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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第571页 > AP9435GG
AP9435GG
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
快速开关特性
▼
单驱动要求
▼
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
50mΩ
- 4.2A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D
S
SOT-89
D
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
3
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
- 30
±20
- 4.2
-3.4
-20
1.25
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
100
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
201021051-1/4
AP9435GG
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
-
-
-
6
-
-
-
10
2
6
10
7
26
14
520
180
130
16
MAX 。单位
-
-
50
90
-3
-
-1
-25
±100
16
-
-
-
-
-
-
830
-
-
24
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
2
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-4A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=± 20V
I
D
=-4A
V
DS
=-25V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
I
S
= -4A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
30
24
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装在FR4板，T < 10秒。
2/4
AP9435GG
20
20
T
A
=25 C
15
o
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-I
D
，漏电流（ A）
T
A
=150
o
C
15
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
10
10
5
5
V
G
=-3.0V
V
G
=-3.0V
0
0
2
4
6
0
0
2
4
6
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
160
1.8
I
D
=-2A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
120
I
D
= -4 A
V
G
=-10V
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
80
1.0
40
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
4
归-V
GS （ TH）
(V)
3
1.5
-I
S
(A)
o
T
j
=150 C
2
T
j
=25 C
o
1.0
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
Fig5 。的正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP9435GG
f=1.0MHz
12
1000
-V
GS
，门源电压（ V）
9
I
D
=- 4 A
V
DS
=-2 5 V
C（ pF）的
C
国际空间站
6
3
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
10
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100us
-I
D
(A)
1
0.2
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
T
0.02
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
o
100ms
1s
10s
10
100
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+钽
R
thJA
=100
o
C / W
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
20
V
DS
=-5V
-I
D
，漏电流（ A）
15
V
G
Q
G
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10
5
收费
0
0
2
4
6
Q
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
AP9435GG
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
快速开关特性
▼
单驱动要求
▼
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
50mΩ
- 4.2A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D
S
SOT-89
D
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
3
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
- 30
±20
- 4.2
-3.4
-20
1.25
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
100
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
201021051-1/4
AP9435GG
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
-
-
-
6
-
-
-
10
2
6
10
7
26
14
520
180
130
16
MAX 。单位
-
-
50
90
-3
-
-1
-25
±100
16
-
-
-
-
-
-
830
-
-
24
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
2
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-4A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=± 20V
I
D
=-4A
V
DS
=-25V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
I
S
= -4A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
30
24
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装在FR4板，T < 10秒。
2/4
AP9435GG
20
20
T
A
=25 C
15
o
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-I
D
，漏电流（ A）
T
A
=150
o
C
15
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
10
10
5
5
V
G
=-3.0V
V
G
=-3.0V
0
0
2
4
6
0
0
2
4
6
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
160
1.8
I
D
=-2A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
120
I
D
= -4 A
V
G
=-10V
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
80
1.0
40
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
4
归-V
GS （ TH）
(V)
3
1.5
-I
S
(A)
o
T
j
=150 C
2
T
j
=25 C
o
1.0
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
Fig5 。的正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP9435GG
f=1.0MHz
12
1000
-V
GS
，门源电压（ V）
9
I
D
=- 4 A
V
DS
=-2 5 V
C（ pF）的
C
国际空间站
6
3
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
10
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100us
-I
D
(A)
1
0.2
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
T
0.02
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
o
100ms
1s
10s
10
100
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+钽
R
thJA
=100
o
C / W
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
20
V
DS
=-5V
-I
D
，漏电流（ A）
15
V
G
Q
G
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10
5
收费
0
0
2
4
6
Q
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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AM28F256A-200PEB
AH284U-PLA
ABB0203
ARS30A03Z
AM4540C
A29L800AUV-70IF
AM29DS324B120EEN
AP0130NB
AME8501AEFVAF40
AME8500AEEVDD23
ASM3P2180A-08TT
AD408M86VCB-5
AD8628AUJ-REEL7
AD408M82RTA-5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP9435GG
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更多配单专家
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电话：075582788161
联系人：王小姐
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APEC/富鼎
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联系人：陈小姐 张先生
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