT ;
30
10.6
±0.25
±0.5
2
±2.5
–0.6
＆ GT ;
30
9
±0.15
±0.25
4
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ADS58B18 ADS58B19
2009-2011年，德州仪器
ADS58B18
ADS58B19
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SBAS487D
–
2009年11月
–
经修订的2011年1月
电气特性：一般
典型值为+ 25 ° C， AVDD = 1.8V ， DRVDD = 1.8V ， 50 ％时钟占空比，而0 dB的放大，除非另有说明。
最低和最高值是在整个温度范围：T已
民
=
–40°C
给T
最大
= + 85°C ， AVDD = 1.8V ，并
DRVDD = 1.8V 。
ADS58B18
参数
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻（在DC） ;看
图59
差分输入电容;看
图60
模拟输入带宽
模拟输入共模电流（每输入引脚）
共模输出电压
VCM输出电流能力
DC精度
偏移误差
偏移误差的温度系数
增益误差作为内部参考的结果
孤独不准确
单独通道增益误差
温度系数
GCHAN
电源
IAVDD
模拟电源电流
IAVDD_BUF
输入缓冲器的电源电流
IDRVDD
(1)
输出缓冲器的电源电流
LVDS接口与外部100Ω端接
低LVDS摆幅（ 200mV的）
IDRVDD
输出缓冲器的电源电流
LVDS接口与外部100Ω端接
标准LVDS摆幅（ 350mV的）
IDRVDD输出缓冲器的电源电流
(1) (2)
CMOS接口
(2)
为8pF外部负载电容
f
IN
= 2.5MHz的
模拟电源：
AVDD + AVDD_BUF用品
数字电源：
LVDS接口，低LVDS摆幅
数字电源：
CMOS接口
(2)
为8pF外部负载电容
f
IN
= 2.5MHz的
全球掉电
待机
88
30
105
40
103
31
113
42
mA
mA
E
GREF
E
GCHAN
–2
–0.2
0.001
–15
2
0.003
2
–1
–2
–0.2
0.001
15
–15
2
0.003
2
–1
15
mV
毫伏/°C的
％ FS
％ FS
Δ%/°C
VCM
1.5
4
2.1
550
＆ LT ;
2
1.7
4
1.5
4
2.1
550
＆ LT ;
2
1.7
4
V
PP
kΩ
pF
兆赫
A
V
mA
民
典型值
最大
民
ADS58B19
典型值
最大
单位
38
47
mA
62
75
64
82
mA
26
35
mA
260
68.7
287
84.6
mW
mW
47
63
mW
10
185
35
10
185
35
mW
mW
(1)
(2)
最大DRVDD电流的CMOS接口依赖于数字输出线的实际负载电容。需要注意的是
每个数字输出线路最大推荐负载电容为10pF的。
在CMOS模式中， DRVDD当前鳞用的采样频率，在输出引脚的负载电容，输入频率，并且
电源电压（见
CMOS接口功耗
在节
应用信息） 。
2009-2011年，德州仪器
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ADS58B18 ADS58B19
5
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