APT20M11JLL
200V 176A 0.011
功率MOS 7
R
MOSFET
G
S
D
S
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M11JLL
单位
伏
安培
200
176
704
±30
±40
694
5.56
-55到150
300
176
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
200
0.011
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 88A)
欧
A
nA
伏
9-2004
050-7022修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M11JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
10320
4220
90
180
80
65
24
65
55
9
1190
2485
1260
2815
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
176
704
1.3
460
7.0
5
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -176
A
)
反向恢复时间（I
S
= -176
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -176
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 0.23mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 176A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
176A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.20
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.9
0.15
0.7
0.10
0.5
注意：
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
9-2004
0.05
0.3
050-7022修订版D
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
300
I
D
，漏极电流（安培）
APT20M11JLL
VGS = 15 &10V
8V
250
200
150
0.0268
0.0456F
7.5V
动力
（瓦特）
0.109
0.765F
7V
100
6.5
50
0
6V
5.5V
0.0426
外壳温度。 （ ° C）
23.5F
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
350
I
D
，漏极电流（安培）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
GS
300
250
200
150
100
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ I = 88A
D
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
0
50
100 150 200 250 300 350
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
VGS=10V
50
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
180
160
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
140
120
100
80
60
40
20
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 88A
= 10V
GS
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
2.0
1.5
1.0
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8中，R
DS （ ON）
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7022修订版D
9-2004
704
500
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
10,000
100S
C，电容（pF ）
APT20M11JLL
西塞
科斯
100
50
1,000
1mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
5
10
50 100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
D
100
50
CRSS
10mS
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
500
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
1
10
0
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
= 176A
14
12
10
8
6
4
2
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D（关闭）
V
DD
G
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
VDS=160V
10
5
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
300
250
200
V
DD
G
= 130V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
= 130V
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
R
= 5
80
60
40
20
0
T = 125°C
J
t
r
和T
f
（纳秒）
100
t
f
150
100
50
0
t
r
L = 100μH
t
D（上）
30
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
60
90
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
10000
V
I
DD
30
60
90
8000
= 130V
R
= 5
= 130V
D
J
= 176A
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
开关能量（ μJ ）
6000
J
8000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
6000
4000
E
关闭
2000
E
on
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
30
60
90
4000
E
on
2000
050-7022修订版D
9-2004
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT20M11JLL
栅极电压
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
漏极电压
T
J
125°C
t
r
90%
漏电流
t
f
10%
0
漏极电压
漏电流
5%
10%
开关能量
5%
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT2X101D20
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
门
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7022修订版D
9-2004
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
APT20M11JLL
200V 176A 0.011
功率MOS 7
R
MOSFET
G
S
D
S
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M11JLL
单位
伏
安培
200
176
704
±30
±40
694
5.56
-55到150
300
176
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
200
0.011
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 88A)
欧
A
nA
伏
9-2004
050-7022修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M11JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ，R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
10320
4220
90
180
80
65
24
65
55
9
1190
2485
1260
2815
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
176
704
1.3
460
7.0
5
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -176
A
)
反向恢复时间（I
S
= -176
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -176
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 0.23mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 176A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
176A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.20
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.9
0.15
0.7
0.10
0.5
注意：
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
9-2004
0.05
0.3
050-7022修订版D
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
300
I
D
，漏极电流（安培）
APT20M11JLL
VGS = 15 &10V
8V
250
200
150
0.0268
0.0456F
7.5V
动力
（瓦特）
0.109
0.765F
7V
100
6.5
50
0
6V
5.5V
0.0426
外壳温度。 （ ° C）
23.5F
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
350
I
D
，漏极电流（安培）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
GS
300
250
200
150
100
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ I = 88A
D
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
0
50
100 150 200 250 300 350
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
VGS=10V
50
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
180
160
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
I
V
D
1.15
140
120
100
80
60
40
20
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 88A
= 10V
GS
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
2.0
1.5
1.0
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8中，R
DS （ ON）
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7022修订版D
9-2004
704
500
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
30,000
10,000
100S
C，电容（pF ）
APT20M11JLL
西塞
科斯
100
50
1,000
1mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
5
10
50 100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
D
100
50
CRSS
10mS
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
500
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
1
10
0
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
= 176A
14
12
10
8
6
4
2
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D（关闭）
V
DD
G
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
VDS=160V
10
5
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
300
250
200
V
DD
G
= 130V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
= 130V
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
R
= 5
80
60
40
20
0
T = 125°C
J
t
r
和T
f
（纳秒）
100
t
f
150
100
50
0
t
r
L = 100μH
t
D（上）
30
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
60
90
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
10000
V
I
DD
30
60
90
8000
= 130V
R
= 5
= 130V
D
J
= 176A
T = 125°C
开关能量（ μJ ）
开关能量（ μJ ）
6000
J
8000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
6000
4000
E
关闭
2000
E
on
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
0
30
60
90
4000
E
on
2000
050-7022修订版D
9-2004
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT20M11JLL
栅极电压
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
漏极电压
T
J
125°C
t
r
90%
漏电流
t
f
10%
0
漏极电压
漏电流
5%
10%
开关能量
5%
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT2X101D20
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
门
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7022修订版D
9-2004
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
APT20M11JLL
200V 176A 0.011
W
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
S
G
D
S
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M11JLL
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
200
176
704
±30
±40
735
5.52
300
180
30
-55到150
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
176
0.011
100
500
3
5
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7022修订版B 6-2002
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M11JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
民
典型值
最大
单位
12780
4330
327
316
96
15
35
41
12
174
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
民
典型值
（体二极管）
2
ns
最大
单位
安培
伏
ns
C
176
704
1.3
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
460
7.0
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.18
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 0.23mH ， R = 25Ω ，峰值I = 176A
j
G
L
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
[
续。
]二
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
SOT- 227 （ ISOTOP
）包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
050-7022修订版B 6-2002
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
门
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
