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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第571页 > APT20M11JLL
APT20M11JLL
200V 176A 0.011
功率MOS 7
R
MOSFET
G
S
D
S
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M11JLL
单位
安培
200
176
704
±30
±40
694
5.56
-55到150
300
176
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
典型值
最大
单位
200
0.011
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ,我
D
= 88A)
A
nA
9-2004
050-7022修订版D
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M11JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ,R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ,R
G
= 5
典型值
最大
单位
10320
4220
90
180
80
65
24
65
55
9
1190
2485
1260
2815
典型值
最大
单位
安培
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
176
704
1.3
460
7.0
5
典型值
最大
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -176
A
)
反向恢复时间(I
S
= -176
A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -176
A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 0.23mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 176A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性,而不是
设备本身。
IS
-
ID
176A
di
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18,20 。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和inforation本文所载。
0.20
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.9
0.15
0.7
0.10
0.5
注意:
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
9-2004
0.05
0.3
050-7022修订版D
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
10
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 ( ° C)
遥控模型
300
I
D
,漏极电流(安培)
APT20M11JLL
VGS = 15 &10V
8V
250
200
150
0.0268
0.0456F
7.5V
动力
(瓦特)
0.109
0.765F
7V
100
6.5
50
0
6V
5.5V
0.0426
外壳温度。 ( ° C)
23.5F
图2 ,瞬态热阻抗模型
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
350
I
D
,漏极电流(安培)
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
1.40
V
GS
300
250
200
150
100
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
归一
= 10V @ I = 88A
D
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
0
50
100 150 200 250 300 350
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS ( ON)
VS漏电流
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
VGS=10V
50
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
180
160
I
D
,漏极电流(安培)
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
I
V
D
1.15
140
120
100
80
60
40
20
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 88A
= 10V
GS
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
2.0
1.5
1.0
V
GS ( TH)
阈值电压
(归一化)
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8中,R
DS ( ON)
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
050-7022修订版D
9-2004
704
500
I
D
,漏极电流(安培)
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
30,000
10,000
100S
C,电容(pF )
APT20M11JLL
西塞
科斯
100
50
1,000
1mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
5
10
50 100 200
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
D
100
50
CRSS
10mS
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
500
I
DR
,反向漏电流(安培)
10
1
10
0
16
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
I
= 176A
14
12
10
8
6
4
2
50
100
150
200
250
300
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D(关闭)
V
DD
G
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
VDS=160V
10
5
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
300
250
200
V
DD
G
= 130V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
= 130V
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
R
= 5
80
60
40
20
0
T = 125°C
J
t
r
和T
f
(纳秒)
100
t
f
150
100
50
0
t
r
L = 100μH
t
D(上)
30
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
V
DD
G
60
90
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
10000
V
I
DD
30
60
90
8000
= 130V
R
= 5
= 130V
D
J
= 176A
T = 125°C
开关能量( μJ )
开关能量( μJ )
6000
J
8000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
6000
4000
E
关闭
2000
E
on
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
0
30
60
90
4000
E
on
2000
050-7022修订版D
9-2004
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT20M11JLL
栅极电压
t
D(上)
t
D(关闭)
90%
漏极电压
T
J
125°C
t
r
90%
漏电流
t
f
10%
0
漏极电压
漏电流
5%
10%
开关能量
5%
开关能量
图18 ,导通开关波形和定义
图19 ,关断开关波形和定义
APT2X101D20
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ,电感式开关测试电路
SOT- 227 ( ISOTOP
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米(英寸)
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7022修订版D
9-2004
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
APT20M11JLL
200V 176A 0.011
功率MOS 7
R
MOSFET
G
S
D
S
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M11JLL
单位
安培
200
176
704
±30
±40
694
5.56
-55到150
300
176
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
典型值
最大
单位
200
0.011
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ,我
D
= 88A)
A
nA
9-2004
050-7022修订版D
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M11JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 100V
I
D
= 176A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ,R
G
= 5
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 176A ,R
G
= 5
典型值
最大
单位
10320
4220
90
180
80
65
24
65
55
9
1190
2485
1260
2815
典型值
最大
单位
安培
ns
C
V / ns的
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
176
704
1.3
460
7.0
5
典型值
最大
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -176
A
)
反向恢复时间(I
S
= -176
A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -176
A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.18
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 0.23mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 176A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性,而不是
设备本身。
IS
-
ID
