APT1001RBVFR
APT1001RSVFR
1000V
11A
1.00
功率MOS V
FREDFET
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
BVFR
D
3
PAK
TO-247
SVFR
额定雪崩能量
更快的开关
低漏
快速恢复体二极管
G
D
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1001RBVFR_SVFR
单位
伏
安培
1000
11
44
±30
±40
278
2.22
-55到150
300
11
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1000
1.00
250
1000
±100
2
4
(V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A)
欧
A
nA
伏
5-2004
050-5596版本C
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT1001RBVFR_SVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 11A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 11A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
3050
280
135
150
16
70
12
11
55
12
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
11
44
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -11A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -11A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -11A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -11A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
200
350
0.7
1.5
11
16
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.45
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 20.0mH ， R = 25Ω ，峰值I = 11A
j
G
L
dv
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
5
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
11A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1000V
TJ
≤
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.5
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
注意：
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
5-2004
0.01
0.005
0.01
单脉冲
050-5596版本C
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
10
典型性能曲线
20
VGS = 6V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
20
APT1001RBVFR_SVFR
VGS=15V
VGS = 6V & 10V
5V
I
D
，漏极电流（安培）
16
16
12
4.5V
8
12
4.5V
8
4
4V
0
3.5V
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
4
4V
0
3.5V
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
40
1.5
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
30
TJ = + 125°C
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.4
20
1.2
VGS=10V
VGS=20V
10
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
1.0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
12
10
8
6
4
2
0
0
TJ = + 25°C
0
0.8
0
1.15
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
5
10
15
20
25
30
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
25
0.90
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
-50
2.5
I
D
1.2
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
-25
050-5596版本C
5-2004
APT1001RBVFR_SVFR
50
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
C，电容（pF ）
11,000
5,000
西塞
10
5
1mS
1,000
500
科斯
CRSS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
5 10
50 100
500 1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I =I
D
D
10mS
100mS
DC
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
.1
50
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
[续]
50
16
VDS=100V
VDS=200V
10
5
TJ = + 150°C
=+25°C
TJ
12
VDS=500V
8
1
.5
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
TO- 247封装外形（ BVFR ）
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
PAK封装外形（ SVFR ）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
13.79 (.543)
13.99 (.551)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031) 19.81 (.780)
20.32 (.800)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
0.46 (.018)
0.56 (.022)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
2.40 (.094)
2.70 (.106)
5-2004
（铅基）
1.01 (.040)
1.40 (.055)
050-5596版本C
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
APT1001RBVFR
APT1001RSVFR
1000V
11A
1.00
功率MOS V
FREDFET
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
BVFR
D
3
PAK
TO-247
SVFR
额定雪崩能量
更快的开关
低漏
快速恢复体二极管
G
D
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1001RBVFR_SVFR
单位
伏
安培
1000
11
44
±30
±40
278
2.22
-55到150
300
11
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1000
1.00
250
1000
±100
2
4
(V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A)
欧
A
nA
伏
5-2004
050-5596版本C
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT1001RBVFR_SVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 11A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 11A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
3050
280
135
150
16
70
12
11
55
12
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
11
44
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -11A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -11A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -11A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -11A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
200
350
0.7
1.5
11
16
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.45
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 20.0mH ， R = 25Ω ，峰值I = 11A
j
G
L
dv
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
5
dt
设备本身。
IS
≤
-
ID
11A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
1000V
TJ
≤
150
°
C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.5
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
注意：
PDM
t1
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
5-2004
0.01
0.005
0.01
单脉冲
050-5596版本C
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
10
典型性能曲线
20
VGS = 6V ， 10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
20
APT1001RBVFR_SVFR
VGS=15V
VGS = 6V & 10V
5V
I
D
，漏极电流（安培）
16
16
12
4.5V
8
12
4.5V
8
4
4V
0
3.5V
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
4
4V
0
3.5V
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
40
1.5
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
30
TJ = + 125°C
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.4
20
1.2
VGS=10V
VGS=20V
10
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
1.0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
12
10
8
6
4
2
0
0
TJ = + 25°C
0
0.8
0
1.15
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
5
10
15
20
25
30
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
25
0.90
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
-50
2.5
I
D
1.2
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
-25
050-5596版本C
5-2004
APT1001RBVFR_SVFR
50
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
C，电容（pF ）
11,000
5,000
西塞
10
5
1mS
1,000
500
科斯
CRSS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
5 10
50 100
500 1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I =I
D
D
10mS
100mS
DC
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
.1
50
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
[续]
50
16
VDS=100V
VDS=200V
10
5
TJ = + 150°C
=+25°C
TJ
12
VDS=500V
8
1
.5
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
TO- 247封装外形（ BVFR ）
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
PAK封装外形（ SVFR ）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
13.79 (.543)
13.99 (.551)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031) 19.81 (.780)
20.32 (.800)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
0.46 (.018)
0.56 (.022)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
2.40 (.094)
2.70 (.106)
5-2004
（铅基）
1.01 (.040)
1.40 (.055)
050-5596版本C
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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