典型性能曲线
APT100GN60B2
APT100GN60B2G*
APT100GN60B2(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
T-最大
G
C
E
600V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
6微秒短路功能
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
1
8
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT100GN60B2(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 110°C
229
135
300
300A @ 600V
625
-55至175
300
瓦
°C
安培
开关安全工作区@ T
J
= 175°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
5.0
1.05
5.8
1.45
1.87
25
2
6.5
1.85
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
600
2
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7621
REV A
10-2005
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
待定
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT100GN60B2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 100A
T
J
= 175 ° C，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V,
T
J
= 125 ° C，R
G
= 4.3
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
6000
560
200
9.5
600
45
340
300
6
31
65
310
55
4750
5095
2675
31
65
350
85
5000
6255
3300
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
s
R
G
= 1.0
7
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 1.0
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.21
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
10-2005
REV A
050-7621
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
8连续电流限制的封装引脚温度为100A 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
典型性能曲线
300
250
V
GE
= 15V
350
300
250
200
150
100
50
0
APT100GN60B2(G)
15V
13V
12V
11V
10V
9V
8V
7V
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= 175°C
200
T
J
= 125°C
150
T
J
= 25°C
100
T
J
= -55°C
50
0
300
250
200
150
100
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
I
C
，集电极电流（ A）
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 100A
C
中T = 25℃
J
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
C
，集电极电流（ A）
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
V
CE
= 480V
8
6
4
2
0
0
100
50
T
J
= 175°C
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
200 300 400 500
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
600
700
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.0
3.0
2.5
2.0
I
C
= 100A
1.5
1.0
0.5
0
I
C
= 50A
I
C
= 200A
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.15
8
25
50
75
100 125 150 175
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
300
0
I
C,
DC集电极电流（ A）
V
GS （ TH）
阈值电压
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，阈值电压与结温
250
200
150
100
50
0
-50 -25
焊接温度
有限
（归一化）
050-7621
0 25 50 75 100 125 150 175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
REV A
10-2005
40
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
或125°C
R
G
= 1.0
L = 100μH
500
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
V
GE
= 15V
APT100GN60B2(G)
400
300
V
GE
=15V,T
J
=125°C
200
V
GE
=15V,T
J
=25°C
100
25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
0
V
CE
=
400V
R
G
=
1.0
L = 100μH
250
R
G
=
1.0, L
=
100
H，V
CE
=
400V
140
120
100
80
60
40
20
R
G
=
1.0, L
=
100
H，V
CE
=
400V
200
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
150
100
50
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
0
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
0
25
E
ON2
，开启能量损失（兆焦耳）
E
关闭
，关闭能量损失（兆焦耳）
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 1.0
G
8
7
6
5
4
3
2
1
0
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 1.0
G
20
T
J
=
125°C
T
J
=
125°C
15
10
5
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
开关损耗（兆焦耳）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
J
开关损耗（兆焦耳）
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
T = 125°C
25
E
on2,
200A
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 1.0
G
E
on2,
200A
20
15
10
E
关，
200A
E
on2,
100A
E
关，
100A
E
on2,
50A
E
关，
50A
10-2005
E
关，
200A
E
关，
100A
E
on2,
100A
5
REV A
E
on2,
50A
E
关，
50A
050-7621
20
15
10
5
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
125
100
75
50
25
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
0
0
典型性能曲线
10,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
5,000
C，电容（ F）
350
300
250
200
150
100
50
APT100GN60B2(G)
P
1,000
500
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
100
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.25
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.20
D = 0.9
0.7
0.15
0.5
0.10
0.3
0.05
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
100
F
最大
，工作频率（千赫）
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.949
动力
（瓦特）
0.116
外壳温度。 （ ° C）
0.244
0.00708
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
F
10
图19B ，瞬态热阻抗模型
30
50
70
90
110 130 150
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
4
10
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 1.0
G
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
050-7621
REV A
10-2005
典型性能曲线
APT100GN60B2
APT100GN60B2G*
APT100GN60B2(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
