APT20M19JVR
200V 112A 0.019
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
S
G
D
S
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
更快的开关
低漏
100 ％雪崩测试
热门SOT- 227封装
G
D
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M19JVR
单位
伏
安培
200
112
448
±30
±40
500
4
-55到150
300
67
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
112
0.019
50
500
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5589修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M19JVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
9700
2250
700
330
60
150
15
40
45
9
11640
3150
1050
495
90
225
30
80
70
18
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
112
448
1.3
340
5
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热/封装特性
符号
R
θJC
R
θJA
V
隔离
力矩
特征
结到外壳
结到环境
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
民
典型值
最大
单位
° C / W
伏
0.25
40
2500
13
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 0.58mH ， R = 25Ω ，峰值I = 67A
j
G
L
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.2
0.05
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
PDM
0.01
0.005
注意：
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5589修订版A
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT20M19JVR
250
VGS = 8V ，9V， 10V & 15V
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
200
6.5V
150
6V
100
200
9V
150
6V
100
5.5V
5V
4.5V
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
1.13
V
GS
250
VGS=15V
10V
8V
6.5V
5.5V
5V
4.5V
50
50
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
250
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
0
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
200
1.12
150
VGS=10V
1.11
100
1.00
VGS=20V
50
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
120
I
D
，漏极电流（安培）
0
0.90
0
50
100
150
200
250
300
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
100
80
60
40
20
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
050-5589修订版A
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
0.6
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
APT20M19JVR
600
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
C，电容（pF ）
30,000
I
D
，漏极电流（安培）
100
50
1mS
10mS
100mS
DC
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10,000
西塞
10
5
5,000
科斯
CRSS
1
.5
1,000
.1
1
5
10
50 100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
300
500
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
VDS=40V
VDS=100V
12
VDS=160V
8
16
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
5
4
100
200
300
400
500
600
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
050-5589修订版A
门
V
隔离
， RMS电压（ 5060 Hz正弦波波形从终端安装基座为1分钟） = 2500伏特最低
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
"UL Recognized"文件号E145592
5,262,336
5,528,058
APT20M19JVR
200V 112A 0.019Ω
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
S
G
D
S
OT
S
2
-2
7
"UL Recognized"
更快的开关
低漏
100 ％雪崩测试
热门SOT- 227封装
ISOTOP
D
G
S
除非另有说明， Microsemi的分立MOSFET包含单个MOSFET管芯。此装置由用
两个平行MOSFET芯片。它是用于开关模式操作。它不适合于线性模式操作。
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M19JVR
单位
伏
安培
200
112
448
±30
±40
500
4
-55到150
300
67
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
112
0.019
50
500
2
4
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5589修订版B 6-2006
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M19JVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
单位
9700
2250
700
330
60
150
15
40
45
9
11640
3150
1050
495
90
225
30
80
70
18
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
112
448
1.3
340
5
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热/封装特性
符号
R
θJC
R
θJA
V
隔离
力矩
特征
结到外壳
结到环境
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
民
典型值
最大
单位
° C / W
伏
0.25
40
2500
13
磅在
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 0.58mH ， R = 25Ω ，峰值I = 67A
j
G
L
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.1
0.2
0.05
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
PDM
0.01
0.005
注意：
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5589修订版B 6-2006
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT20M19JVR
250
VGS = 8V ，9V， 10V & 15V
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
250
VGS=15V
10V
200
9V
150
6V
100
5.5V
5V
4.5V
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
8V
200
6.5V
150
6V
100
6.5V
5.5V
5V
4.5V
50
50
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
250
I
D
，漏极电流（安培）
0
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.13
V
GS
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
200
1.12
150
VGS=10V
1.11
100
1.00
VGS=20V
50
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
120
I
D
，漏极电流（安培）
0
0.90
0
50
100
150
200
250
300
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
100
80
60
40
20
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
050-5589修订版B 6-2006
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
0.6
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
APT20M19JVR
30,000
I
D
，漏极电流（安培）
C，电容（pF ）
西塞
10,000
科斯
5,000
图中删除
CRSS
1,000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
500
20
I = I [续]
D
D
300
16
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=160V
8
10
5
4
100
200
300
400
500
600
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
050-5589修订版B 6-2006
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
门
V
隔离
， RMS电压（ 5060 Hz正弦波波形从终端安装基座为1分钟） = 2500伏特最低
"UL Recognized"文件号E145592
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。 Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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