添加收藏夹
设为首页
深圳服务热线:13692101218 13751165337
Pdf资料
|
热门库存
|
IC详细资料
|
网站地图
IC供应
PDF资料
非IC供应
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息
51旺铺
会员中心
位置:
首页
>
IC型号导航
>
首字符A型号页
>
首字符A的型号第986页
> AP18P10GS
AP18P10GS
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
P沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-100V
160mΩ
-12A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师用
快速切换的最佳组合,
坚固耐用的设备设计,低导通
性和成本效益。
在TO- 263封装
广泛
首选商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压
应用
诸如DC / DC转换器。
GD
S
TO-263(S)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
等级
-100
±20
-12
-10
-48
35.7
0.29
40
-9
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大
热阻,结案件
最大
热阻,结到环境
价值
3.5
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
201018072-1/4
AP18P10GS
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
3
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ,我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-6A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
分钟。
-100
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
8
-
-
-
16
4.4
8.7
9
14
45
40
110
70
8
MAX 。单位
-
160
200
-3
-
-1
-25
±100
25.6
-
-
-
-
-
-
-
-
12
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
= -8A
V
DS
=-100V, V
GS
=0V
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=-8A
V
DS
=-80V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-50V
I
D
=-8A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=6.25Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1590 2550
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
3
反向恢复时间
3
测试条件
I
S
= -12A ,V
GS
=0V
I
S
= -8A ,V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
49
110
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Starting牛逼
j
=25
o
C,V
DD
= -50V ,L = 1.0mH ,R
G
=25Ω.
3.Pulse测试
本产品为静电敏感,请小心处理。
本产品已合格使用消费类应用。应用程序或生命支持
或其他类似任务关键设备或系统的未经授权。
2/4
AP18P10GS
40
20
T
C
= 25
o
C
30
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-I
D
,漏电流( A)
T
C
=150
o
C
15
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-I
D
,漏电流( A)
20
10
V
G
= -3.0V
5
10
V
G
= -3.0 V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
300
2.0
270
I
D
= -8 A
T
C
=25
℃
1.6
I
D
= - 12 A
V
G
= -10V
归一化
DS ( ON)
240
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
210
1.2
180
0.8
150
120
0.4
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
8
6
1.5
4
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
归-V
GS ( TH)
(V)
-I
S
(A)
1.0
2
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP18P10GS
f=1.0MHz
15
10000
-V
GS
,门源电压( V)
12
V
DS
= - 80 V
I
D
= -8A
9
C
国际空间站
1000
6
100
C( pF)的
C
OSS
C
RSS
3
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
100us
0.2
0.1
-I
D
(A)
0.1
1ms
1
0.05
P
DM
t
0.02
T
C
=25 C
单脉冲
0
0.1
1
10
o
10ms
100ms
DC
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.01
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
15
V
DS
= -5V
12.5
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
V
G
Q
G
-I
D
,漏电流( A)
10
-4.5V
Q
GS
Q
GD
7.5
5
2.5
收费
0
0
2
4
6
Q
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形: TO- 263
E
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A
A1
A2
4.25
0.00
2.20
0.70
1.07
0.30
1.15
8.30
9.70
2.04
-----
4.50
-----
4.75
0.15
2.45
0.90
1.27
0.45
1.30
8.90
10.10
2.54
1.50
4.90
1.50
5.20
0.30
2.70
1.10
1.47
0.60
1.45
9.40
10.50
3.04
-----
5.30
----
D
b
b1
c
c1
L2
b1
L3
b
D
E
e
L2
L3
L4
e
L4
A
A2
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
c1
c
θ
A1
最热资讯&包装: TO- 263
产品型号
封装代码
XXXXXS
18P10GS
符合RoHS要求
YWWSSS
标志
日期代码( YWWSSS )
Y:最后一位的年
WW :周
SSS :序
查看更多
AP18P10GS
PDF信息
推荐型号
AM6T-2412S-N
AB-125W3A-24VD-B3G-0
AD4016M88VQB-5
AS589KH
AL-314IR-940-25B
AP1501A-33T5RA
AME8501CEFTCF21
AD7939BSUZ
AM29C60DE
ADS5270IPFP
AB-029NNBK
APT10035B2FLL
APT100GN60B2
AB-026
AD743KR-16-REEL
APTM120SK15G
ADM6315-38D4ART-RL
AT28C64/X
AK45C-048L-025F20HAN-68
ADP7102ARDZ-1.8-R7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
QQ:
QQ:2881677436
复制
QQ:2881620402
复制
电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
AP18P10GS
-
-
-
-
终端采购配单精选
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ:
QQ:2880707522
复制
QQ:2369405325
复制
电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
AP18P10GS
-
-
-
-
终端采购配单精选
更多配单专家
北京首天伟业科技有限公司
QQ:
QQ:1584878981
复制
QQ:2881290686
复制
电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
AP18P10GS
VBSEMI/台湾微碧
21+
14460
TO263
全新原装正品/质量有保证
深圳市百域芯科技有限公司
QQ:
QQ:3004264855
复制
电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
AP18P10GS
APEC/富鼎
21+
100000
TO263/D2PAK
深圳诚思涵科技有限公司
QQ:
QQ:280773285
复制
QQ:2748708193
复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AP18P10GS
APEC
24+
12000
TO-263(S)
进口原装现货
深圳市易信优科技有限公司
QQ:
QQ:1281623813
复制
QQ:1281623813
复制
电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AP18P10GS
APEC/富鼎
24+
21000
TO-263
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
深圳市品惠科技有限公司
QQ:
QQ:153461020
复制
电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
AP18P10GS
APEC
20+
32000
TO-263(S)
授权代理,进口现货
深圳市芯满林科技有限公司
QQ:
电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
AP18P10GS
APEC/富鼎
24+
32000
TO-263
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
深圳市华创欧科技有限公司
QQ:
QQ:3065848471
复制
QQ:1391615788
复制
QQ:2319599090
复制
电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
AP18P10GS
富鼎
22+
49600
TO-263
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
北京显周科技有限公司
QQ:
QQ:5645336
复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AP18P10GS
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8154
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AP18P10GS
富鼎
21+22+
62710
TO-263
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AP18P10GS
富鼎
09+
11626
原装正品,支持实单
查询更多
AP18P10GS
供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
复制成功!