T-最大
G
C
E
600V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
6微秒短路功能
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
1
8
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT100GN60B2(G)
单位
伏
600
±30
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 110°C
229
135
300
300A @ 600V
625
-55至175
300
瓦
°C
安培
开关安全工作区@ T
J
= 175°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
5.0
1.05
5.8
1.45
1.87
25
2
6.5
1.85
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
600
2
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7621
REV A
10-2005
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
待定
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT100GN60B2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 100A
T
J
= 175 ° C，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V,
T
J
= 125 ° C，R
G
= 4.3
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
6000
560
200
9.5
600
45
340
300
6
31
65
310
55
4750
5095
2675
31
65
350
85
5000
6255
3300
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
s
R
G
= 1.0
7
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 1.0
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.21
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
10-2005
REV A
050-7621
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
8连续电流限制的封装引脚温度为100A 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
典型性能曲线
300
250
V
GE
= 15V
350
300
250
200
150
100
50
0
APT100GN60B2(G)
15V
13V
12V
11V
10V
9V
8V
7V
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= 175°C
200
T
J
= 125°C
150
T
J
= 25°C
100
T
J
= -55°C
50
0
300
250
200
150
100
图1中，输出特性（T
J
= 25°C)
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
I
C
，集电极电流（ A）
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
14
12
10
图2中，输出特性（T
J
= 125°C)
I = 100A
C
中T = 25℃
J
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集气器 - 发射极电压（ V）
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
C
，集电极电流（ A）
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
V
CE
= 480V
8
6
4
2
0
0
100
50
T
J
= 175°C
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3 ，传输特性
200 300 400 500
栅极电荷（ NC）
图4中，栅极电荷
600
700
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
3.0
3.0
2.5
2.0
I
C
= 100A
1.5
1.0
0.5
0
I
C
= 50A
I
C
= 200A
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 ％占空比
10
12
14
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
1.15
8
25
50
75
100 125 150 175
T
J
，结温（ ° C）
图6 ，通态电压VS结温
300
0
I
C,
DC集电极电流（ A）
V
GS （ TH）
阈值电压
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，阈值电压与结温
250
200
150
100
50
0
-50 -25
焊接温度
有限
（归一化）
050-7621
0 25 50 75 100 125 150 175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图8 ， DC集电极电流与外壳温度
REV A
10-2005
40
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
或125°C
R
G
= 1.0
L = 100μH
500
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
V
GE
= 15V
APT100GN60B2(G)
400
300
V
GE
=15V,T
J
=125°C
200
V
GE
=15V,T
J
=25°C
100
25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
0
V
CE
=
400V
R
G
=
1.0
L = 100μH
250
R
G
=
1.0, L
=
100
H，V
CE
=
400V
140
120
100
80
60
40
20
R
G
=
1.0, L
=
100
H，V
CE
=
400V
200
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
150
100
50
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
0
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
0
25
E
ON2
，开启能量损失（兆焦耳）
E
关闭
，关闭能量损失（兆焦耳）
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 1.0
G
8
7
6
5
4
3
2
1
0
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 1.0
G
20
T
J
=
125°C
T
J
=
125°C
15
10
5
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
开关损耗（兆焦耳）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
J
开关损耗（兆焦耳）
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
T = 125°C
25
E
on2,
200A
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 1.0
G
E
on2,
200A
20
15
10
E
关，
200A
E
on2,
100A
E
关，
100A
E
on2,
50A
E
关，
50A
10-2005
E
关，
200A
E
关，
100A
E
on2,
100A
5
REV A
E
on2,
50A
E
关，
50A
050-7621
20
15
10
5
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
125
100
75
50
25
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
0
0
典型性能曲线
10,000
I
C
，集电极电流（ A）
C
IES
5,000
C，电容（ F）
350
300
250
200
150
100
50
APT100GN60B2(G)
P
1,000
500
C
OES
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
100
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.25
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.20
D = 0.9
0.7
0.15
0.5
0.10
0.3
0.05
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
100
F
最大
，工作频率（千赫）
50
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.949
动力
（瓦特）
0.116
外壳温度。 （ ° C）
0.244
0.00708
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
F
10
图19B ，瞬态热阻抗模型
30
50
70
90
110 130 150
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
4
10
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 1.0
G
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
050-7621
REV A
10-2005
QQ：2881677436 复制
