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APM4431K
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -5.3A ，
R
DS （ ON）
= 32mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 50mΩ以下（典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
SOP的顶视图
8
(1, 2, 3)
S S S
应用
(4) G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
DD DD
(5, 6, 7, 8)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4431
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4431 K：
APM4431
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM4431K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±20
V
GS
=-10V
-5.3
-20
-2.3
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2
0.8
62.5
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4431K
分钟。
-30
-1
-30
-1
-1.5
32
50
-0.8
4
1460
225
155
12
V
DD
=-15V,R
L
=-15,
I
DS
=-1A,V
根
=10V,
R
G
=6
15
35
15
2
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
A
=25°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ，我
DS
=-5.3A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-2A
I
SD
= -2.3A ，V
GS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
V
A
V
nA
m
V
pF
22
22
58
30
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零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
-2
±100
40
60
-1.3
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
ns
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
APM4431K
电气特性（续）
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4431K
分钟。
典型值。
27.4
马克斯。
35
单位
栅极电荷特性
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
注意事项：
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-5.3A
5
4.1
nC
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
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牧师B.1 - 三月， 2005年
3
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APM4431K
典型特征
功耗
2.5
7
6
2.0
漏电流
-I
D
- 漏电流（ A）
o
5
4
3
2
1
P
合计
- 功率（W ）
1.5
1.0
0.5
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
T
A
= 25℃ ，V
G
=-10V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
-I
D
- 漏电流（ A）
R
ds
(o
10
n)
L
im
it
占空比= 0.5
0.2
0.1
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.01
单脉冲
0.1
DC
0.01
0.01
T
A
=25 C
0.1
1
10
100
o
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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APM4431K
典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
= -4,-5-6,-7,-8,-9,-10V
80
70
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
60
50
40
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
-3V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
18
16
1.6
1.4
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化阈值电压
5
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
T
j
=25 C
o
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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AT80C51RB2-SLSCM
ADP1173AR-33
供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APM4431K
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    终端采购配单精选

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APM4431K
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APM4431K
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地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
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电话：13910052844（微信同步）
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