200V
67A
APT20M38BVFR
APT20M38SVFR
0.038
APT20M38BVFRG * APT20M38SVFRG *
*
G表示符合RoHS ，无铅终端完成。
BVFR
D
3
PAK
TO-247
功率MOS V
V
FREDFET
功率MOS
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还
实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
SVFR
低漏
更快的开关
额定雪崩能量
快速恢复体二极管
G
D
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M38B_SVFR(G)
单位
伏
安培
200
67
268
±30
±40
370
2.96
-55到150
300
67
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
67
0.038
250
1000
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
3-2006
050-5602修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M38B_SVFR(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
pF
5100
1145
390
148
47
75
14
21
48
10
6120
1600
585
225
75
110
28
42
75
20
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
67
268
1.3
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
5
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
240
420
1
2
10
16
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.34
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 0.58mH ， R = 25
，峰值I = 67A
j
G
L
5
我 - [续] -I ，
di
/
= 100A / μs的，V
- V
DSS
, T
j
- 150° C，R
G
= 2.0
,
S
D
DD
dt
V
R
= 200V.
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.4
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
PDM
3-2006
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
注意：
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5602修订版D
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
150
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
150
APT20M38B_SVFR(G)
VGS=15V
10V
120
6.5V
7V
120
7V
6.5V
6V
90
90
6V
60
5.5V
30
4.5V
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
5V
60
5.5V
30
4.5V
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
5V
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
150
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.3
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
120
1.2
90
1.1
VGS=10V
60
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
70
0
TJ = -55°C
1.0
VGS=20V
30
0.9
0.8
0
40
80
120
160
200
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
60
50
40
30
20
10
0
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
V
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
050-5602修订版D
3-2006
APT20M38B_SVFR(G)
300
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
C，电容（pF ）
15,000
10,000
西塞
5,000
科斯
CRSS
100
50
1mS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1,000
500
10mS
100mS
DC
1
5
10
50 100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
20
I = I [续]
D
D
300
16
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=160V
8
10
5
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
TO- 247 （ BVFR ）封装外形
E1国资委：锡，银，铜
PAK （ SVFR ）封装外形
E3 100 ％锡
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.41 (.528)
13.51(.532)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3-2006
0.40 (.016)
0.79 (.031)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
050-5602修订版D
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
