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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第398页 > ADG736LBRMZ-REEL1
CMOS低压
2.5 Ω双SPDT开关
ADG736L
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
2.5
Ω
(典型值)的导通电阻
低导通电阻平坦度
在-40°C保证泄漏性能至+ 85°C
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
10引脚MSOP封装
快速开关时间
t
ON
16纳秒
t
关闭
8纳秒
典型功耗( <0.01 μW )
TTL / CMOS兼容
功能框图
ADG736L
S1A
2
S1B
9
IN1
1
S2A
4
S2B
7
IN2
5
开关所
对于逻辑1输入
05485-001
10
D1
6
D2
科幻gure
1.
应用
USB 1.1信号开关电路
手机
掌上电脑
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
音频和视频切换
机械式舌簧继电器更换
概述
该ADG736L是包括两个independ-一个单片器件
ently可选的CMOS单刀双掷( SPDT )开关。
交换机使用的是亚微米工艺设计的
具有低功耗,高开关速度,
低导通电阻,低泄漏电流和宽输入信号
带宽。
导通电阻曲线非常平坦,在整个模拟信号
范围内。这可确保出色的线性度和低失真的时候
切换音频信号。快速开关速度也使得
部分适合视频信号切换。
该ADG736L从单一1.8 V至5.5 V电源供电,
使得它非常适合于便携式和电池供电
仪器。
每个开关导电性能相同,在两个方向上的时候;
每个具有延伸到电源的输入信号范围。
该ADG736L展品先开后合式开关动作。
该ADG736L可在一个10引脚MSOP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
1.8 V至5.5 V单电源供电。
保证泄漏性能。
非常低R
ON
( 4.5 Ω最大为5 V ,
8 Ω最大为3 V ) 。
低导通电阻平坦度。
-3 dB带宽> 200兆赫。
低功耗。
第0版
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www.analog.com
传真: 781.461.3113
2007 ADI公司保留所有权利。
ADG736L
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ........................................ 9
术语................................................. ................................... 10
应用信息................................................ .............. 11
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ .......................... 12
修订历史
1月7日 - 修订版0 :初始版
第0版|第12页2
ADG736L
特定网络阳离子
V
DD
= 5 V± 10 % , GND = 0 V ;所有规格-40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
表1中。
B版本
1
-40 ° C至
25°C
+85°C
0 V至V
DD
2.5
4
0.1
0.5
1.2
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
0.005
±0.1
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽(-3 dB)的
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
2
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻匹配通道间( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
=
10
毫安;见图
10
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
=
10
mA
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
=
10
mA
V
DD
= 5.5 V
4.5
0.4
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;见图
11
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;见图
12
±0.3
±0.3
2.4
0.8
V
IN
= V
INL
或V
INH
12
16
5
8
7
1
62
82
62
82
200
9
32
0.001
1.0
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;见图
13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;见图
13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ;见图
14
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;见图
15
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;见图
16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;见图
17
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
1
2
温度范围为-40 ° C至+ 85°C的B版本。
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第12页3
ADG736L
V
DD
= 3 V± 10 % , GND = 0 V.所有规格
40°C
至+ 85 ℃,除非另有说明。
表2中。
B版本
1
-40 ° C至
+85°C
0 V至V
DD
5.5
8
0.4
2.5
±0.01
±0.1
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
0.005
±0.1
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽(-3 dB)的
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
14
20
6
10
7
1
62
82
62
82
200
9
32
0.001
1.0
1
2
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻匹配通道间( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
25°C
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
nA的典型值
测试条件/评论
5
0.1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安;见图
10
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 / 3V ;见图
11
V
S
= V
D
= 1或3V ;见图
12
±0.3
±0.3
2.0
0.4
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
V
DD
= 3.3 V
μA (典型值)
μA(最大值)
数字输入= 0 V或3 V
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;见图
13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;见图
13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ;见图
14
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;见图
15
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;见图
16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;见图
17
V
IN
= V
INL
或V
INH
±0.01
±0.1
温度范围为-40 ° C至+ 85°C的B版本。
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第12页4
ADG736L
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟,数字输入
1
连续电流,S或D
峰值电流,S或D
工作温度范围
工业(B版)
存储温度范围
结温
MSOP封装,功耗
θ
JA
热阻抗
引线温度(焊接,
10秒)
IR回流焊(峰值温度,
<20秒)
无铅回流焊
峰值温度
在峰值温度的时间
ESD
1
等级
0.3
V至6 V
0.3
V到V
DD
+ 0.3 V或30 mA时,
以先到为准科幻RST
30毫安
百毫安(脉冲为1毫秒,
10 %占空比的最大值)
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
315毫瓦
205°C/W
300°C
235°C
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门上市
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
只有一个绝对最大额定值可在任一时间施加。
ESD警告
260(+0/5)°C
10秒40秒
2千伏
过压IN ,S或D是由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
第0版|第12页5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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