176A
di
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18,20 。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和inforation本文所载。
0.20
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.9
0.15
0.7
0.10
0.5
注意:
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
9-2004
0.05
0.3
050-7022修订版D
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
10
典型性能曲线
连接点
TEMP 。 ( ° C)
遥控模型
300
I
D
,漏极电流(安培)
APT20M11JLL
VGS = 15 &10V
8V
250
200
150
0.0268
0.0456F
7.5V
动力
(瓦特)
0.109
0.765F
7V
100
6.5
50
0
6V
5.5V
0.0426
外壳温度。 ( ° C)
23.5F
图2 ,瞬态热阻抗模型
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
350
I
D
,漏极电流(安培)
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
1.40
V
GS
300
250
200
150
100
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
归一
= 10V @ I = 88A
D
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
0
50
100 150 200 250 300 350
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS ( ON)
VS漏电流
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
VGS=10V
50
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
180
160
I
D
,漏极电流(安培)
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
I
V
D
1.15
140
120
100
80
60
40
20
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 88A
= 10V
GS
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
2.0
1.5
1.0
V
GS ( TH)
阈值电压
(归一化)
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8中,R
DS ( ON)
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
050-7022修订版D
9-2004
704
500
I
D
,漏极电流(安培)
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
30,000
10,000
100S
C,电容(pF )
APT20M11JLL
西塞
科斯
100
50
1,000
1mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
5
10
50 100 200
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
D
100
50
CRSS
10mS
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
500
I
DR
,反向漏电流(安培)
10
1
10
0
16
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
I
= 176A
14
12
10
8
6
4
2
50
100
150
200
250
300
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D(关闭)
V
DD
G
VDS=40V
VDS=100V
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
VDS=160V
10
5
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
300
250
200
V
DD
G
= 130V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
= 130V
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
R
= 5
80
60
40
20
0
T = 125°C
J
t
r
和T
f
(纳秒)
100
t
f
150
100
50
0
t
r
L = 100μH
t
D(上)
30
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
V
DD
G
60
90
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
10000
V
I
DD
30
60
90
8000
= 130V
R
= 5
= 130V
D
J
= 176A
T = 125°C
开关能量( μJ )
开关能量( μJ )
6000
J
8000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
6000
4000
E
关闭
2000
E
on
120 150 180 210 240 270
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
0
30
60
90
4000
E
on
2000
050-7022修订版D
9-2004
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT20M11JLL
栅极电压
t
D(上)
t
D(关闭)
90%
漏极电压
T
J
125°C
t
r
90%
漏电流
t
f
10%
0
漏极电压
漏电流
5%
10%
开关能量
5%
开关能量
图18 ,导通开关波形和定义
图19 ,关断开关波形和定义
APT2X101D20
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ,电感式开关测试电路
SOT- 227 ( ISOTOP
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米(英寸)
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7022修订版D
9-2004
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
APT20M11JLL
200V 176A 0.011
W
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
S
G
D
S
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M11JLL
单位
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
200
176
704
±30
±40
735
5.52
300
180
30
-55到150
(重复,不重复)
1
4
W / ℃,
°C
安培
mJ
3600
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
典型值
最大
单位
安培
200
176
0.011
100
500
3
5
±100
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
A
nA
050-7022修订版B 6-2002
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M11JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
典型值
最大
单位
12780
4330
327
316
96
15
35
41
12
174
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
典型值
(体二极管)
2
ns
最大
单位
安培
ns
C
176
704
1.3
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
460
7.0
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.18
40
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380 μS ,占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 0.23mH , R = 25Ω ,峰值I = 176A
j
G
L
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性,而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
[
续。
]二
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
SOT- 227 ( ISOTOP
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
050-7022修订版B 6-2002
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个: 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
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厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT20M11JLL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
APT20M11JLL
Microsemi
19+
8700
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
APT20M11JLL
Microchip
21+
10500
███原装现货正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
APT20M11JLL
Microchip Technology
24+
10000
ISOTOP?
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
APT20M11JLL
Microchip Technology
24+
19000
ISOTOP?
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
APT20M11JLL
SOT227
110
SOT227
APT
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APT20M11JLL
微芯
21+22+
19200
原装正品欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
APT20M11JLL
microchip
15420
23+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
APT20M11JLL
APT
24+
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