AO3162
600V ， 0.034A N沟道MOSFET
概述
该AO3162使用，旨在提供高层次的先进的高卷踏歌MOSFET工艺制造
在流行的AC- DC应用的性能和耐用性。通过提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
保证雪崩能力，该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
700V@150℃
0.034A
＆ LT ; 500Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A，F
B
最大
600
±30
0.034
0.028
0.16
5
1.39
0.89
-50-150
单位
V
V
A
V / ns的
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
漏电流脉冲
峰值二极管恢复的dv / dt
T
A
=25°
C
功耗
A
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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AO3162
600V ， 0.034A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
V
GS
= 10V ，我
D
=0.016A
V
DS
= 40V ，我
D
=0.016A
I
S
=0.016A,V
GS
=0V
600
-
-
-
-
-
2.8
-
-
-
-
-
-
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
14
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=0.01A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=0.01A,
R
G
=6
I
F
=0.016A,dI/dt=100A/s,V
DS
=300V
-
-
-
-
-
-
700
0.69
-
-
-
3.2
154
0.045
0.74
-
-
4.2
0.45
0.05
28
0.1
0.03
0.05
13.8
10
39.2
13
105
9.5
-
-
-
1
10
±100
4.1
500
-
1
0.034
0.16
6
0.6
0.07
42
0.15
0.05
0.08
20
15
57
19
160
14.3
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=0.016A,dI/dt=100A/s,V
DS
=300V
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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600V ， 0.034A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=400V
I
D
=0.01A
电容（pF）
100.00
8
10.00
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1.00
C
OSS
4
C
RSS
0.10
2
0
0.00
0.06
0.09
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0.03
0.12
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
1
100s
0.1
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.0001
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
1000
10ms
0.1s
1s
10s
功率（W）的
1ms
0.01
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.001
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
T
on
T
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电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
V
GS
= 10V ，我
D
=0.016A
V
DS
= 40V ，我
D
=0.016A
I
S
=0.016A,V
GS
=0V
600
-
-
-
-
-
2.8
-
-
-
-
-
-
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
14
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=0.01A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=0.01A,
R
G
=6
I
F
=0.016A,dI/dt=100A/s,V
DS
=300V
-
-
-
-
-
-
700
0.69
-
-
-
3.2
154
0.045
0.74
-
-
4.2
0.45
0.05
28
0.1
0.03
0.05
13.8
10
39.2
13
105
9.5
-
-
-
1
10
±100
4.1
500
-
1
0.034
0.16
6
0.6
0.07
42
0.15
0.05
0.08
20
15
57
19
160
14.3
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=0.016A,dI/dt=100A/s,V
DS
=300V
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO3162
典型的电气和热特性
10
V
DS
=400V
I
D
=0.01A
电容（pF）
100.00
8
10.00
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1.00
C
OSS
4
C
RSS
0.10
2
0
0.00
0.06
0.09
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0.03
0.12
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
1
100s
0.1
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.0001
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
1000
10ms
0.1s
1s
10s
功率（W）的
1ms
0.01
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.001
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
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脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
T
on
T
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AO3162
600V ， 0.034A N沟道MOSFET
概述
该AO3162使用，旨在提供高层次的先进的高卷踏歌MOSFET工艺制造
在流行的AC- DC应用的性能和耐用性。通过提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
保证雪崩能力，该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
700V@150℃
0.034A
＆ LT ; 500Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A，F
B
最大
600
±30
0.034
0.028
0.16
5
1.39
0.89
-50-150
单位
V
V
A
V / ns的
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
漏电流脉冲
峰值二极管恢复的dv / dt
T
A
=25°
C
功耗
A
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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600V ， 0.034A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
V
GS
= 10V ，我
D
=0.016A
V
DS
= 40V ，我
D
=0.016A
I
S
=0.016A,V
GS
=0V
600
-
-
-
-
-
2.8
-
-
-
-
-
-
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
14
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=0.01A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=0.01A,
R
G
=6
I
F
=0.016A,dI/dt=100A/s,V
DS
=300V
-
-
-
-
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-
700
0.69
-
-
-
3.2
154
0.045
0.74
-
-
4.2
0.45
0.05
28
0.1
0.03
0.05
13.8
10
39.2
13
105
9.5
-
-
-
1
10
±100
4.1
500
-
1
0.034
0.16
6
0.6
0.07
42
0.15
0.05
0.08
20
15
57
19
160
14.3
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=0.016A,dI/dt=100A/s,V
DS
=300V
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/5
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600V ， 0.034A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=400V
I
D
=0.01A
电容（pF）
100.00
8
10.00
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1.00
C
OSS
4
C
RSS
0.10
2
0
0.00
0.06
0.09
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0.03
0.12
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
1
100s
0.1
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.0001
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
1000
10ms
0.1s
1s
10s
功率（W）的
1ms
0.01
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.001
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
T
on
T
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